【产品】集成肖特基二极管和PNP晶体管的多分立模块 CMLM7405，专为小型信号通用领域

时间： 2018-11-10 来源：Central

技术问答

世界顶级分立半导体制作商Central Semi (美国中央半导体公司)推出的CMLM7405 多分立模块集成了单PNP晶体管和肖特基二极管，具有高工作效率优势，且采用节省空间的SOT-563封装，可以出色地应用于小信号通用应用领域。

图1 CMLM7405多分立模块

CMLM7405多分立模块功耗最大仅为350mW，具有低功耗优势。其中集成的PNP晶体管的集电极-基极电压最大值40V，集电极-发射极电压最大值25V，发射极-基极电压最大值6.0V，可很好地应用在小电压场景中。连续集电极电流最大值为1.0A，峰值集电极电流1.5A，具有一定的高电流应用特点，可满足小型信号应用领域的电压电源需求。此外，还具有低集电极发射极饱和压降特色，典型值最小低至25mV（@I_C=50mA、I_B=5.0mA），适用于需要低饱和电压的放大器或开关类应用。CMLM7405多分立模块中集成的肖特基二极管的反向重复峰值电压最大为40V，连续正向电流最大为500mA。最突出的特色是具有极低的正向电压降，可实现低通态损耗。其不同正向电流时的正向电压降如下表所示：

CMLM7405多分立模块的热阻为357℃/W，储存温度和工作温度范围均为-65~150℃，具有良好的热性能和较宽的温度范围，满足军品级产品要求，具有较高的稳定性和使用安全性。

CMLM7405多分立模块突出特点与优势

·表面安装，SOT-563封装

·功耗最大为350mW

·高电流，连续集电极电流最大值为1.0A，峰值集电极电流1.5A

·低集电极发射极饱和压降，典型值最小低至25mV（@I_C=50mA、I_B=5.0mA）

·低正向电压降肖特基二极管

CMLM7405多分立模块应用领域

·小型信号通用应用

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由小呀么小太阳翻译自Central，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】300nA最大反向漏电流超小尺寸的低正向电压肖特基二极管

Central的CFSH01-30尺寸仅1.0mm x 0.6mm x 0.4mm，极其节省空间。

新产品发布时间 : 2017-10-18

【产品】峰值重复反向电压为100V的CDSH270硅肖特基二极管，功耗最大仅为100mW

Central公司推出的一款硅肖特基二极管——CDSH270，具有较低的正向电压、较低的泄漏电流、更快的响应速度和更结实的封装，该设计可取代1N270锗二极管，同时，工作和存储结温范围大，在恶劣的环境条件下也可正常工作。主要应用于电力电子功率器件和电力电子功率模块等电子领域。

新产品发布时间 : 2018-11-08

【产品】100V/5A的大电流PNP晶体管模块

Central推出的CP753V-CZT953系列产品，是以芯片形式提供的专为大电流应用而设计的PNP晶体管模块，具有高可靠性，高电压、高电流和较低的VCE（SAT），非常适用于需要高电流的应用领域，如电池驱动、手持设备等。

新产品发布时间 : 2018-06-26

PROCESS CPD102X Schottky Diode High Voltage Schottky Diode Chip

型号- CMUD6263E SERIES,CPD102X,CMDD6263,CMOD6263,CMLD6263,CMPD6263 SERIES,1N6263,CMLD6263 SERIES,CMSD6263,CMUD6263E,CMKD6263,CMPD6263,CMSD6263 SERIES

数据手册 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - R1 - 11-December 2015 PDF 英文下载

【产品】逻辑电平驱动的N沟道MOS管、肖特基二极管二合一开关管

Central的CMLM0574采用SOT-563封装，耐压40V，低正向压降。

新产品发布时间 : 2017-10-21

CMLM7405 MULTI DISCRETE MODULE™ SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT LOW VCE(SAT) PNP TRANSISTOR AND LOW VF SCHOTTKY DIODE

型号- CMLM7405

数据手册 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - R3 - 1-July 2015 PDF 英文下载查看更多版本

【产品】SOT-23小封装肖特基二极管CMPSH05-4，专为小尺寸、高效率的小信号应用

Central的CMPSH05-4高电流低VF肖特基二极管，采用SOT-23封装形式，占用电路板空间小。该器件连续正向电流IF为500mA，还具有很低的正向压降，在IF=10mA时，VF的最大值为0.27V，拥有较低的导通损耗。它的反向电流IR的最大值仅为100μA。其操作和存储结温范围均为-65℃~+150℃，满足工业环境温度要求。功耗仅为350mW。

新产品发布时间 : 2018-11-08

【产品】正向压降低至100mV肖特基二极管，电池设备理想选择

Central CFSH05-20L肖特基二极管其最大承受3A的浪涌冲击，功率损耗低至100mW，结电容低至21pF，满足高频电路的需求。

新产品发布时间 : 2017-07-28

CMLM0705 MULTI DISCRETE MODULE™ SURFACE MOUNT SILICON PNP SWITCHING TRANSISTOR AND LOW VF SCHOTTKY DIODE

型号- CMLM0705

数据手册 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - R3 - 1-July 2015 PDF 英文下载查看更多版本

【产品】40V低正向压降小尺寸肖特基二极管，可快速切换

Central的CFD4448是一款由SOD-882L封装的具有低反向泄漏功能的高速开关二极管，拥有极快的开关速度（4.0ns），适用于要求小尺寸和运行效率的应用。

新产品发布时间 : 2017-09-04

【产品】高电流、低VF肖特基二极管，为小信号通用型应用而设计

CMDSH2-4L是CENTRAL半导体公司推出的一款高电流、低VF肖特基二极管。CMDSH2-4L肖特基二极管采用了SOD-323表贴封装，占用电路板空间小，该器件可为小尺寸和高效率的小信号通用型应用而设计。

新产品发布时间 : 2018-06-12

BCW61B BCW61C BCW61D SURFACE MOUNT SILICON PNP TRANSISTORS

型号- BCW61B,BCW61C,BCW61B SERIES,BCW61D

数据手册 - CENTRAL SEMICONDUCTOR - R3 - 21-October 2021 PDF 英文下载

【产品】集成NPN开关晶体管和肖特基二极管的多分立功率器件，功耗仅350mW

CENTRAL的CMLM2205多分立功率器件，其集成了一个NPN开关晶体管和一个低VF肖特基二极管。CMLM2205采用SOT-563表贴封装，其尺寸为1.7mmx1.7mmx0.6mm，功耗只有350mW。该产品专为小信号通用型应用而设计，其尺寸和工作效率是其首要考虑的。

新产品发布时间 : 2018-06-15

【产品】贴片型双向硅肖特基二极管CMKD6263DO，专为快速开关应用

CMKD6263DO是一款由Central公司推出的经典型硅肖特基双向二极管，其反向重复耐受电压高达70V。该器件的物理结构由环氧树脂灌浆，采用SOT-363的紧凑型贴片封装结构。CMKD6263DO双向硅肖特基二极管，主要是针对低正向压降要求的快速开关应用而设计生产。该器件能有一定的限压保护的作用，其具有较高的电流、电压耐冲击特性，电气可靠性高。

新产品发布时间 : 2018-10-29