【产品】采用电流模式的正弦波逆变器芯片,可实现空载波形失真率小于1.5%、满载波形失真率小于3%

2021-08-01 屹晶微电子
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屹晶微电子EG8025是一款采用电流模式、中心对齐PWM调制方式和内置两路600V半桥高压MOS驱动器等一体的数模结合芯片,专用于逆变器产品。


该芯片采用CMOS工艺,内部的主要模块为SPWM正弦发生器、死区时间控制电路、多路反馈及保护处理电路、UART串口通讯模块等功能。


该芯片采用LQFP80封装,只需少量的外围器件,即可实现空载波形失真率小于1.5%、满载波形失真率小于3%和高精度输出电压的特性,能满足逆变器行业的波形要求。


集成了两路600V半桥高压MOS驱动器,驱动器的输出电流能力为+/-2A,内置四路独立的逐周PWM关断保护,可有效防止在极端情况下过高的峰值电流而损坏MOS的情况。另外提供了两路SD,分别为SD1,和SD2,SD1是驱动器1 HO1和LO1的逐周关断引脚,SD2是驱动器2 HO2和LO2的逐周关断引脚,结合MCU和SD功能可实现逆变器的短路保护功能。


EG8025内置了完善的各项保护功能,提供了直流母线过压和欠压保护、交流输出欠压保护、过载报警提示、过载保护指示、过流保护指示、过温保护指示及短路保护指示等。


EG8025内置了UART串口通讯功能,用户通过串口可设配置参数,及复位功能等,也可以通过串口读出逆变器运行的状态及相关数据。


EG8025支持组三相逆变器功能,通过交流过零信号输出及同步相位信号输入,经光耦隔离电路传输后,采用串行级联方式,可组成一台相位差120度的三相逆变器。


EG8025芯片特点

·采用电流模式、中心对齐 PWM调制方式,能带感性和容性负载

·SPWM 载波频率20KHz,适合大功率MOS管和IGBT管的应用

· 集成了两路 600V半桥高压MOS管驱动器,驱动能力为±2A

· 集成四路独立的 MOS管峰值电流保护电路及内置四路200mV基准源的比较器供用户设定保护值

· 集成了四路高速运放及一路高速比较器,两路运放用于交流电流放大器,一路运放用于交流输出电压反馈,一路运放用于短路保护和一路比较器用于限流保护

· 输出电压和输出电流是每个 PWM周期实时处理,能实现精确跟踪

·集成同步过零信号输出及可设置的 0度/120度相位跟踪,通过级联方式实现组三相逆变器功能

·支持多机应用

·引脚可配置功能:

(1)H 桥左、右桥臂互换控制

(2)4 种死区时间可选配置: 300nS、500nS、1uS、1.5uS

(3)2 种固定正弦波频率可选配置:50Hz、60Hz

(4)软启动开启和关闭

·逆变器保护功能:

(1)直流母线电压过压和欠压保护 

(2)输出过载保护 

(3)输出过流保护 

(4)PCB 过温保护和IGBT过温保护 

(5)输出短路保护

·串口通讯可设置参数:

(1)50Hz 纯正弦波固定频率

(2)60Hz 纯正弦波固定频率

(3)交流输出电压

(4)温度保护值

(5)额定功率保护值

(6)额定电流保护值

(7)故障复位

·串口通讯可读参数:

(1)交流输出电压

(2)交流输出频率

(3)交流输出功率

(4)交流输出电流

(5)直流母线电压

(6)故障代码


EG8025芯片LQFP80封装



EG8025芯片在逆变系统中的位置



基于EG8025的逆变驱动板原理图

驱动板上除了主芯片外,没有其它芯片了。


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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