探讨SGT MOSFET击穿电压BV

2023-10-18 龙夏电子
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反向击穿电压是功率器件最重要的电学参数之一,限制了器件正常工作状态下能承受的最大反向电压。与传统VDMOS相比,同等反向耐压下SGT MOSFET的外延层掺杂浓度更高,导通损耗更小。而 SGT MOSFET 的漂移区掺杂浓度取决于漂移区的二维耗尽,为了达到充分的二维耗尽,当器件处于反向击穿状态时mesa区必须恰好完全耗尽,此时SGT MOSFET器件内部沿X轴的电场分布由图1给出。根据泊松方程,电场在耗尽区内随距离线性变化,屏蔽栅氧化层内的电场恒定不变。当器件反向击穿时,最大电场等于临界电场,由泊松方程有式1-1得:

                      (1)


在二维电荷耦合器件中,Y轴方向的电场近似均匀,击穿时的临界电场可以通过击穿时碰撞电离积分等于1来推导:

                        (2)


利用Baliga的关于硅的碰撞电离系数的公式:

                  (3)


根据式2和3,Y轴方向电场均匀的条件下临界电场的表达式可得:


                     (4)


可得出击穿电压为式如下:


            (5)


根据式 1、4和5,可得二维电荷耦合器件BV与漂移区最优掺杂浓度的关系:

        (6)


因此最优掺杂浓度是mesa区宽度的函数,击穿电压为这个函数的参数。随着mesa区宽度增大,最优掺杂浓度是一个击穿电压的弱相关函数。

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Nov 2024  - SEMIHOW  - 数据手册  - REV.A0 代理服务 技术支持 批量订货

龙夏电子MOSFET选型表

龙夏电子提供以下参数的MOSFET:Polarity:N,N+P;Configuration:Single,Dual;Package:TO-252、TO-220F、TO-263、TO-247等多种封装;VDS(V):20V~800V;VGS(±V):12V~30V;ID(A)@25°C:4A~372A;RDS(ON)(mΩ)TYP@10V:0.37mΩ~780mΩ;EAS(mj):13mj~7482.25mj;Rg(Ω):0.37Ω~20Ω;Ciss(pF):6pF~16974pF;Coss(pF):41pF~4863pF;Crss(pF):2pF~723pF

产品型号
品类
Polarity
Configuration
Package
VDS(V)
VGS(±V)
ID(A)@25°C
EAS(mj)
LR038N02T9
MOSFET
N
Single
PDFN3*3
20V
12V
80A
182.25mj

选型表  -  龙夏电子 立即选型

龙夏电子(Long-Tek)MOSFET(成品)选型表

目录- T-MOS成品    SGT   

型号- LM90N03T4,LM90N03T8,LR012N04T10,120N95S3,120N95S2,LR037N10S10,LR072N10SL4,LR055N95S3,LR052N10S2,LM150N03T4,LR016N95S10,80N95S4,LM150N03T8,LR022N10S1,LR030N10S3,LR046N08SA2,LR022N10S0,LR025N04T3,LR062N08SL8,LR046N08SA10,LR063N08S2,LR049N08SA4,LR049N08SA3,LR016N08S10,LR053N95S3,LR072N09S8,LR072N09S3,LR022N08S3,LR020N04T10,LR015N04T0,LR020N04T0,LR023N04T2,80N08S4,LR027N10S2,LR038N10S2,LR060N08S3,LR012N04S10,100N08S8,LR040N10S3,LR032N08S10,LR055N10S3,LR037N10S0,LR022N04T8,LR041N08SA3,LR052N95S2,LR020N08S0,LR022N10S10,LR032N10S10,LR065N08S3,LR078N10S4,LR052N95S8,LR020N08S2,LR020N08S1,LR052N09S2,LR069N09S2,LR055N09S3,LR038N08S1,LR038N08S2,LR038N08SA10,LR032N08S1,LR035N08S3,LR045N10S1,90N08S8,LR032N08S0,LM80N03T4,LR045N10S3,LR018N10S10,LR042N10S2,LR067N08S8,LR032N08S2,LR067N08S4,LR074N09S4,LR020N08S10,LR051N95S2

2023/4/17  - 龙夏电子  - 选型指南 代理服务 技术支持 批量订货

HRS49N08 80V N沟道SGT MOSFET

描述- 本资料介绍了HRS49N08型80V N-Channel SGT MOSFET的特性、关键参数、电气特性、热阻特性、应用领域等详细信息。该MOSFET适用于同步整流、硬开关和高速电路,以及电信和工业领域的DC/DC转换。

型号- HRS49N08

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