【产品】支持标准及双路SPI的4M串行闪存ZD25D40C,双I/O数据传输速度208Mbits/s
ZETTA近期推出的新产品ZD25D40C(4M位)串行闪存,其支持标准串行外设接口(SPI),且支持双SPI:包括芯片选择、串行时钟、I/O0(SI)、I/O1(SO)、WP#。且双I/O数据拥有208Mbits/s的传输速度。
产品特征
◆具有4M的位串行闪存
-512K字节
-每个可编程页面具有256字节
◆支持标准、双路SPI
-标准SPI包括SCLK、CS#、SI、SO、WP#
-双路SPI包括SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#
◆具有高速时钟频率
-时钟频率为104MHz,可在30PF负载下快速读取
-双路I/O数据传输速率高达208M位/s
◆可保护软件与硬件的写入
-通过软件写入保护所有/部分存储单元
-利用WP#引脚启用/禁用保护
-顶部/底部块保护
◆可进行至少100000个程序/擦除循环
◆数据保留
-数据保留时间典型值为20年
◆具备快的编程/擦除速度
-页面编程时间:1.1ms的典型值
-扇区擦除时间:2.6ms的典型值
-块擦除时间:2.6ms的典型值
-芯片擦除时间:5.2ms的典型值
◆架构灵活
-统一的4K字节扇区
-统一32/64K字节块
◆功耗低
-深度省电状态时典型值为0.65μA
-待机电流典型值为8μA
◆高级安全功能
-每个设备唯一的128位ID
-带OTP锁的3*512字节安全寄存器
-SFDP寄存器
◆单电源电压
-电压范围:2.7~3.6V
◆包装信息
-SOP8(150mil)
-SOP8(208mil)
-TSSOP8(173mil)
-WSON8(6*5mm)
ZD25D40C产品接线图
ZD25D40C产品框图
ZD25D40C产品订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由DX3906翻译自ZETTA,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】电源供电2.3V~3.6V的串行接口闪存设备ZD25Q80B,带OTP锁,深度掉电电流低至0.1μA
ZD25Q80B是ZETTA推出的一种串行接口闪存设备,用于多种高容量消费类应用,当中的程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中以便执行。设备的擦除架构很灵活,加上其页面擦除粒度,非常适合数据存储,无需额外的数据存储设备。
【产品】超低功耗的16M位串行多I/O闪存ZD25Q16B,工作电压范围2.7~3.6V
ZETTA推出新产品ZD25Q16B 串行多I/O闪存,该产品是一个超低功耗的16M 位串行多 I/O 闪存,数据保存期高达20年,每个可编程页面256字节,允许XIP操作,工作电压范围为2.7~3.6V,具有高可靠性、低功耗的特点。
【产品】ZETTA推出64兆串行闪存ZD25LQ64A,支持高达133MHz的SPI时钟频率
ZETTA推出产品ZD25LQ64A,该产品是一个64兆串行闪存,带有4KB统一扇区,支持高达133MHz的SPI时钟频率,数据保存期可达20年,内存可以一次编程1到256字节,具有高性能、低功耗的特点。
澜智(ZETTA)Flash选型表
澜智闪存产品Nand Flash、NOR Flash可供选型参考,Den:2Mb~64Gb,SPI、PPI、MLC、PPI、SLC等多种接口,多应用于手机,平板电脑,车载设备,监控,POS机,家电,M2M,数据卡,机顶盒等终端产品上。
产品型号
|
品类
|
Density(Mb、Gb)
|
Interface
|
Type
|
Voltage Range(V)
|
Package
|
Packaging
|
ZD35Q1GC-IBR
|
Nand Flash Memory
|
1Gb
|
SPI
|
Nand
|
2.7 -3.6V
|
WSON 6x8
|
Tape&Reel
|
选型表 - ZETTA 立即选型
澜智(ZETTA)闪存、DDR3(L)和电源管理芯片选型指南
型号- ZD24C64A-SSGMT,ZD25WQ80BOIGT,ZD25Q64BSIGT,ZDV4256M16A-14DPH,ZD24C1MA-SSGMB,ZDV4128M16A-13IPH,ZD35Q2GC-IBR,ZD8028IB5TR,ZDSD16GLGEAG,ZDV4256M16A-11IPH,ZD1117ILTR33,ZD25LQ64ASIGT,ZD24C08A-XGMT,ZD25WD20BNIGR,ZD24C256A-SSGMT,ZDV4256M16A-13DPH,ZDV4128M16A-14DPH,ZD25WQ80BTIGR,ZD24C16A-SSGMT,ZD25LQ64AWIGR,ZD24C32A-SSGMT,ZD25WD40BEIGR,ZDSD02GLGEAG,ZDV4256M16A-14IPH,ZD35Q1GC-IBR,ZDV4128M16A-13DPH,ZD25WQ80BUIGR,ZDSD04GLGEAG,ZDSD64GLGEAG,ZD25WD20BUIGR,ZDSD08GLGEAG,ZDV4128M16A-11IPH,ZD25LD40BNIGR,ZD25WQ16BTIGR,ZDSD01GLGEAG,ZD24C512A-SSGMT,ZD25LQ128AVIGR,ZDND1G08U3D-IA,ZDV4256M16A-13IPH,ZD24C64A-XGMT,ZDV4256M16A-11DPH,ZD1117ILTR18,ZDV4128M16A-14IPH,ZD25WD20BTIGR,ZD25Q64BWIGR,ZDV4128M16A-11DPH,ZD25D40BTIGR,ZD25WQ16BUIGR,ZDND2G08U3D-IA,ZD24C128A-XGMB,ZD25WD40BOIGT,ZD24C08A-SSGMT,ZD25LQ128AWIGT,ZD24C128A-SSGMT,ZD24C16A-XGMB,ZD25D40CEIGR,ZD1117ILTR50,ZDSD32GLGEAG
