一文介绍封装工艺


本文龙夏电子介绍封装工艺,封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。
一、背部研磨
封装厂从晶圆厂那里得到的晶圆还是比较厚的,因为晶圆太薄的话易碎。封装厂需要把晶圆研磨到合适的厚度;
二、划片、拾取和放置
划片:切割得到裸片,通过划片,把一块晶圆切割成数百个芯片裸片,这时候切割出来的芯片会附着在一层胶带上。
拾取:逐个移除附着在切割胶带上数百个芯片的过程称为“拾取”。使用柱塞从晶圆上拾取合格芯片并将其放置在封装基板表面的过程称为“放置”。这两项任务合称为“拾取与放置”,均在固晶机(用于芯片键合的装置)上完成。
完成划片工艺之后,芯片将被分割成独立模块并轻轻附着在切割胶带(Dicing Tape)上。通过顶出装置(用于从切割胶带下方顶起芯片的顶针)对目标芯片施加物理力,使其与其他芯片形成轻微步差,从而轻松拾取芯片。顶出芯片底部之后,可使用带有柱塞的真空吸拾器从上方拉出芯片。
三、键合
“键合”是指将晶圆芯片固定于基板上。
就像发动机用于为汽车提供动力一样,芯片键合技术通过将半导体芯片附着到引线框架(Lead Frame)或印刷电路板(PCB, Printed Circuit Board)上,来实现芯片与外部之间的电连接。
传统方法采用芯片键合(Die Bonding)(或芯片贴装(Die Attach))和引线键合(Wire Bonding),而先进方法则采用IBM于60年代后期开发的倒装芯片键合(Flip Chip Bonding)技术。倒装芯片键合技术将芯片键合与引线键合相结合,并通过在芯片焊盘上形成凸块(Bump)的方式将芯片和基板连接起来。
芯片键合步骤图:
具体示意图:
四、塑封
将键合完成的引线框架放在模具中,通过环氧树脂等材料对芯片完成塑封。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Lonely转载自龙夏电子,原文标题为:封装工艺介绍,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【技术】5步学习芯片是如何制造的?
芯片是如何制造的?本文芯感智将深入探寻芯片的奥秘。想要制造芯片这样高精密度的东西,一个也是最难的一个环节,就是设计电路图。明确该芯片的需求目的,制定规格,在电脑中完成细节设计。
【技术】芯片为什么要解密以及解密芯片的方法
芯片解密服务也叫IC解密,单片机解密,剖析竞赛激烈商场里的先进芯片,并对其片内结构进行解密研究,产学研在这里找到了全新的结合点。芯片解密常有办法:瑞纳捷半导体有限公司芯片解密事务更直接的说能够说成是芯片程序提取和剖析。
【产品】采用TOLL封装的MOS LR028N10SM10更极限地发挥出芯片的性能优势,导通电阻低至2.35mr
随着TOLL封装的出现,弥补了传统TO系列封装打线数量的限制,更加极限的发挥出大芯片的性能优势,相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻,同时提升了产品电流能力。LR028N10SM10耐压100V,导通电阻Ron2.35mr.。
全球有多少座8英寸碳化硅厂?
8英寸碳化硅时代的脚步已无比临近,本文将对全球碳化硅芯片厂以及我国碳化硅产业链企业进行盘点,进一步廓清碳化硅产业未来发展趋势。
【产品】龙夏电子推出MOS LR013N10SM10,采用低导通电阻,耐压达100V
随着TOLL封装的出现,弥补了传统TO系列封装打线数量的限制,更加极限的发挥出大芯片的性能优势,相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻,同时提升了产品电流能力。福建龙夏电子LR013N10SM10耐压100V。
【经验】以SGT LR018N10S10为例,说明如何降低导通电阻和寄生电容?
