澜芯半导体车规级SiC MOSFET/ IGBT等功率器件授权世强硬创代理
新能源汽车的蓬勃发展,使得车规级SiC MOSFET/IGBT等功率半导体需求爆发式增长。供需紧缺和国产新能源汽车品牌崛起背景下,国内功率半导体迎来国产替代浪潮。
面对日益增长的市场需求,2023年9月5日,世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)与一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司——上海澜芯半导体(下称“澜芯半导体”,英文名:LXP)签订授权代理合作协议。
资料显示,澜芯半导体(LXP)是一家功率芯片设计公司,团队核心成员均超过15年功率芯片设计开发经验。基于完整的自有设计和工艺开发经验,面向新能源汽车等下游应用市场提供碳化硅功率器件、硅基IGBT、MOSFET相关的单管和功率模块产品。
据悉,澜芯半导体(LXP)SiC MOSFET、超结MOSFET、IGBT等产品,均通过了工业级可靠性认证(JEDEC)和车规级AECQ101认证,有着极低的导通压降、极低的栅极电荷和超快的开关速度,广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、工业电源、充电桩、智能电网、服务器与通讯电源等领域。
其中,SiC MOSFET全系列产品可靠性高,工作电压650V~1700V,导通电阻覆盖10mΩ~160mΩ,封装形式多样,包括TO247-3/4、TOLL、TO263-7,可满足工业和汽车电子等多种应用场景需求。
首款SiC MOSFET 1200V 80 mΩ产品,成功通过了1000小时175℃ 100%VdsHTRB和1000小时175℃ HTGB可靠性验证,保证产品性能和可靠性,降低客户端风险。
此外,在2023年9月澜芯半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET和基于第二代工艺平台开发的1200V 12mΩ SiC MOSFET单芯片流片取得巨大成功,平均良率达到90%以上,突破行业领先水平。
在公司发布首款SiC芯片后,已有众多客户与澜芯建立了深度的技术交流,对于澜芯半导体的技术实力给予了充分的肯定,同时客户也看到澜芯半导体稳定可靠的供应链渠道合作伙伴,为后续保质保量的交付提供了有力的保障。现客户群体已覆盖光伏储能、充电桩、新能源乘用车等行业。
近期,其还推出650V 40mΩ超结MOSFET产品,采用先进的超级结技术,电压规格为650V,不仅拥有稳定的雪崩击穿特性,器件性能更稳定,而且还提供TO-247封装形式,可广泛用于高电流密度和高效率的功率器件应用领域,包括各种服务器电源、充电桩、新能源汽车、光伏、逆变、储能等。
另一拳头产品——IGBT主要有单管和功率模块,其中IGBT单管产品通过小pitch及CS注入增强与场截终止技术,获得了先进的导通压降(Vce),在导通损耗与关断损耗(Eoff)之间做了最佳平衡,优异的导通压降与极短的拖尾电流,为应用工程师在优化系统效率时提供有力的保障。
该产品封装齐全,具备良好的短路性能及EMI表现,广泛应用于光伏逆变器、变频器、不间断UPS电源、电动工具、电磁加热、工业缝纫、电焊机等领域。
目前,澜芯半导体(LXP)的IGBT、IGBT模块、分立器件、SiC碳化硅芯片、SiC MOSFET、MOSFET、SiC模块等全线产品,已上线世强先进旗下产业互联网平台——世强硬创,通过其30年丰富的分销经验,和精准的数字营销服务,重点开拓新能源乘用车、光伏、储能和充电桩等应用市场,产品实现从0到1的突破应用。
上海澜芯半导体成立于2022年6月,是一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司,团队核心成员均超过15年功率芯片设计开发经验。公司基于完整的自有设计和工艺开发经验,在一年时间内通过快速迭代开发,现已有SiC、超结Mosfet、IGBT等众多成熟产品,广泛适用于新能源汽车电驱控制器,车载充电机(OBC),车载直流变换器(DCDC),空压机电控;光伏风电逆变器;充电桩模块;储能变流器;大功率开关电源;通信电源等相关产品。 查看更多
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