【元件】 高特推出DFN0603封装高压超低容系列静电防护器件，涵盖12V、15V、24V工作电压段
随着集成电路内单位几何加工尺寸（线宽）的持续缩小，集成程度不断提高，一片手机主芯片可集成高达几十亿甚至上百亿个晶体管，加工尺寸越小的集成电路越对ESD敏感，越容易受到ESD损害，再加上高集成度电子产品日益增长的需求，ESD防护已成为电子系统的基本需求。
目前常用的超低容静电防护器件的工作电压多为3.3V和5V，然而像射频天线（RF）、近距离无线通信（NFC）等应用场景则存在较高的工作电压，加上其通信频率越来越高，故高压超低容静电防护器件应运而生。
高特就此推出12V、15V、24V等三个工作电压段，DFN1006和DFN0603两种封装外形的高压超低容系列静电防护器件。
本文将重点介绍高特12V、15V、24V等三个工作电压段，DFN0603封装外形的高压超低容系列静电防护器件。
产品介绍
（1）GESD12D6BU
●IEC61000-4-2：±15（接触），±20kV（空气）
●超微小型封装：DFN06030.6*0.3*0.3（mm）
●工作电压：双向12V
●超低容值：0.25pF（典型值）
●低箝位电压
●低反向漏电电流
●符合RoHS，HF，REACH标准
（2）GESD12D6L
●IEC61000-4-2：±15（接触），±20kV（空气）
●超微小型封装：DFN06030.6*0.3*0.3（mm）
●工作电压：单向12V
●超低容值：0.45pF（典型值）
●低箝位电压
●低反向漏电电流
●符合RoHS，HF，REACH标准
（3）GESD15D6BU
●IEC61000-4-2：±15（接触），±20kV（空气）
●超微小型封装：DFN06030.6*0.6*0.5（mm）
●工作电压：双向15V
●超低容值：0.25pF（典型值）
●低箝位电压
●低反向漏电电流
●符合RoHS，HF，REACH标准
（4）GESD15D6L
●IEC61000-4-2：±15（接触），±20kV（空气）
●超微小型封装：DFN10061.0*0.6*0.5（mm）
●工作电压：单向15V
●超低容值：0.45pF（典型值）
●低箝位电压
●低反向漏电电流
●符合RoHS，HF，REACH标准
（5）GESD24D6BU
●IEC61000-4-2：±15（接触），±20kV（空气）
●超微小型封装：DFN10061.0*0.6*0.5（mm）
●工作电压：双向24V
●超低容值：0.3pF（典型值）
●低箝位电压
●低反向漏电电流
●符合RoHS，HF，REACH标准
（6）GESD24D6L
●IEC61000-4-2：±15（接触），±20kV（空气）
●超微小型封装：DFN10061.0*0.6*0.5（mm）
●工作电压：单向24V
●超低容值：0.45pF（典型值）
●低箝位电压
●低反向漏电电流
●符合RoHS，HF，REACH标准
高特技术支持
（1）高特可针对用户的实际需求提供静电和浪涌防护的整体解决方案。
（2）高特可免费为用户提供整机抗静电和浪涌的测试及整改服务。
（3）高特可依据用户实际应用中的特别需求进行ESD防护器件定向化开发。
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整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
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