【产品】200V/51A N沟道功率MOSFET RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7
RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7是丽正国际推出的三款N沟道功率MOSFET，分别采用TO-263、TO-220和TO-247封装，导通电阻RDS(ON)典型值均为28 mΩ。
在Tj=25°C时，RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7可以承受的漏源电压最大额定值为200V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为51A（TC=25°C），漏极脉冲电流最大额定值为150A，最大耗散功率为214W（TC=25°C），单脉冲雪崩能量最大额定值为180mJ（TC=25°C），工作结温和储存温度范围为-55~175℃。结壳热阻典型值为0.7℃/W，结至环境热阻典型值为60℃/W。
产品特性
· 高速功率开关
· 增强的体二极管dv/dt性能
· 经过100％UIS测试
· 增强的雪崩耐量
· 无铅电镀
应用领域
· SMPS中的同步整流
· 硬开关和高频电路
· 电动工具
· UPS
· 电机控制
· 无卤素
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静待花开 Lv7. 资深专家 2019-11-21学习了 -
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风中羽翼11 Lv6. 高级专家 2019-11-21学习了 -
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蓝色影魅 Lv7. 资深专家 2019-11-21作氮化镓管子的漏极电压控制芯片应该可以
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
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