中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）
无锡新洁能股份有限公司成立于2013年1月，注册资本为19,994万元，拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体三家全资子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共330余人，其中研发人员80余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域；未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展，公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。
产品亮点：
车规级功率器件（20V~1200V）：包含N型MOSFET、P型MOSFET、双通道MOSFET、IGBT等，具备超低的导通电阻、优异的开关特性，且均通过了IATF16949和ISO9001认证，符合AECQ101标准。 广泛应用于车身域控、动力电池管理、DC/DC、动力总成、辅助驾驶、车载照明等系统中。
功率MOSFET：包含屏蔽栅沟槽型MOSFET（VDSS：30~250V）、沟槽型功率MOSFET（VDSS：12~200V）、高压超结MOSFET（VDSS：200-1050V），通过采用先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，实现大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，新洁能为设计师们提供低开关损耗的系列产品，使其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。
IGBT单管（600V~1350V）：通过注入增强（Injection Enhance, IE）与场截止（Field Stop，FS）技术，获得了先进的导通压降（Vce），并且在导通损耗与关断损耗（Eoff）之间做出了良好权衡。出色的导通压降与极短的拖尾电流为设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。此外，该产品封装齐全，还具备良好的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。广泛应用于光伏逆变器、变频器、不间断UPS电源、电动工具、电磁加热、工业缝纫、电焊机以及所有的硬开关。
IGBT功率模块（650V~1700V）：以先进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，该系列包括650V、750V、1200V和1700V系列产品，并搭载了不同系列的IGBT芯片，以保证产品工作效率良好；同时，可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。广泛应用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。
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