【产品】-30V/-20A表贴DFN3.3X3.3封装的P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3
丽正国际P沟道增强型功率MOSFET RM20P30D3,VDS = -30V,ID = -20A,采用先进的Trench Technology技术,达到超低的RDS(ON)和低总栅极电荷,适合负荷开关或PWM控制应用。
极限参数:
漏极-源极电压为-30V,栅极-源极电压为±20V,漏极连续电流为-20A和-14.1A(不同温度情况下),漏极脉冲电流为-80A,最大功率耗散为35W,典型热阻RθJC为3.57℃/W,工作结温和存储温度范围-55~+150℃。
其它电气参数:
输入电容为2130pF,输出电容为302pF,反向传输电容为227pF;
漏极-源极导通电阻典型值为 11.5mΩ@VGS=-10V 和 18mΩ@VGS=-4.5V;
导通延时时间典型值为12ns,导通上升时间典型值为10ns,关闭延时时间典型值为25ns,关闭下降时间为13ns;
主要特征:
VDS = -30V,ID = -20A
RDS(ON) < 25 mΩ@VGS = -4.5V;
RDS(ON) < 15 mΩ@VGS = -10V;
高功率和电流处理能力;
通过无铅产品认证;
表贴DFN3.3X3.3封装
应用领域:
PWM应用;
负荷开关;
功率管理;
无卤素
下图1为产品元件符号与和外形。
图1 元件符号与和外形
封装尺寸见下图3所示,建议设计时根据生产工艺适当调整尺寸,有助于提高生产效率和保证焊接质量。
图2 封装尺寸
采用卷带包装,信息如下:
产品丝印编码:20P30;
产品封装:DFN3.3X3.3;
产品代码:RM20P30D3;
卷带直径:330mm;
卷带宽度:12mm;
包装数量:2500 片
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