【产品】采用SOT-23封装的ESD保护二极管,峰值脉冲耗散功率为350W/200W
DIOTEC推出的ESDB3V3C、ESDB5V0C、ESDB12C、ESDB15C、ESDB24C/-Q/-AQESD保护二极管,采用SOT-23封装。产品具有双向钳位, 双二极管, 高峰值脉冲功率等特性,可应用于ESD保护,数据线和I/O端口保护等方面。
图1 产品外形与尺寸图
图2. 产品电气原理图
特征:
· 双向钳位
· 双二极管
· 高峰值脉冲功率
· 符合RoHS,REACH认证
机械数据:
· 重约:0.01g
· 阻燃等级:UL 94V-0
· 焊接和组装条件:260℃/10s 、MSL =1
应用:
· ESD保护
· 数据线和I/O端口保护
· CAN 总线保护(ESDB24C-AQ)
· 商业级
· 型号后缀-Q的器件符合AEC-Q101标准
· 型号后缀-AQ的器件通过AEC-Q101认证
表 1 最大额定值参数表
表2 电气参数表
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用户38544856 Lv8. 研究员 2019-09-28学习
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先天二极管 Lv8. 研究员 2019-09-25学习学习
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luosai Lv8. 研究员 2019-09-23学习
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豆芽 Lv8. 研究员 2019-09-23学习
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V766 Lv7. 资深专家 2019-09-22学习了
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十八 Lv7. 资深专家 2019-09-20赞
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桃梅 Lv7. 资深专家 2019-09-20学习
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小李飞刀 Lv8. 研究员 2019-09-19学习
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yuyu Lv8. 研究员 2019-09-18学习
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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2019-09-16学习
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提供了Diotec ESD保护二极管&瞬态电压抑制器二极管选型,Junction Temperature Tjmax[℃]:125-200℃,Maximum Clamping Voltage IPPM[A]:0-446A
产品型号
|
品类
|
Type
|
Package
|
Breakdown Voltage VBRmin[V]
|
Breakdown Voltage VBRmax[V]
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Breakdown Voltage IT[mA]
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Peak Pulse Power Dissipation PPPM[W]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
|
Stand-off Voltage VWM[V]
|
Maximum Reverse Current ID @ VWM[µA]
|
Maximum Clamping Voltage Vc[V]
|
Maximum Clamping Voltage IPPM[A]
|
1.0SMBJ28CA
|
Transient Voltage Suppressor Diodes
|
SMD
|
DO-214AA/SMB
|
31.10
|
34.40
|
1
|
1000
|
150
|
28.0
|
1.000
|
45.40
|
22.00
|
选型表 - DIOTEC 立即选型
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