【产品】-30V/-3.1A P沟道增强型功率MOSFET RM2309，采用SOT-23封装
丽正国际推出的RM2309是一款P沟道增强型功率MOSFET，使用先进的沟槽技术可以提供出色的漏源导通电阻RDS（ON），该器件适合用作负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM2309漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-3.1A，工作时结温和储存温度范围为-55 ~150℃，结到环境的热阻为125℃/W。RM2309采用SOT-23封装，其产品图如图1所示。
图1 RM2309产品图
RM2309产品特性
·VDS =-30V,ID =-3.1A
RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=-10V
RDS(ON) <150mΩ @ VGS=-4.5V
·高功率和大电流处理能力
·无铅产品
·表面贴装
·无卤素
·P / N后缀V表示符合AEC-Q101认证，例如：RM2309V
RM2309应用领域
·PWM应用
·负载开关
·电源管理
RM2309订购信息
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