【产品】具亚纳秒开关速度氮化镓晶体管并适用于10 MHz频率以上硬开关应用的开发板
EPC公司推出采用半桥式拓扑并配备一个板载栅极驱动器的开发板,可简化对超高频、高性能的EPC8000氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)系列进行评估。
EPC公司推出全新半桥式开发板系列(型号由EPC9022 至 EPC9030),可简化对超高频氮化镓(eGaN)功率晶体管EPC8000产品系列进行评估。
由于 EPC8000系列 的高频氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在亚纳秒范围内开关,因此适用于10 MHz频率以上的硬开关应用,使得功率及射频晶体管的分界线变得模糊!我们设计它们工作在10 MHz频率下。即使在10 MHz以上时,这些产品也具有非常高的小信号射频性能,並且在低吉赫茲频率范围內具有高增益,使得這些器件成为射频应用中极具竞争力的一個选择。对于需要具极速开关性能的功率晶体管的应用如无线电源、采用65 V及100 V器件的包络跟踪等应用,它们是理想器件。
EPC8000 系列高频氮化镓场效应晶体管的产品包括具有125 mΩ至530 mΩ阻抗值及40 V、65 V及100 V阻隔电压能力可供选择。
为了简化对高频、高性能的氮化镓场效应晶体管进行评估,宜普公司为这个全新产品系列内的每一个器件提供开发板。每块开发板是块2英寸x1.5英寸单板,内含两个氮化镓场效应晶体管,使用半桥式配置,最低开关频率为500 KHz。板上集成了所有关键元件以实现最高频开关性能。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单波形及计算效率。
EPC8000高频氮化镓场效应晶体管系列的规范及相关的半桥式开发板
EPC8000高频氮化镓场效应晶体管具体型号包含:EPC8004,EPC8007,EPC8008,EPC8009,EPC8002,EPC8003,EPC8005,EPC8010
半桥式开发板具体型号包括:
EPC9022,EPC9023,EPC9024,EPC9025,EPC9026,EPC9027,EPC9028,EPC9029,EPC9030
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本文由扑通扑通转载自EPC,原文标题为:宜普电源转换公司(EPC)推出采用具亚纳秒范围内开关速度的氮化镓晶体管并适用於10 MHz頻率以上硬開關應用的开发板,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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EPC半桥Demo选型表
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产品型号
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品类
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Description
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VDS max(V)
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ID(max RMS)(A)
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Featured Product
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EPC9086
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开发板
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Half Bridge Plus Driver
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30
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15
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EPC2111
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选型表 - EPC 立即选型
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
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