龙腾半导体推出多款MOS和IGBT产品满足充电桩应用需求，优化Vceset，增强di/dt能力

Galaxy 银河微电 IGBT产品介绍及市场应用

常州银河世纪微电子股份有限公司（Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co., Ltd.）发布了一系列IGBT产品，包括单管和模块，适用于多种应用领域。产品线涵盖650V至1700V电压等级，包括工缝、逆变器、电机控制、光伏、储能、新能源汽车、充电桩、电池管理系统等。资料详细介绍了产品型号、技术参数、应用领域和性能对比。

银河微电子  -  IGBT模块,IGBT芯片,工业和光伏组件,莫斯中士,SGT MOS,INDUSTRIAL AND PV MODULES,MOS,HYBRID IGBT+SIC SBD,车用模组,IGBT,混合IGBT+SIC SBD,IGBT单管,AUTOMOTIVE MODULE,PIM 模块,GM200HF120S4T1,GM200HF120S4F1A,GM50FFB120C1T1H,GM15P]120E1T3A,GM400HF120S4T1M,BL042N10TH,GKU40N65EH3,GM240TU120Q1F2,GKU25N120ET2,GKU50N65ET,GM40FFB120C1T1,GM400HF65S4T1A,GKU40N65,GM200SG65S1T1,GKU60N65DH5,GM450HF120C3T1M,GKB20N65,GKU50N65EH3,GKU40N120ET2-25C,GKU100N65DH5,GKU40N120ET2,GM150FFB120C2T1M,GM600HF65S4T1,GM300HF120S4T1M,GM450ML65Q2F2,GM25PJ120E2T3A,GKU40N120NH3-25C,GM10PJ120E1T3A,GM225TU120Q2T2H,GM100HF120S2F1B,GM75HF120S2F2,GM100PI120C2T1,GKU50N120CH3,GKY50N120,GM100HF120S2F1A,GKD06N65,GKU40N120NH3,GM35PJ120E2T3A,GM50PI120C1T3A,GKU15N120ET2,GM40PI120C1T3A,GKF20N65,GKU10N120T2,GM225TU120E2T2H,GKP20N65,GM40HF120S2F2A,GKU30N65,GKU60N65EH5,GM150HF120S4F2,GKU20N65,GKU75N65EH5,GKU40N120DT2,GM450ML65C1T2,GM600HF120C3T1M,变频器,电机控制,PFC,储能领域,新能源大巴,PTC公司,新能源车PTC,不间断电源,UPS,伺服,PTC加热器,DCDC,BMS电池管理系统,重卡,DCDC公司,交流焊机,便携式储能,壁挂式直流桩,家用电磁灶,逆变器,压缩机,热管理系统,新能源车空压泵,PTC,电机驱动领域,MAIN INVERTER主电机驱动器,直流充电桩,空调INVERTER,高频电源领域,数码发电机,空调,新能源车,空调压缩机,逆变电源,水泵,OBC,光伏领域,工缝,便携式逆变电源,商用电磁灶,高频电源,户储,储能,空压机,AUXILIARY INVERTER辅电机驱动器,电机驱动,HV-LV DCDC变换器,OBC 车载充电机,充电桩,便携式储能电源,IH电饭煲,光伏,变频微波炉,感应加热领域,工业电源,新能源汽车领域,全氟化碳,数码电焊机,新能源车空压机,商灶,光伏逆变器,焊机

【方案】20kW~60kW充电桩优选器件方案

本方案针对20kW~60kW 充电桩的高性能需求，在PFC 整流电路和DC-DC 变换电路均采用了Vincotech高性能ANPFC 模块以及H 桥逆变模块，实现了管脚与风道之间的相互独立。同时，采用Laird 高性能导热材料和Standex 带散热底座的平面变压器和电感，提高充电桩功率等级的同时增强了整机的防护性和可靠性。

ISABELLENHUETTE,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,ADVANCECHIP,RENESAS,VINCOTECH,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,LONGSUNG,KYOCERA,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO  -  DSP,FUSE,驱动光耦,SIC二极管,半导体制冷片TEC,H桥模块,SPFC模块,PCB导热材料,采样电阻,高压MOSFET,导热垫片,保险丝,4G模组,TVS,ANPFC模块,数字信号处理器,隔离芯片,相变材料,LDO,IGBT单管,电流检测,驱动IC,快恢复二极管,2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019,20KW充电桩,充电桩,60KW充电桩,充电栓,20KW~60KW充电桩

SD40R12A6带反并联二极管的分立式IGBT

本资料详细介绍了SD40R12A6型双极晶体管（IGBT）及其反并联二极管的电气特性和应用。该IGBT具有1200V沟槽栅/场终止工艺，低开关损耗和正温度系数，适用于充电桩、UPS和逆变器等应用。

SEMI-FUTURE  -  IGBT分立器件,IGBT DISCRETE,SD40R12A6,逆变器,充电桩,不间断电源,UPS

【视频】瑶芯微中低压MOS、高压SJ MOS等产品介绍及应用案例分享

瑶芯微  -  碳化硅MOS,IGBT,高压SJ MOS,中低压MOS,SIC MOS,FRD,快恢复二极管,MEMS传感器,信号链IC,AKC65N065045TM,AKG4N008TM-A,AKG4N009DAM-A,AKCK2M040WAMH-A,AKG4N008GM-A,AKBK2A040WHH,开关电源,OBC,光储逆变,手机快充,车载,充电桩,BMS,消费,小电机,工业,MCU

SD75R07A6带反并联二极管的分立式IGBT

本资料详细介绍了SD75R07A6型双极晶体管（IGBT）及其反并联二极管的电气特性、典型应用、最大额定值、特征值、输入电容、输出电容、反向传输电容、集电极-发射极截止电流、栅极-发射极漏电流、开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间、开通损耗能量、关断损耗能量、结-外壳热阻、开关状态下温度、反向重复峰值电压、连续正向直流电流、正向重复峰值电流、正向电压、反向恢复峰值电流、反向恢复电荷、反向恢复时间、反向恢复损耗、结-外壳热阻和开关状态下温度等参数。

SEMI-FUTURE  -  IGBT分立器件,IGBT DISCRETE,SD75R07A6,逆变器,充电桩,不间断电源,UPS

SD50R07A6带反并联二极管的分立式IGBT

该资料详细介绍了SD50R07A6型号的IGBT（双极晶体管）及其反并联二极管。资料涵盖了电气特性、最大额定值、特征值、典型应用领域和产品特性，包括开关损耗、热阻、开关状态下的温度等关键参数。

SEMI-FUTURE  -  IGBT分立器件,IGBT DISCRETE,SD50R07A6,OBC,逆变器,充电桩,不间断电源,UPS