专注功率半导体器件的研发、封装测试及销售的国家高新技术企业——凌讯微电子(LXMICRO)
肖特基/LowVF肖特基:全系列产品完善,电压45-300V,电流5-80A,封装外形包含但不限于TO-252,263,TO-220,TO-247等。
快恢复二极管:全系列产品完善,电压200-1500V,电流10-80A,封装外形主要为TO-252,TO-220,TO-247,TO-247AC等。
碳化硅二极管:6寸及8寸芯片,芯片核心团队主要源自台湾,电压为650V与1200V,封装外形主要为TO-220AC,TO-247AC等。
高压/超高压MOS:6寸与8寸芯片自行设计流片,全系列产品完善,电压400-1500V,电流4A-40A,封装外形主要为TO-252,TO-220F,TO-247等。
中低压MOS:全系8寸与12寸芯片,分电压平台采用沟槽及SGT工艺,主要产品在20-200V为常出产品,全系列产品都可以找到接近电性替代,封装外形主要采用PDFN5060,TO-252,TO-263,TO-220C等外形。
超结MOS:全系8寸芯片资源,650V以多层外延为主,600V平台有部份规格为深沟槽工艺,规格包含60/65R040-60/65R1K0全系完善,封装外形主要采用PDFN5060,TO-252,TO-263,TO-220C,TO-247等。
IGBT单管:目前常出15A,40A,50A,75A的650V与1200V单管,我们可以按客户应用需要定义新的电参数规格开新的品种,封装外型主要为TO-220与TO-247。
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