探讨SGT MOSFET击穿电压BV

时间： 2023-10-18 来源：龙夏电子

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反向击穿电压是功率器件最重要的电学参数之一，限制了器件正常工作状态下能承受的最大反向电压。与传统VDMOS相比，同等反向耐压下SGT MOSFET的外延层掺杂浓度更高，导通损耗更小。而 SGT MOSFET 的漂移区掺杂浓度取决于漂移区的二维耗尽，为了达到充分的二维耗尽，当器件处于反向击穿状态时mesa区必须恰好完全耗尽，此时SGT MOSFET器件内部沿X轴的电场分布由图1给出。根据泊松方程，电场在耗尽区内随距离线性变化，屏蔽栅氧化层内的电场恒定不变。当器件反向击穿时，最大电场等于临界电场，由泊松方程有式1-1得：

（1）

在二维电荷耦合器件中，Y轴方向的电场近似均匀，击穿时的临界电场可以通过击穿时碰撞电离积分等于1来推导：

（2）

利用Baliga的关于硅的碰撞电离系数的公式：

（3）

根据式2和3，Y轴方向电场均匀的条件下临界电场的表达式可得：

（4）

可得出击穿电压为式如下：

（5）

根据式 1、4和5，可得二维电荷耦合器件BV与漂移区最优掺杂浓度的关系：

（6）

因此最优掺杂浓度是mesa区宽度的函数，击穿电压为这个函数的参数。随着mesa区宽度增大，最优掺杂浓度是一个击穿电压的弱相关函数。

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沟槽栅功率场效应晶体管 SGT MOSFET TMBS

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龙夏电子（Long-Tek）中低压MOSFET和TMBS（沟槽肖特基二极管）选型指南

描述- 福建龙夏电子科技有限公司是一家功率器件设计公司，公司成立于 2017 年 3 月。产品包含中低压 MOSFET 和 SBD 的晶圆和成品，核心竞争力是 BMS 大电流 SGT MOS 和光伏组件接线盒大电流 LOW VF 沟槽 SBD（TMBS）。产品应用范围包括动力锂电池保护、电源、电动工具、太阳能组件接线盒等领域。同时也逐步开发高压 VDMOS、IGBT 和 SICMO、SIC JBS 二极管。

型号- LD40N45SMS9,LR012N04T10,LR037N10S10,D14N45I,D10N45IG,LD10N4512,M17N80S,D13E45SEG,LR055N95S3,D161N45P,D16E45SEG,D10N45IU,LD40N45I2,D26E45SEG,D100N45P,LR030N10S3,LR046N08SA2,LR025N04T3,M10N100SC,M26N100S,LR049N08SA4,LR049N08SA3,LR016N08S10,M28N90S,LR053N95S3,D10N45I,LR022N08S3,D74N100T,M56N40T,LR023N04T2,M36N100,LR027N10S2,M26N95SA,LR038N10S2,LD50N45SOS9,LD20N45SHS6,LR012N04S10,LD40N45SNS9,LR040N10S3,LD35N45SMS6,LR032N08S10,D45N100T,D13N45IA,LR037N10S0,LR022N04T8,D324N45P,LD50N45SLD9,LD40N45SKD2,LR020N08S0,D13N45IU,M21N95SA,LR022N10S10,LR078N10S4,LD20N45SHS2,LD20N45SHS3,LR020N08S2,LR020N08S1,LR052N09S2,M17N100SF,LR055N09S3,D23N45IU,D16E45SE,D19E45SEG,LR038N08S1,D19E45SE,LR038N08SA10,LR038N08S2,LD25N45SHD9,LR035N08S3,LR032N08S1,LR032N08S0,LR018N10S10,LR067N08S8,LR032N08S2,LD30N100T3,LR067N08S4,M17N100S,LR074N09S4,LR020N08S10,D23N45IM,D13E45SD,M21N80SA,LR051N95S2,M36N95S,D23N45IL,LR072N10SL4,LD45N45SOS6,D36N68TG,LD30N45SLS9,M31N80SA,D50N100S,LR052N10S2,LD50N45SKD9,LR022N10S0,LR046N08SA10,LR063N08S2,TSR40L100CTF,LR072N09S8,LR072N09S3,D23N45I,D14N45IU,LR020N04T10,LR015N04T0,LR020N04T0,M26N40S,M31N95SA,M28N95S,M36N68TN,LD20N100T3,LD30N45SKS6,D37N100T,LD30N45SKS2,LD30N45SKS3,LD30N45SKS9,LR055N10S3,LR041N08SA3,D11N45S,LR049W08S1,LD25N45SJS6,M36N80S,LR032N10S10,LR065N08S3,LD25N45SJS2,M10N80S,LR052N95S8,M26N80SA,LR069N09S2,LR045N10S1,D250N45P,LR045N10S3,D27N100T,LR042N10S2,D11N45SU,LM120N08S1,D13N45I,LD10N100T2,LD10N100T3

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产品型号	品类	状态	BVDSS(V)	ID（A）	Rontyp(mΩ)	VTH(V)	EAS(L=0.5mH VD=48V VG=10V)(mj)	Rg(Ω)	Ciss(pF)	Coss(pF)	Crss(pF)
LR016N08S10	MOSFET	MP	80	360	1.27	3	2704	1.8	14140	2259	61

选型表 - 龙夏电子立即选型

N60V SGT MOSFET新品

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AKG40N013G 40V 1.3mohm N-channel SGT MOSFET

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【产品】龙夏电子推出MOS LR013N10SM10，采用低导通电阻，耐压达100V

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