【产品】具亚纳秒开关速度氮化镓晶体管并适用于10 MHz频率以上硬开关应用的开发板

2018-08-03 EPC
高频氮化镓场效应晶体管,半桥式开发板,EPC9022,EPC9030 高频氮化镓场效应晶体管,半桥式开发板,EPC9022,EPC9030 高频氮化镓场效应晶体管,半桥式开发板,EPC9022,EPC9030 高频氮化镓场效应晶体管,半桥式开发板,EPC9022,EPC9030

EPC公司推出采用半桥式拓扑并配备一个板载栅极驱动器的开发板,可简化对超高频、高性能的EPC8000氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)系列进行评估。


EPC公司推出全新半桥式开发板系列(型号由EPC9022EPC9030),可简化对超高频氮化镓(eGaN)功率晶体管EPC8000产品系列进行评估。


由于 EPC8000系列 的高频氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在亚纳秒范围内开关,因此适用于10 MHz频率以上的硬开关应用,使得功率及射频晶体管的分界线变得模糊!我们设计它们工作在10 MHz频率下。即使在10 MHz以上时,这些产品也具有非常高的小信号射频性能,並且在低吉赫茲频率范围內具有高增益,使得這些器件成为射频应用中极具竞争力的一個选择。对于需要具极速开关性能的功率晶体管的应用如无线电源、采用65 V及100 V器件的包络跟踪等应用,它们是理想器件。


EPC8000 系列高频氮化镓场效应晶体管的产品包括具有125 mΩ至530 mΩ阻抗值及40 V、65 V及100 V阻隔电压能力可供选择。


为了简化对高频、高性能的氮化镓场效应晶体管进行评估,宜普公司为这个全新产品系列内的每一个器件提供开发板。每块开发板是块2英寸x1.5英寸单板,内含两个氮化镓场效应晶体管,使用半桥式配置,最低开关频率为500 KHz。板上集成了所有关键元件以实现最高频开关性能。此外,电路板上还备有多个探测点,以便测量简单波形及计算效率。


EPC8000高频氮化镓场效应晶体管系列的规范及相关的半桥式开发板



EPC8000高频氮化镓场效应晶体管具体型号包含:EPC8004,EPC8007,EPC8008,EPC8009,EPC8002,EPC8003,EPC8005,EPC8010


半桥式开发板具体型号包括:

EPC9022,EPC9023,EPC9024,EPC9025,EPC9026,EPC9027,EPC9028,EPC9029,EPC9030

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本文由扑通扑通转载自EPC,原文标题为:宜普电源转换公司(EPC)推出采用具亚纳秒范围内开关速度的氮化镓晶体管并适用於10 MHz頻率以上硬開關應用的开发板,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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  • wenqing Lv5. 技术专家 2018-11-12
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