【产品】柜式结构的IGBT静态参数测试平台PST6747Q,可满足千级净化间使用要求
随着IGBT在电力电子、新能源、工业控制、消费电子、网络通信、计算机、汽车电子、军事等领域中的广泛应用,IGBT的需求越来越大。IGBT的研发、生产及检测测试尤显重要,为更好的测试IGBT,博电技术研制了PST6747Q IGBT静态参数测试平台。
适用范围
PST6747D IGBT静态参数测试平台适用于压接式IGBT(无FRD)、IGBT(含FRD)以及压接式FRD不同压力、不同结温条件下的静态参数测试;满足千级净化间使用要求、主要应用于科研单位、实验室、生产企业等领域。
功能
1)PST6747Q为柜式结构,由0~5000V/0~300mA电压源单元 、0~5000A电流源单元 、采集控制单元、数字控制单元、压接恒温系统、以及为满足不同测试项目的互锁电路等组成。各功能单元分工明确,独立模块方式,便于安装调试及维修。
2)PST6747Q主控单元采用工控机+FPGA处理器架构,通过多功能键盘实现人机交互,操作界面简单,信息全面(参数、波形、测试状态等)。
3)软件界面UI设计简洁,各项功能分区明确,使用方便,经过控制过程设计,软件实现多模块的并行控制,大大方便了用户使用相关功能模块,提高了用户体验。
技术特点
1)PST6747Q通过硬件、软件完成电流源过载、电压源短路、过热及信号失真检测;
2)对于电源信号的短路、过负荷及过温等不正常工况,系统自身具有良好的保护功能。
3)且具有精度高、短路保护、测试方便、随时调整温度、压力;
4)测试开始及结束提示、光栅安全防护门、语音、声光提示等特点。
主要技术指标
1)栅极阈值电压:
2)栅极漏电流:
3) 集射极电压VCES/电流(ICES) :
高压电压源:
输入电压:220VAC±10%,50Hz
输出电压:200VDC~5000VDC
输出电流:0~300mA
输出过压保护: 5100V~5500V, 保护方式:关闭输出
输出过流保护: 330mA~360mA, 保护方式:限流方式。
4) 饱和导通压降VCE(sat) :电流源:
输入电压:220VAC±10% ,50Hz
输出电流:0~5000A,持续时间:0~200ms
输出过流保护:5500A~6000A
5) 正向特性(二极管压降VF) :
6) 压接夹具及其配套系统
工作压力:15~130kN;分辨率0.1kN
上下极板不平行度小于20mm
上下极板平整度小于10mm
压力连续可调,施加压力平稳,无压力过冲现象
最大测试工作电压:5kV
夹具适配器:配备4套不同尺寸的适配器,测试相应规格尺寸的IGBT。如需特殊尺寸适配器,有特殊要求时也可定制。
7)加热装置
温度调节范围:室温~150°C,分辨率0.1°C
两块加热板,可分别独立控制温度,精度:±3°C
升温速度:(25-150°C):£5min
加热板不平行度小于20mm
加热板平整度小于10mm
加热板隔离电压:>5kV
加热板可承受最大压力:130kN
8) 主体尺寸:
1200mm´1960mm´ 825mm(宽´高´深),(加操作台后的深度为1130mm)
9) 重量:
<400 kg
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型号- DB240R-15.0,DB3ERC-10.16,DB910K-6.35,DB1EVHCM-3.5,DBT30RM-9.5,DB2ERK-5.08,DB2ERT-3.5,DB1ERHCM-3.5,DB1ERHC-3.5,DB2ERCF-5.08,DBT30S-11.0,DB2EKNRT-3.5,DB2EKDFG-5.0,DB3EVC-10.16,DB1EVC-3.5,DB2EKDM-7.5,DB105RA-7.5,DB128L-5.08,DB116-10.16,DB3EK-7.62,DB804-5.0,DBT40SM-10.0,DB246-7.5,DB2EGB-3.81,DBDB2EKDH-5.08,DB245H4-5.08,DBT40SM-9.5,DBT30S-7.62,DBT30H-10.0,DB2ERHM-5.08,DB2EBM-5.08,DB2EK-10.16,DB301R-5.0,DB2EKR-5.08,DB125A-3.5,DB125B-3.81,DB2EVT-3.81,DB332V-3.5,DB128B-5.0,DBT40HM-9.5,DB125-3.81,DB910-7.62,DB212RS-3.5,DB130A3-5.08,DBT50SG-9.5,DBT30C-9.5,DB2CRM-5.08,DBEURK-5.08,DB103-5.0,DB128A-5.08,DB2EKDG-5.0,DB2EKDRM-5.0,DBT30S-8.25,DB260W-3.81,DB2EKDG-7.62,DB129V-5.0,DB125H-3.5,DB2EVC-THT-5.08,DB1ERC-3.5,DB1ERHBM-3.81,DB128 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地博电气产品索引
型号- 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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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