【产品】200V/51A N沟道功率MOSFET RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7

时间： 2019-11-20 来源：丽正国际

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N沟道功率MOSFET,RM50N200HD,RM50N200T2,RM50N200T7

RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7是丽正国际推出的三款N沟道功率MOSFET，分别采用TO-263、TO-220和TO-247封装，导通电阻R_DS(ON)典型值均为28 mΩ。

在T_j=25°C时，RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7可以承受的漏源电压最大额定值为200V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为51A（T_C=25°C），漏极脉冲电流最大额定值为150A，最大耗散功率为214W（T_C=25°C），单脉冲雪崩能量最大额定值为180mJ（T_C=25°C），工作结温和储存温度范围为-55~175℃。结壳热阻典型值为0.7℃/W，结至环境热阻典型值为60℃/W。

产品特性

· 高速功率开关

· 增强的体二极管dv/dt性能

· 经过100％UIS测试

· 增强的雪崩耐量

· 无铅电镀

应用领域

· SMPS中的同步整流

· 硬开关和高频电路

· 电动工具

· UPS

· 电机控制

· 无卤素

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静待花开 Lv7. 资深专家 2019-11-21

学习了
风中羽翼11 Lv6. 高级专家 2019-11-21

学习了
蓝色影魅 Lv7. 资深专家 2019-11-21

作氮化镓管子的漏极电压控制芯片应该可以

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