ZD25Q512 512M位串行多I/O闪存规格书
描述- 该资料详细介绍了ZD25Q512系列512M-bit串行多I/O闪存芯片的技术规格和应用。资料涵盖了产品特性、信号描述、内存组织、设备操作、操作特性、命令描述、电气特性、封装信息和订购信息等方面。
型号- ZD25Q512,ZD25XXXXXXXXX
Zetta存储器-EEPROM/NOR/NAND/DRAM
描述- 澜智集成电路(苏州)有限公司(Zetta)提供多种存储解决方案,包括SPI NOR Flash、SD-Nand和eMMC、I2C EEPROM以及DDR3L。其产品具备高性能、低功耗、高可靠性等特点,适用于工业、汽车、计算、消费电子、物联网、移动、网络和通信等多个领域。产品线涵盖不同电压、容量和封装类型,以满足不同应用需求。
型号- ZD24C512,ZD24C1M,ZDSD02G,ZDV4256M16A‐13DPH,ZDSD04G,ZD24C256,ZDV4256M16A‐11DPH,ZDSD64G,ZDSD32G,ZDSD256G,ZD24C64,ZD24C02,ZDEMDCM032G-84A8,ZDSD16G,ZD24C08,ZD25Q16C,ZDV4256M16A‐11IPH,ZDSD08G,ZDEMDCM016G-84A8,ZDV4256M16A‐13IPH,ZDV4128M16A‐13DPH,NB25Q40A,ZD25WQ80C,ZDV4128M16A‐13IPH,ZDV4128M16A‐11IPH,ZDV4128M16A‐11DPH,ZD24C128,ZDSD01G,ZD25WQ16C,ZD24C2M,ZDSD128G,ZD25Q128C,ZDV4256M16A‐14DPH,ZD24C32,ZD25WQ32C,ZD24C16,ZDV4256M16A‐14IPH,ZDEMDIW008G-84A8,ZD25Q80C,ZD25Q32C,ZD25Q64B,ZDV4128M16A‐14IPH,ZDEMMC04G,ZDEMDIW016G-95A8,ZDEMMC08G,ZD25WD20C,ZDEMDCM064G-95A8,ZDV4128M16A‐14DPH
ZD25WQ80C超低功耗、8M位串行多I/O闪存
描述- 该资料介绍了ZD25WQ80C型8M位串行多I/O闪存芯片的性能特点和操作方式。芯片支持宽电压范围供电、超低功耗、多种I/O模式(单IO、双IO、四IO)、高可靠性,并具备快速编程和擦除功能。此外,还详细说明了设备的工作模式、状态寄存器定义、数据保护机制、命令说明等内容。
型号- ZD25WQ80C,ZD25XXXXXXXXX,ZD25WQ80
ZD25Q256 256M位串行多I/O闪存数据表
描述- ZD25Q256是一款256M-bit串行多I/O闪存,支持标准、双倍、四倍SPI,具有高速度时钟频率、单电源电压、灵活的架构、低功耗等特点。该产品适用于多种应用领域,包括工业、商业等,具有高耐久性和数据保持性。
型号- ZD25XXXXXXXXX,ZD25Q256
ZD25WQ16C超低功耗、16M位串行多I/O闪存规格书
描述- 该资料介绍了ZD25WQ16C型16M位串行多I/O闪存芯片的性能特点和操作说明。它支持1.65V至3.6V的宽电压范围,具有超低功耗、高可靠性的特点,并提供多种数据传输模式和擦除速度选项。
型号- ZD25WQ16C,ZD25XXXXXXXX
ZD25Q16C超低功耗、16M位串行多I/O闪存规格书
描述- 该资料介绍了ZD25Q16C串行闪存芯片的技术规格和应用。它支持标准SPI接口,并具备双/四线SPI和QPI功能,适用于多种系统。具有宽电压范围(2.3V至3.6V)的低功耗读写、擦除操作,高可靠性(100K次循环耐久性和20年数据保持),以及快速编程和擦除速度。
型号- ZD25XXXXXXXX,ZD25Q16C
ZD25Q128C串行多I/O闪存规格书
描述- ZD25Q128C是一款128M比特的串行闪存,支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI和QPI。它具有宽电压供电范围、高可靠性、灵活的架构、快速编程和擦除速度以及高级安全特性。
型号- ZD25Q128C,ZD25XXXXXXXX
ZD25Q128 128M位串行多I/O闪存规格书
描述- ZD25Q128是一款128M比特串行多I/O闪存,支持标准SPI、双SPI和四SPI操作。它具有高性能、低功耗、软件/硬件写保护等特点,适用于各种嵌入式系统。
型号- ZD25Q128D,ZD25XXXXXXXXX,ZD25Q128
ZD25WD40B超低功耗、4M位串行多I/O闪存规格书
描述- 本资料介绍了ZD25WD40B串行多I/O闪存芯片的技术规格和应用。该芯片具有宽电压范围(1.65至3.6V)、超低功耗、支持单双I/O模式,适用于多种消费类应用,包括代码和数据存储。
型号- ZD25XXXXXXXX,ZD25WD40B
ZD25WD20B超低功耗、2M位串行多I/O闪存规格书
描述- 本资料介绍了ZD25WD20B串行多I/O闪存芯片的性能特点和规格。该芯片具有宽电压范围(1.65V至3.6V)、超低功耗、支持X1和X2多I/O模式,适用于多种高容量消费类应用。它具备快速读取速度、高效的编程和擦除能力,同时提供数据保护和安全功能。
型号- ZD25XXXXXXXX,ZD25WD20B
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论