【元件】 蓉矽1200V/40mΩ碳化硅场效应管NE1M120C40HT荣获“2023年度最佳功率器件奖”

2023-11-01 蓉矽半导体公众号
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2023年10月30日晚,由芯师爷主办的“2023年度硬核芯评选颁奖典礼”在深圳国际会展中心进行。蓉矽半导体自主设计、研发的1200V/40mΩ碳化硅场效应管-NE1M120C40HT荣获“2023年度最佳功率器件”奖项!蓉矽半导体将继续保持自主创新,专注碳化硅(SiC)功率器件设计与研发,推动中国功率半导体产业的发展。

硬核中国芯

“硬核中国芯”是国内兼具创新性和影响力的评选活动,创办于2019年,迄今已举办四届,是高含金量的中国芯大奖,采用“电子工程师+专家评审”双审评分制,由100位专业评审共同评选打分、超40万电子工程师在线参与投票。该评选活动旨在挖掘、表彰优秀中国芯企业,以专业服务为优秀本土芯企提供新技术、新产品的展示平台及品牌曝光,提升企业在全球范围的影响力,助力中国半导体产业发展。


蓉矽半导体1200V/40mΩ碳化硅场效应管-NE1M120C40HT荣获“2023年度最佳功率器件奖”,证明了市场对蓉矽半导体在电子设计创新方面的充分肯定。


碳化硅场效应管
1200V/40mΩ SiC MOSFET

NE1M120C40HT具有全面优异的电学性能、鲁棒性、可靠性,在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗,可以提高系统整体功率密度,降低系统总成本,产品特点如下:

采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式,增加了沟道密度,充分降低了沟道电阻,使得器件在单位面积内的电流能力提升;

采用多晶硅网络优化技术,充分降低了栅极内阻,提高了器件在开关过程中对输入电容的充放电速度,降低了器件的开关损耗;

采用结终端优化技术,降低了器件在结终端的曲率效应,提高了器件的耐压能力;

采用开尔文源的PAD设置,降低了封装中的杂散电感;

20V驱动电压下,导通电阻为40mΩ,可兼容18V驱动电压,导通电阻为43mΩ;

拥有同规格产品中较大的电流容量,其最大可持续电流可以达到75A。


蓉矽半导体

成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年,是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业,拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障,致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。


蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列,涵盖碳化硅二极管EJBS™碳化硅MOSFET硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR®,应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。


蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证,涵盖设计、晶圆制造和封测等环节,建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链,严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统,保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • djk0195 Lv7. 资深专家 2023-11-09
    祝贺 学习了
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型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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