【产品】-30V/-20A表贴DFN3.3X3.3封装的P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3
丽正国际P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3，VDS = -30V，ID = -20A，采用先进的Trench Technology技术，达到超低的RDS（ON）和低总栅极电荷，适合负荷开关或PWM控制应用。
极限参数：
漏极-源极电压为-30V,栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流为-20A和-14.1A（不同温度情况下），漏极脉冲电流为-80A，最大功率耗散为35W，典型热阻RθJC为3.57℃/W，工作结温和存储温度范围-55~+150℃。
其它电气参数：
输入电容为2130pF，输出电容为302pF，反向传输电容为227pF；
漏极-源极导通电阻典型值为 11.5mΩ@VGS=-10V 和 18mΩ@VGS=-4.5V；
导通延时时间典型值为12ns，导通上升时间典型值为10ns，关闭延时时间典型值为25ns，关闭下降时间为13ns；
主要特征：
VDS = -30V,ID = -20A
RDS(ON) < 25 mΩ@VGS = -4.5V；
RDS(ON) < 15 mΩ@VGS = -10V；
高功率和电流处理能力；
通过无铅产品认证；
表贴DFN3.3X3.3封装
应用领域：
PWM应用；
负荷开关；
功率管理；
无卤素
下图1为产品元件符号与和外形。
图1 元件符号与和外形
封装尺寸见下图3所示，建议设计时根据生产工艺适当调整尺寸，有助于提高生产效率和保证焊接质量。
图2 封装尺寸
采用卷带包装，信息如下：
产品丝印编码：20P30;
产品封装：DFN3.3X3.3;
产品代码：RM20P30D3;
卷带直径：330mm；
卷带宽度：12mm；
包装数量：2500 片
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