【经验】基于离线式反激开关的17.5W两路输出开关电源设计
在《高集成的表面贴装离线式反激开关,助力电源高效节能》一文里我们讲到了PI的InnoSwitch系列离线式开关IC,以及其在电源设计的重要作用及其应用。本文将继续深入探究InnoSwitch系列在电源产品设计中的应用,即以该系列下的INN2904K型号为例介绍由该型号构成的17.5W两路输出式开关电源。具体的电路设计图如下图1所示。
图1:85 V to 484 V 输入12 V,1.25 A、5 V,0.5 A 双路输出电源
用INN2904K设计的高性能双路输出电源如图3所示,该电源输入电压范围85VAC-484VAC,用该芯片设计的电源只需要59个元器件,效率高达86%,空载电流低至50mA。
图中保险丝F1起到过流保护作用,共模电感L1和电容C1、C2、C17、C18用来减少系统的EMI。整流桥BR1和滤波电容C1、C2、C17、C18将交流输入变为稳定的直流电压。热敏电阻RT1可以限制浪涌电流对整流桥的冲击,MOV RV1可以防止浪涌事件的发生。变压器初级侧的一端连到整流桥上,另外一端连到InnoSwitch-EP IC(U1)的内部900V MOSFET上。由D1、R11、R12、C7组成的RCD钳位电路可以限制由于变压器漏感和输出杂散电感产生的尖峰电压。
刚上交流电时,通过内部的高压电流源给PRIMARY BYPASS上的C8充电,IC可以自启动。在正常运行时,反激绕组通过整流二极管D2和滤波电容C6,然后通过限流电阻R9反馈到PRIMARY BYPASS脚。原边的过压保护通过齐纳二极管VR2和R28来实现。在发生过压输出时,电压增高,会使偏置绕组的齐纳二极管VR2导通,从而触发Innoswitch-EP IC的初级侧控制器过压锁。电阻R3、R4、R5、R10、R8提供线电压检测并提供电流给U1,该电流正比于DC电压。一旦DC电压达到78V,U1开始启动,一旦DC过压高于700V,U1关闭。
InnoSwitch-EP可以检测输出电压、电流并能够给同步整流MOSFET提供驱动信号。5V输出由SR FET Q2提供,低ESR电容C21和由L3和C25组成的二阶滤波电路可以吸收5V输出的尖峰和噪声。12V输出由SR FET Q1提供,低ESR电容C12和由L2和C26组成的二阶滤波电路可以吸收12V输出的尖峰和噪声。C14和C23电容用于吸收高频开关尖峰和降低EMI。R25和C24、R14和C10组成吸收电路分别吸收Q1和Q2上的高频干扰,该干扰主要来自变压器绕组漏感和二次侧分布电感。
在连续导通模式下,电源MOSFET在二次侧控制器开关周期之前关闭。在断续导通模式下,当门槛电压低于VSR(TH)时前端MOSFET关闭。二次侧控制初级侧MOSFET确保初级侧MOSFET永远不会同步,MOSFET驱动信号在SR/P脚。
IC的次级侧可以自己从二次绕组正向电压或输出电压进行供电。输出电压不仅控制着IC而且反馈给VO引脚,在CV区域通过内部调节器给去耦电容C9充电。在启动和CV区域正向二次侧绕组正向电压通过R13控制着IC。当二次侧输出电压低于3V,单元会自动重启。
R16、R15、R23组成分压网络用于检测输出电压的变化。InnoSwitch-EP IC内部有1.265V参考。C20、C15和R24、R17组成反馈补偿网络用于降低输出尖峰,输出电流检测通过R20、R21的作用可以转化为33mV电压,一旦过流,设备就可以反馈调节开关脉冲维持输出电流稳定。
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