芯达茂携IGBT系列、SiC系列等产品亮相2023中国（厦门）传感器与应用技术大会暨展览会

时间： 2023-10-29 来源：XDM（芯达茂）微信公众号

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2023年10月24-26日，2023中国(厦门)传感器与应用技术大会暨展览会圆满举办!为期三天的活动，深度契合传感器最新应用趋势，汇集产业链100+企业参展，吸引1000+专业观众与30+参展团，打造10场专业领域论坛，推动交流、促进合作，为行业呈现了一场别开生面的盛会。

芯达茂产品亮相盛会

展会期间，厦门芯达茂微电子携IGBT系列、SiC系列等产品亮相本次盛会。IGBT与传感器都被广泛应用在储能领域当中，IGBT为储能逆变器的上游原材料，决定了储能逆变器的性能，在储能领域中的主要作用为变压、变频、交直流转换等，是储能应用中不可缺少的器件。

芯达茂展出的IGBT系列产品，采用沟槽结构+场截止技术Trench+FS。晶圆元胞区和终端场板的特殊设计，实现IGBT具有高可靠性和电参数一致性优、兼容传统 MOS 的驱动设计的特点。

透过工艺与版图调整, 针对不同应用, 调整合适的参数, 如Isc, VCE(sat), Vth, Tf, Vgp等, 达到最佳的产品性价比，同时透过严格分级筛选与分流设计，达到产品性能与可靠度的一致性。

SiC系列产品则具有绝佳的栅极氧化层可靠性与充足的短路抗雪崩能力;特殊设计的电压及电流斜率满足 EMI 要求;低开启电压，兼容传统 IGBT的驱动设计等特点。

芯达茂产品按照 AEC-Q101 及 AQG-324标准测试，满足车规级要求，始终保持卓越性能与高可靠度，从根本上打破国外大厂垄断全面赋能第三代半导体国产替代。

智慧储能创新发展论坛储能系统和组件专场

10月25日，芯达茂副总经理李邦能在智慧储能创新发展论坛-储能系统和组件专场上，发表了关于《IGBT功率器件应用解决方案》的演讲。

李总从工艺结构、历史演进、应用领域等维度分享总结了IGBT功率器件的相关信息，并介绍了芯达茂产品的优势所在。

20世纪70年代，通用电气工程师Baliga在同一芯片结构集成MOS和BJT功能诞生IGBT，IGBT自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速，不仅在工业应用中取代了MOSFET，还在消费类电子应用中取代了BJT、MOSFET等功率器件的许多应用领域。

IGBT既有MOSFET的输入阻抗高、驱动电路简单，驱动功率小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。

硅基IGBT芯片在第7代之后基本到了极限，饱和压降和关断损耗通过芯片技术已经很难提高，下一步发展重心转移到模块封装及第三代半导体上。

作为国内碳化硅半导体功率器件主流供应商之一，芯达茂拥有深厚的、具有自主知识产权的器件设计和工艺研发的能力，在国产化替代中不断探索开发，紧跟国际大厂的步伐，缩小差距。

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1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

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日前，阿基米德半导体参加了在深圳会展中心举办的elexcon2024深圳国家电子展。展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域。

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芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。

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【元件】昕感科技推出TOLL封装MOSFET N1M065030PL2/60PL2，在储能、光伏等广泛应用

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变频器推荐IGBT凌讯微LGT40N120B，漏源电压1200V、集电极电流40A ∣视频

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【选型】2.2KW变频器设计推荐1200V/15A的IGBT模块10-FZ12PMA015M7-P840A28

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高性能电流模式PWM交直流转换芯片ME8230，内置1000V/1A功率MOSFET

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