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派恩杰·苏州大会主题演讲 | 碳化硅功率器件的技术现状与发展趋势
2024年5月22日-23日，由雅时国际主办的“2024半导体先进技术创新发展和机遇大会”于苏州召开，派恩杰作为第三代半导体领先品牌，拥有深厚的技术底蕴和全面的产业链优势，在碳化硅领域拥有深厚的量产经验，2023年已成功上车100多万辆新能源汽车。
派恩杰的SiC MOSFET产品顺利通过AC BTI可靠性测试，性能稳定可靠
作为一种更接近实际应用的可靠性测试方法，AC BTI能够更加准确的评估SiC MOSFET芯片的可靠性，在同等试验条件下，平面栅的SiC MOSFET的AC BTI可靠性优于沟槽栅的可靠性。
派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC＆CPSSC 2023，分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势
2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC ＆ CPSSC 2023）于2023年11月10-13日在广州召开。派恩杰应邀出席，半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。此外，派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果，展位号：三楼 3-015。
SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺，解决车规可靠性最后一块拼图？
半导体技术的进步，特别是碳化硅，产生了具有高功率密度的器件，并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块，可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。
派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
P3D060006T2 650V碳化硅SBD
描述- 该资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）P3D06006T2。该器件具有高耐压、快速开关特性，适用于提高系统效率、减少散热器需求和高频操作。
型号- P3D06006T2
P3D06020I2 650V碳化硅SBD
描述- 该资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06020I2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流和高频操作等特点，适用于各种电源转换应用。
型号- P3D06020I2
【元件】派恩杰半导体强势推出多款工规/车规碳化硅模块产品，掌握塑封、灌封两种工艺，全力助推新能源！
派恩杰作为一家专注于碳化硅MOSFET及功率模块的研发型公司，自2021年派恩杰第一款62mm模块发布开始，注重模块应用的高质量生产和卓越的设计开发技术，探索前沿工艺能力，在与产业链战略合作伙伴的一起努力下,持续推出重量级产品,积极进行品牌升级，贴合客户需求，让“梦想化作现实”。
P3D06010I2 650V碳化硅SBD
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06010I2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流和高频操作等特点，适用于各种电源转换应用。
型号- P3D06010I2
P1H06300D8氮化镓高电子迁移率晶体管650V氮化镓增强型功率晶体管
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V GaN HEMT（氮化镓增强型功率晶体管）P1H06300D8。该器件具有超快速开关、无反向恢复电荷、可逆导通能力等特点，适用于提高系统效率和降低系统成本。
型号- P1H06300D8
P1H06150BD氮化镓高电子迁移率晶体管650V氮化镓增强型功率晶体管
描述- 该资料介绍了PNJ半导体公司生产的P1H06150BD型号650V GaN HEMT功率晶体管。该器件具有超快开关速度、无反向恢复电荷、可逆导通能力等特点，适用于提高系统效率、增加功率密度和实现更高工作频率。它主要用于消费级SMPS和高密度充电器等应用。
型号- P1H06150BD
P3D060006I2 650V碳化硅SBD
描述- 该资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06006I2。该器件具有超快开关特性、零反向恢复电流和高频操作能力，适用于多种电源转换应用。
型号- P3D06006I2
派恩杰（PN Junction）公司简介
型号- P2D06006T2,P3D06010F2,P3M12025BD,P2D06004T2,P3D06016K3,P2D06010T2,P2D12010T2,P3D06008F2,P3D12010T2,P3M12120K3,P3M12080K4,P3D06010T2,P3M12080K3,P3M06040K3,P3D06006T2,P3D06020K3,P3M173K0K3,P3D06008T2,P3M12025K3
P3D06006G2 650V SiC SBD
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06006G2。该器件具有超快速开关、零反向恢复电流和高频操作等特点，适用于消费级电源管理应用。
型号- P3D06006G2
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
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