为了提高电源系统效率,降低导通损耗,使用低导通电阻沟槽结构功率MOSFET管,内部芯片面积就会增加;芯片面积增加,栅极和漏极面积都会增大,寄生电容Crss、输入电容Ciss和输出电容Coss都会增大,在高频工作时候,功率MOSFET管开关损耗、驱动损耗都会急剧增加。
中国MOSFET市场研究报告2022
本文章主要介绍了芯谋电子对于中国2022年MOSFET市场研究报告,分别不同产品针对市场占比,产品应用,产品类型和目前痛点与发展建议进行了分析
龙夏电子MOSFET LR016N10SM10耐压达100V,采用SGT工艺,大电流下温升低
随着TOLL封装的出现,弥补了传统TO系列封装打线数量的限制,更加极限的发挥出大芯片的性能优势,相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻,同时提升了产品电流能力。MOSFET LR016N10SM10耐压100V,导通电阻Ron 1.4mr。
中国发展功率半导体,动了谁的蛋糕?
中国功率半导体的火从2020年开始烧起,在全球芯片短缺的需求缺口和中国扩大功率半导体产能的政策双重助力下,中国功率半导体的发展已经初见成效。这把功率半导体的火,是否还将越来越旺?
中国功率半导体的进击之路
芯片供应链紧张引发汽车厂商焦虑,推动国产替代浪潮,功率半导体在新能源车中关键作用凸显。华润微作为国内功率半导体IDM大厂,在技术和产能上取得进步,积极布局车规半导体和第三代半导体材料。公司通过IDM模式整合资源,降低成本,提高产品竞争力,为国产功率半导体发展做出贡献。
龙夏电子推出耐压100V的MOS LR025N10SS10,导通电阻2.1mr,具有大电流下温升低、抗冲击能力强等优势
随着TOLL封装的出现,弥补了传统TO系列封装打线数量的限制,更加极限的发挥出大芯片的性能优势,相同芯片对应成品封出成品更低的导通电阻,同时提升了产品电流能力。龙夏电子推出MOS LR025N10SS10耐压100V,导通电阻2.1mr。
新能源汽车走俏,上海国产功率半导体产线加速扩产
由于海外厂商布局更早,中国车规级半导体总体国产化率目前仍低于10%。但在一众国产厂商的努力之下,功率半导体已经成为车规级芯片行业国产化程度最高的细分领域。在全球最活跃的新能源汽车市场,国产车规级半导体厂商正在迎来新的增长期。
龙夏电子MOSFET选型表
龙夏电子提供以下参数的MOSFET:Polarity:N,N+P;Configuration:Single,Dual;Package:TO-252、TO-220F、TO-263、TO-247等多种封装;VDS(V):20V~800V;VGS(±V):12V~30V;ID(A)@25°C:4A~372A;RDS(ON)(mΩ)TYP@10V:0.37mΩ~780mΩ;EAS(mj):13mj~7482.25mj;Rg(Ω):0.37Ω~20Ω;Ciss(pF):6pF~16974pF;Coss(pF):41pF~4863pF;Crss(pF):2pF~723pF
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
Configuration
|
Package
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)@25°C
|
EAS(mj)
|
LR038N02T9
|
MOSFET
|
N
|
Single
|
PDFN3*3
|
20V
|
12V
|
80A
|
182.25mj
|
选型表 - 龙夏电子 立即选型
龙夏电子(Long-Tek)中低压MOSFET和TMBS(沟槽肖特基二极管)选型指南
公司简介 技术路线和应用领域介绍 MOSFET/TMBS 产品技术介绍 MOSFET/TMBS 产品列表 品质管理和测试设备介绍
