【选型】碳化硅场效应管P3M06040K3用于汽车单体DC-DC项目，漏极平均电流值高达68A

时间： 2023-06-10 来源：世强

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汽车单体DC-DC项目中，为了实现逆变时的软开关故一般采用移相全桥拓扑，移相全桥结构可实现零电压开关（ZVS）所以可减小功率开关管的开关应力降低开关时的功率损耗，移相全桥拓扑中将至少使用4颗功率开关管如IGBT或者SIC MOSFET。针对此类需求，推荐使用派恩杰的碳化硅场效应管 P3M06040K3，其具有导通内阻小，漏极过流能力强的特点。

图1. P3M06040K3在典型移相全桥拓扑的应用

由上图可知，移相全桥拓扑中逆变部分的功率开关管可由SIC MOSFET M1,M2,M3,M4组成，通过改变全桥中对角开关管的开关间隔相位角来实现ZVS以及改变输出电压值，P3M06040K3漏源耐压值高达650V，非常适合此类输入电压高达400V的大功率DC-DC变换器。

表1. P3M06040K3的性能参数

由上表可知，碳化硅场效应管P3M06040K3漏极平均电流高达68A，较高的漏极电流值能带来更大功率转换容量；漏极漏电流最大值低至500μA，较低的漏极漏电流能有效降低开关损耗，有利于实现高效率设计；-55℃至175℃的工作温度范围满足汽车设计要求。

图2. P3M06040K3的封装尺寸

综上所述，碳化硅场效应管P3M06040K3作为功率开关用于汽车单体DC-DC项目中时在实现高效率以及大功率密度方面具有一定的优势。

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