探讨SGT MOSFET击穿电压BV
反向击穿电压是功率器件最重要的电学参数之一,限制了器件正常工作状态下能承受的最大反向电压。与传统VDMOS相比,同等反向耐压下SGT MOSFET的外延层掺杂浓度更高,导通损耗更小。而 SGT MOSFET 的漂移区掺杂浓度取决于漂移区的二维耗尽,为了达到充分的二维耗尽,当器件处于反向击穿状态时mesa区必须恰好完全耗尽,此时SGT MOSFET器件内部沿X轴的电场分布由图1给出。根据泊松方程,电场在耗尽区内随距离线性变化,屏蔽栅氧化层内的电场恒定不变。当器件反向击穿时,最大电场等于临界电场,由泊松方程有式1-1得:
(1)
在二维电荷耦合器件中,Y轴方向的电场近似均匀,击穿时的临界电场可以通过击穿时碰撞电离积分等于1来推导:
(2)
利用Baliga的关于硅的碰撞电离系数的公式:
(3)
根据式2和3,Y轴方向电场均匀的条件下临界电场的表达式可得:
(4)
可得出击穿电压为式如下:
(5)
根据式 1、4和5,可得二维电荷耦合器件BV与漂移区最优掺杂浓度的关系:
(6)
因此最优掺杂浓度是mesa区宽度的函数,击穿电压为这个函数的参数。随着mesa区宽度增大,最优掺杂浓度是一个击穿电压的弱相关函数。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由尼嘀的猫耳朵转载自龙夏电子,原文标题为:SGT MOSFET击穿电压BV,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【技术】VDMOS器件关键参数介绍
本文HI-SEMICON关于VDMOS器件关键参数介绍。VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区,在硅表面P型区和N+型区之间形成沟道,在栅极加压后沟道开启,电流在沟道内沿表面流动,然后垂直地被漏极收集图中S为源极。
龙夏电子(Long-Tek)中低压MOSFET和TMBS(沟槽肖特基二极管)选型指南
目录- 公司简介 技术路线和应用领域介绍 MOSFET/TMBS 产品技术介绍 MOSFET/TMBS 产品列表 品质管理和测试设备介绍
型号- LD40N45SMS9,LR012N04T10,LR037N10S10,D10N45IG,D14N45I,LD10N4512,M17N80S,D13E45SEG,LR055N95S3,D161N45P,D16E45SEG,D10N45IU,LD40N45I2,D26E45SEG,D100N45P,LR030N10S3,LR046N08SA2,LR025N04T3,M10N100SC,LR049N08SA4,M26N100S,LR049N08SA3,LR016N08S10,LR053N95S3,M28N90S,D10N45I,LR022N08S3,D74N100T,M56N40T,LR023N04T2,M36N100,LR027N10S2,M26N95SA,LR038N10S2,LD50N45SOS9,LD20N45SHS6,LR012N04S10,LD40N45SNS9,LR040N10S3,LD35N45SMS6,LR032N08S10,D45N100T,D13N45IA,LR037N10S0,LR022N04T8,D324N45P,LD50N45SLD9,LD40N45SKD2,LR020N08S0,D13N45IU,LR022N10S10,M21N95SA,LR078N10S4,LD20N45SHS2,LD20N45SHS3,LR020N08S2,LR020N08S1,LR052N09S2,M17N100SF,LR055N09S3,D16E45SE,D23N45IU,D19E45SEG,LR038N08S1,D19E45SE,LR038N08S2,LR038N08SA10,LD25N45SHD9,LR032N08S1,LR035N08S3,LR032N08S0,LR018N10S10,LR067N08S8,LR032N08S2,LD30N100T3,LR067N08S4,M17N100S,LR074N09S4,LR020N08S10,D13E45SD,D23N45IM,LR051N95S2,M21N80SA,M36N95S,D23N45IL,LR072N10SL4,LD45N45SOS6,D36N68TG,LD30N45SLS9,M31N80SA,D50N100S,LR052N10S2,LD50N45SKD9,LR022N10S0,LR046N08SA10,LR063N08S2,TSR40L100CTF,LR072N09S8,LR072N09S3,D23N45I,D14N45IU,LR020N04T10,LR015N04T0,LR020N04T0,M26N40S,M31N95SA,M28N95S,M36N68TN,LD20N100T3,LD30N45SKS6,D37N100T,LD30N45SKS2,LD30N45SKS3,LD30N45SKS9,LR055N10S3,LR041N08SA3,D11N45S,LR049W08S1,LD25N45SJS6,LR032N10S10,LR065N08S3,M36N80S,LD25N45SJS2,LR052N95S8,M10N80S,M26N80SA,LR069N09S2,LR045N10S1,D250N45P,LR045N10S3,D27N100T,LR042N10S2,D11N45SU,D13N45I,LM120N08S1,LD10N100T2,LD10N100T3
推进BMS保护板、锂电储能、电机控制器中低压MOSFET应用,龙夏电子授权世强硬创全线代理
龙夏电子依托世强硬创平台共同为下游用户提供中低压 MOSFET、IGBT, SBD 的晶圆和成品、TMBS等全线产品。
