【元件】 蓉矽1200V/40mΩ碳化硅场效应管NE1M120C40HT荣获“2023年度最佳功率器件奖”
2023年10月30日晚，由芯师爷主办的“2023年度硬核芯评选颁奖典礼”在深圳国际会展中心进行。蓉矽半导体自主设计、研发的1200V/40mΩ碳化硅场效应管-NE1M120C40HT荣获“2023年度最佳功率器件”奖项！蓉矽半导体将继续保持自主创新，专注碳化硅（SiC）功率器件设计与研发，推动中国功率半导体产业的发展。
硬核中国芯
“硬核中国芯”是国内兼具创新性和影响力的评选活动，创办于2019年，迄今已举办四届，是高含金量的中国芯大奖，采用“电子工程师+专家评审”双审评分制，由100位专业评审共同评选打分、超40万电子工程师在线参与投票。该评选活动旨在挖掘、表彰优秀中国芯企业，以专业服务为优秀本土芯企提供新技术、新产品的展示平台及品牌曝光，提升企业在全球范围的影响力，助力中国半导体产业发展。
蓉矽半导体1200V/40mΩ碳化硅场效应管-NE1M120C40HT荣获“2023年度最佳功率器件奖”，证明了市场对蓉矽半导体在电子设计创新方面的充分肯定。
碳化硅场效应管
1200V/40mΩ SiC MOSFET
NE1M120C40HT具有全面优异的电学性能、鲁棒性、可靠性，在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗，可以提高系统整体功率密度，降低系统总成本，产品特点如下：
采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式，增加了沟道密度，充分降低了沟道电阻，使得器件在单位面积内的电流能力提升；
采用多晶硅网络优化技术，充分降低了栅极内阻，提高了器件在开关过程中对输入电容的充放电速度，降低了器件的开关损耗；
采用结终端优化技术，降低了器件在结终端的曲率效应，提高了器件的耐压能力；
采用开尔文源的PAD设置，降低了封装中的杂散电感；
20V驱动电压下，导通电阻为40mΩ，可兼容18V驱动电压，导通电阻为43mΩ；
拥有同规格产品中较大的电流容量，其最大可持续电流可以达到75A。
蓉矽半导体
成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。
蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET；硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR®，应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。
蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证，涵盖设计、晶圆制造和封测等环节，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链，严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。
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型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT
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