龙夏电子推出耐压100V的MOS LR025N10SS10,导通电阻2.1mr,具有大电流下温升低、抗冲击能力强等优势

2023-10-25 龙夏电子
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随着TOLL封装的出现,弥补了传统TO系列封装打线数量的限制,更加极限的发挥出大芯片的性能优势,相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻,同时提升了产品电流能力。龙夏电子推出MOS LR025N10SS10耐压100V,导通电阻2.1mr,BMS应用6对LR025N10SS10 MOS可过120A持续电流。


特点:

◾SGT工艺

◾低导通电阻


优势:

◾大电流下温升低

◾抗冲击能力强


应用领域:BMS


温升测试:6对MOS 120A持续电流下温度约76℃


短路测试:6对MOS 20串100AH 磷酸铁锂电芯短路测试OK

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品    发布时间 : 2024-06-26

合科泰NMOS管HKTQ60N02凭借强大特性和低功耗,广泛用于电机驱动和BMS、便携式设备负载开关等

合科泰电子生产的NMOS管HKTQ60N02具有很好的电气性能,其能承受的最大漏源电压达20V,栅源电压2.5V,连续漏极电流50A,漏源导通电阻0.0075欧,最小栅极阈值电压0.5V,最大栅极阈值电压1V,耗散功率83mW。重量约0.012克,非常轻薄便捷。它作为一款低压MOS产品,具有强大特性和低功耗,适用于物联网设备、小信号驱动和通讯领域等。

技术探讨    发布时间 : 2024-09-16

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