如何去实现一种肖特基整流二极管的设计？
MDD辰达半导体肖特基整流二极管具有工作频率高、工作电流大、正向压降低、反向漏电小、可靠性高等特点，广泛用于开关电源及功率变换器中。肖特基二极管制造工艺有台面、平面及平面加保护环三种工艺。
外延层选取：肖特基二极管反向击穿电压VBR、结电容Cj、正向压降VF都与外延层电阻率及厚度相关。外延层电阻率选取的原则在满足击穿电压VBR的同时要满足结电容的要求，由于肖特基器件通常采用高阻材料，击穿电压VBR容易满足要求，主要以结电容来选取电阻率，式中A为p+环与势垒结总面积;ND为外延层杂质浓度;Vbi为自建电势;V为外加电压。
势垒金属选用：对于n型Si，可用作肖特基势垒接触的金属有Ti、Ni、Al、Pt、W、Mo、Au等。为了减小肖特基势垒结退化及失效，在高温处理后肖特基势垒特性保持稳定，势垒金属应选用Mo、Pt、Ti等耐熔金属。势垒金属决定了肖特基势垒高度φBn，与势垒高度相关的电参数有正向压降及反向漏电流。
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