【产品】采用电流模式的正弦波逆变器芯片，可实现空载波形失真率小于1.5%、满载波形失真率小于3%

时间： 2021-08-01 来源：屹晶微电子

技术问答

屹晶微电子的EG8025是一款采用电流模式、中心对齐PWM调制方式和内置两路600V半桥高压MOS驱动器等一体的数模结合芯片,专用于逆变器产品。

该芯片采用CMOS工艺，内部的主要模块为SPWM正弦发生器、死区时间控制电路、多路反馈及保护处理电路、UART串口通讯模块等功能。

该芯片采用LQFP80封装，只需少量的外围器件，即可实现空载波形失真率小于1.5%、满载波形失真率小于3%和高精度输出电压的特性，能满足逆变器行业的波形要求。

集成了两路600V半桥高压MOS驱动器，驱动器的输出电流能力为+/-2A，内置四路独立的逐周PWM关断保护，可有效防止在极端情况下过高的峰值电流而损坏MOS的情况。另外提供了两路SD，分别为SD1，和SD2，SD1是驱动器1 HO1和LO1的逐周关断引脚，SD2是驱动器2 HO2和LO2的逐周关断引脚，结合MCU和SD功能可实现逆变器的短路保护功能。

EG8025内置了完善的各项保护功能，提供了直流母线过压和欠压保护、交流输出欠压保护、过载报警提示、过载保护指示、过流保护指示、过温保护指示及短路保护指示等。

EG8025内置了UART串口通讯功能,用户通过串口可设配置参数，及复位功能等,也可以通过串口读出逆变器运行的状态及相关数据。

EG8025支持组三相逆变器功能，通过交流过零信号输出及同步相位信号输入，经光耦隔离电路传输后，采用串行级联方式，可组成一台相位差120度的三相逆变器。

EG8025芯片特点

·采用电流模式、中心对齐 PWM调制方式，能带感性和容性负载

·SPWM 载波频率20KHz，适合大功率MOS管和IGBT管的应用

· 集成了两路 600V半桥高压MOS管驱动器，驱动能力为±2A

· 集成四路独立的 MOS管峰值电流保护电路及内置四路200mV基准源的比较器供用户设定保护值

· 集成了四路高速运放及一路高速比较器，两路运放用于交流电流放大器，一路运放用于交流输出电压反馈，一路运放用于短路保护和一路比较器用于限流保护

· 输出电压和输出电流是每个 PWM周期实时处理，能实现精确跟踪

·集成同步过零信号输出及可设置的 0度/120度相位跟踪，通过级联方式实现组三相逆变器功能

·支持多机应用

·引脚可配置功能：

（1）H 桥左、右桥臂互换控制

（2）4 种死区时间可选配置: 300nS、500nS、1uS、1.5uS

（3）2 种固定正弦波频率可选配置：50Hz、60Hz

（4）软启动开启和关闭

·逆变器保护功能：

（1）直流母线电压过压和欠压保护

（2）输出过载保护

（3）输出过流保护

（4）PCB 过温保护和IGBT过温保护

（5）输出短路保护

·串口通讯可设置参数：

（1）50Hz 纯正弦波固定频率

（2）60Hz 纯正弦波固定频率

（3）交流输出电压

（4）温度保护值

（5）额定功率保护值

（6）额定电流保护值

（7）故障复位

·串口通讯可读参数：

（1）交流输出电压

（2）交流输出频率

（3）交流输出功率

（4）交流输出电流

（5）直流母线电压

（6）故障代码

EG8025芯片LQFP80封装

EG8025芯片在逆变系统中的位置

基于EG8025的逆变驱动板原理图

驱动板上除了主芯片外，没有其它芯片了。

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