龙夏电子 - MOSFET,沟槽型肖特基二极管,中低压 TMBS,SGT MOSFET晶圆,TRENCH MOSFET 晶圆,BMS大电流SGT MOS,光伏组件接线盒大电流LOW VF沟槽SBD,中低压SGT MOS晶圆,沟槽SBD,沟槽型功率MOSFET,SGT MOSFET 晶圆,中低压TMBS,中低压 SGT MOS 晶圆,SBD,TRENCH MOSFET,TMBS晶圆,晶圆,SGT MOSFET,中低压SGT MOS,TMBS 晶圆,莫斯中士,中低压MOSFET,沟槽MOS管,TRENCH MOSFET晶圆,TMBS,SGT MOS,中低压 MOSFET,绝缘栅场效应管,TRENCH MOS,中低压先进功率器件,屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,沟槽式MOS,LD40N45SMS9,LR012N04T10,LR037N10S10,D10N45IG,D14N45I,LD10N4512,M17N80S,D13E45SEG,LR055N95S3,D161N45P,D16E45SEG,D10N45IU,LD40N45I2,D26E45SEG,D100N45P,LR030N10S3,LR046N08SA2,LR025N04T3,M10N100SC,LR049N08SA4,M26N100S,LR049N08SA3,LR016N08S10,LR053N95S3,M28N90S,D10N45I,LR022N08S3,D74N100T,M56N40T,LR023N04T2,M36N100,LR027N10S2,M26N95SA,LR038N10S2,LD50N45SOS9,LD20N45SHS6,LR012N04S10,LD40N45SNS9,LR040N10S3,LD35N45SMS6,LR032N08S10,D45N100T,D13N45IA,LR037N10S0,LR022N04T8,D324N45P,LD50N45SLD9,LD40N45SKD2,LR020N08S0,D13N45IU,LR022N10S10,M21N95SA,LR078N10S4,LD20N45SHS2,LD20N45SHS3,LR020N08S2,LR020N08S1,LR052N09S2,M17N100SF,LR055N09S3,D16E45SE,D23N45IU,D19E45SEG,LR038N08S1,D19E45SE,LR038N08S2,LR038N08SA10,LD25N45SHD9,LR032N08S1,LR035N08S3,LR032N08S0,LR018N10S10,LR067N08S8,LR032N08S2,LD30N100T3,LR067N08S4,M17N100S,LR074N09S4,LR020N08S10,D13E45SD,D23N45IM,LR051N95S2,M21N80SA,M36N95S,D23N45IL,LR072N10SL4,LD45N45SOS6,D36N68TG,LD30N45SLS9,M31N80SA,D50N100S,LR052N10S2,LD50N45SKD9,LR022N10S0,LR046N08SA10,LR063N08S2,TSR40L100CTF,LR072N09S8,LR072N09S3,D23N45I,D14N45IU,LR020N04T10,LR015N04T0,LR020N04T0,M26N40S,M31N95SA,M28N95S,M36N68TN,LD20N100T3,LD30N45SKS6,D37N100T,LD30N45SKS2,LD30N45SKS3,LD30N45SKS9,LR055N10S3,LR041N08SA3,D11N45S,LR049W08S1,LD25N45SJS6,LR032N10S10,LR065N08S3,M36N80S,LD25N45SJS2,LR052N95S8,M10N80S,M26N80SA,LR069N09S2,LR045N10S1,D250N45P,LR045N10S3,D27N100T,LR042N10S2,D11N45SU,D13N45I,LM120N08S1,LD10N100T2,LD10N100T3,按摩器材,太阳能组件接线盒,同步整流 PD 快充,BMS锂电保护板,同步整流PD快充,BMS 锂电保护板,电动自行车,动力锂电池,平衡车,电动工具,E-BIKE,电动车,移动智能终端,锂电动力行业,电源,消费类电子设备
电子商城
现货市场
服务

Ignion可支持多协议、宽频段的物联网天线方案设计,协议:Wi-Fi、Bluetooth、UWB、Lora、Zigbee、2G、3G、4G、5G、CBRS、GNSS、GSM、LTE-M、NB-IoT等,频段范围:400MHz~10600MHz。
最小起订量: 2500 提交需求>

提供语音芯片、MP3芯片、录音芯片、音频蓝牙芯片等IC定制,语音时长:40秒~3小时(外挂flash),可以外挂TF卡或U盘扩容。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论