泰科天润即将亮相23慕尼黑华南电子展，展示SiC MOSFET、混合单管、碳化硅二极管等系列产品

时间： 2023-10-27 来源：泰科天润半导体公众号

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慕尼黑华南电子展将于2023年10月30-11月1日在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大举行。作为国内知名的碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，泰科天润（展位号：1号馆·1F33）即将亮相慕尼黑华南电子展。

展品展示（新品）

本次慕展将展出SiC MOSFET、650V60A混合单管、1700V0.5A SMA封装碳化硅二极管、和2000V系列产品。

■1200V 40/80mΩ SiC MOSFET具有更低的导通电阻，更低的开关损耗，更高的开关频率，更高的工作温度，Vth典型值超过3V。应用场景：光伏、OBC、UPS及电机驱动、充电模块等。

■650V60A混合单管（Si IGBT+SiC diode）可大幅降低IGBT的开关损耗，提高效率，降低温升。

■1700V0.5A SMA封装碳化硅二极管，适用于三相电源，储能，光伏等领域。可以减少在RCD电路上的损耗，提高效率，降低温升。

■2000V系列产品，适用1500V光伏系统，高效率，更可靠。

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2020/7/7 - 泰科天润 - 选型指南 - vol.02 代理服务技术支持现货查询批量订货

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

2024-10-09 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】1700V/3300V国产高压碳化硅肖特基二极管，可应用于光伏、轨道牵引等领域

国产泰科天润具有针对于高压应用领域的1700V/3300V电压等级产品。1700V碳化硅肖特基二极管产品型号齐全，也是同行中极少数可以批量供货3300V碳化硅产品的功率半导体器件厂商。泰科天润1700V产品对比同类产品VF约低8-10%，浪涌电流能力约高50-100%；文中3300V碳化硅二极管可针对特殊应用进行双面银芯片产品、高压二极管模组等特殊封装的定制服务。

2020-09-09 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET，采用开尔文接触，工作温度175℃

扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。

2024-11-26 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

瞻芯电子碳化硅二极管批量助力麦格米特充电模块制造

2019年底瞻芯电子的碳化硅二极管产品系列在深圳麦格米特电气股份有限公司认证通过并启动小批量验证试产。经过半年的生产实践，麦格米特同意瞻芯电子该产品系列在充电模块产品线上可逐步全方位替代进口器件，进入批量采购阶段。

2020-09-18 - 行业资讯代理服务技术支持现货查询批量订货

【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%

新能源汽车的快速发展，带来充电的需求，为了满足电动汽车的快速充电，充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用，本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。

2022-03-05 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

SiC MOSFETs在电动工具中的应用概述及典型拓扑

随着SiC MOSFET宽禁带半导体的出现，其优越的开关性能迅速引起电机驱动界的高度关注。SiC MOSFETs能够将开关损耗降低70%左右，或者在接近3倍的开关频率下达到同样的效率。随着更高的电机驱动频率的实现，电机可以设计成更多的极数，以减少电机的尺寸。这些现象都显示了SiC MOSFETs在高速、高效、高密度电机驱动方面的巨大潜力。