【产品】Vincotech新一代中功率IGBT模块VINco E3，适用于650伏、1220伏和1700伏等电源应用
VINCOTECH全新推出中功率IGBT模块。VINcoE3IGBT模块采用了基于固体盖（SLC）技术的行业标准薄型封装，借助这一创新技术，工程师们便能设计出具有更高输出电流、更高功率密度和更高可靠性的中功率逆变器，以满足工业驱动、太阳能发电、不间断电源（UPS）设备等领域的应用需求。
整体封装或六单元配置的VINco DUAL E3适用于650伏、1220伏和1700伏等电源应用。
Vincotech VINcoE3 IGBT模块实物图
VINcoE3 采用了一项全新开发的封装技术，即固体盖技术（SLC）。这种新型的绝缘金属基板（IMB）由一层电绝缘树脂层与在树脂层上下侧压合直接键合型的铜层结合而成，可用于代替传统的基板焊接层和隔离层基板。
VINcoE3 IGBT模块这种产品结构具有以下几大优点：
·具有更出色的热循环能力；
·具有更低的热电阻效应；
·具有更高的功率密度和更低的漏电感损耗。
与硅胶相比，直接灌封树脂能够更加均匀地实现对机械应力的分布：
·显著地提升产品功率循环能力。
VINcoE3 IGBT模块的主要特点：
●行业标准封装：半桥式配置——62x152 [毫米^2]，六单元配置与PIM配置——62x122 [毫米^2]；
●由于采用了全新的固体盖（SLC）技术和绝缘金属基板（IMB）技术，模块因而具有更长的使用寿命；
- 具有匹配的CTE数值（绝缘金属基板、树脂和外壳），能有效地提升模块的热循环能力和功率循环能力；
- 基板不会出现明显的翘曲，从而可避免IGBT模块出现“抽出失效”故障。
●更高的功率密度
- 相同的芯片尺寸，具有更低的热电阻效应Rth（j-c）；
- 增加了上侧铜层的厚度，无尺寸限制，允许更大的芯片安装密度；
- 集成三菱7代芯片，可有效降低损耗。
●可根据客户要求其他的芯片技术，例如Trench IGBT4；
●采用压合引脚和相变材料，具有更为出色的可用性
- 带有针眼的压合引脚；
- 采用预应用相变材料，用以确保更为理想的热电阻效应Rth（c-s）。
●无需采用价格昂贵的基板元件，因而具有成本竞争优势VINco E3；
VINcoE3 IGBT模块型号概览：
新型的VINco E3 IGBT模块将率先发布1200伏的半桥式模块，随后将相继推出六单元配置和PIM配置的IGBT模块。
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