N60V SGT MOSFET新品
描述- 该资料宣布了一种新型元器件产品,具备多种封装选项(DFN、PDFN、TOLL),适用于紧凑型设计。产品特点包括过流能力强、热阻低和宽范围的SOA特性,特别适合于电机驱动、BMS和移动储能等应用。
型号- YJG80G06B,YJT300G06H,YJQ70G06A,YJG210G06AR,YJG85G06H,YJT220G06H,YJG95G06B,YJG140G06A,YJG85G06B
【元件】新洁能发布1500V/1700V功率VDMOS,整体开关和导通损耗的FOM较竞品低10%左右
新洁能推出的1500V和1700V功率VDMOS还具有如下特点:耐压余量大:保证器件在低温至-40℃时,仍能100%保证耐压大于额定电压的要求;为器件工作在户外或极寒工况下,提供最大保障;器件结温高:允许的瞬态最大工作结温175℃,为系统瞬态过载提供更大的安全余量。
HRD49N08 80V N沟道SGT MOSFET
描述- 本资料详细介绍了HRD49N08型80V N-Channel SGT MOSFET的特性、关键参数、电气特性、热阻特性、开关特性、典型特性以及封装尺寸。该产品适用于同步整流、硬开关和高速电路、电信和工业领域的DC/DC转换。
型号- HRD49N08
【产品】龙夏电子推出MOS LR013N10SM10,采用低导通电阻,耐压达100V
随着TOLL封装的出现,弥补了传统TO系列封装打线数量的限制,更加极限的发挥出大芯片的性能优势,相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻,同时提升了产品电流能力。福建龙夏电子LR013N10SM10耐压100V。
HRP49N08 80V N沟道SGT MOSFET
描述- 该资料详细介绍了HRP49N08型80V N-Channel SGT MOSFET的特性,包括其关键参数、电气特性、热阻特性、开关特性、典型特性等,并提供了应用领域和绝对最大额定值。
型号- HRP49N08
龙夏电子MOSFET选型表
龙夏电子提供以下参数的MOSFET:Polarity:N,N+P;Configuration:Single,Dual;Package:TO-252、TO-220F、TO-263、TO-247等多种封装;VDS(V):20V~800V;VGS(±V):12V~30V;ID(A)@25°C:4A~372A;RDS(ON)(mΩ)TYP@10V:0.37mΩ~780mΩ;EAS(mj):13mj~7482.25mj;Rg(Ω):0.37Ω~20Ω;Ciss(pF):6pF~16974pF;Coss(pF):41pF~4863pF;Crss(pF):2pF~723pF
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
Configuration
|
Package
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)@25°C
|
EAS(mj)
|
LR038N02T9
|
MOSFET
|
N
|
Single
|
PDFN3*3
|
20V
|
12V
|
80A
|
182.25mj
|
选型表 - 龙夏电子 立即选型
龙夏电子(Long-Tek)MOSFET(成品)选型表
型号- LM90N03T4,LM90N03T8,LR012N04T10,120N95S3,120N95S2,LR037N10S10,LR072N10SL4,LR055N95S3,LR052N10S2,LM150N03T4,LR016N95S10,80N95S4,LM150N03T8,LR022N10S1,LR030N10S3,LR046N08SA2,LR022N10S0,LR025N04T3,LR062N08SL8,LR046N08SA10,LR063N08S2,LR049N08SA4,LR049N08SA3,LR016N08S10,LR053N95S3,LR072N09S8,LR072N09S3,LR022N08S3,LR020N04T10,LR015N04T0,LR020N04T0,LR023N04T2,80N08S4,LR027N10S2,LR038N10S2,LR060N08S3,LR012N04S10,100N08S8,LR040N10S3,LR032N08S10,LR055N10S3,LR037N10S0,LR022N04T8,LR041N08SA3,LR052N95S2,LR020N08S0,LR022N10S10,LR032N10S10,LR065N08S3,LR078N10S4,LR052N95S8,LR020N08S2,LR020N08S1,LR052N09S2,LR069N09S2,LR055N09S3,LR038N08S1,LR038N08S2,LR038N08SA10,LR032N08S1,LR035N08S3,LR045N10S1,90N08S8,LR032N08S0,LM80N03T4,LR045N10S3,LR018N10S10,LR042N10S2,LR067N08S8,LR032N08S2,LR067N08S4,LR074N09S4,LR020N08S10,LR051N95S2
HRS49N08 80V N沟道SGT MOSFET
描述- 本资料介绍了HRS49N08型80V N-Channel SGT MOSFET的特性、关键参数、电气特性、热阻特性、应用领域等详细信息。该MOSFET适用于同步整流、硬开关和高速电路,以及电信和工业领域的DC/DC转换。
型号- HRS49N08
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论