龙夏电子MOSFET LR016N10SM10耐压达100V，采用SGT工艺，大电流下温升低

时间： 2023-10-19 来源：龙夏电子

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随着TOLL封装的出现，弥补了传统TO系列封装打线数量的限制，更加极限的发挥出大芯片的性能优势，相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻，同时提升了产品电流能力。MOSFET LR016N10SM10耐压100V,导通电阻Ron 1.4mr。

特点：

◾SGT工艺

◾低导通电阻

优势：

◾大电流下温升低

◾抗冲击能力强

应用领域：

BMS

温升测试：6对MOS 120A持续电流下温度约68℃

短路测试：6对MOS 20串100AH 磷酸铁锂电芯短路测试OK

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