【元件】罗姆GaN HEMT相关产品：助力应用产品进一步节能和小型化

时间： 2023-12-14 来源：罗姆半导体集团公众号

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GaN HEMT,Power Stage IC,栅极驱动器IC,BM3G0xxMUV-LB

一般而言，GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。然而，器件的使用面临着栅极耐压、控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度等方面的问题，针对这些课题，罗姆推出了以下产品和技术。

1、GaN HEMT驱动用超高速栅极驱动器IC（单通道）

罗姆推出的BD2311NVX-LB（单通道）是一款非常适合用来驱动GaN HEMT的栅极驱动器IC。该产品不仅支持驱动GaN HEMT时的窄脉冲高速开关，而且还通过采用罗姆自有的过冲抑制电路，确保GaN的可靠性。

产品采用罗姆自有的驱动方式抑制栅极电压过冲，对普通GaN HEMT很有效 (栅极耐压6V)。同时支持通过高速栅极驱动产生窄脉冲，以超高速开关（纳秒量级的脉宽）驱动GaN器件。还可与GaN HEMT组合使用，可实现目标器件高速驱动，示例：激光二极管的窄脉冲驱动点亮(LIDAR)。

2、EcoGaN™ Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”

罗姆结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势，开发出集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

该产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外，还支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET/以下简称“Si MOSFET”）。与Si MOSFET相比，器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和更小体积。

3、650V耐压GaN HEMT

为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，罗姆推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。

该产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，该产品还内置ESD保护器件，将抗静电能力提高至3.5kV，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，该产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。

4、罗姆确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC技术

针对如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。罗姆进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发GaN器件性能的超高速驱动控制IC技术。

目前，罗姆正在推动应用该技术的控制IC产品转化工作，计划在2023年下半年开始提供100V输入单通道DC-DC控制器的样品。通过将其与罗姆的“EcoGaN™系列”等GaN器件相结合，将会为基站、数据中心、FA设备和无人机等众多应用实现显著节能和小型化做出贡献。

5、150V耐压GaN HEMT “GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”

该产品通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V。这样，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的设计裕度和可靠性。此外，该系列产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型封装，这使得安装工序的操作更容易。

今后，将会快速扩充GaN相关的产品阵容，包括GaN Device、GaN用栅极驱动器及相应Nano Pulse技术的电源芯片，以便进一步扩展罗姆半导体在功率系统方案的市场方向。

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型号- BD7673AG,SMLEN3BC8T,BA4560RFVM,RBQ20NS65A,RFN20NS6S,BM2LB300FJ-C,BA4560RFVT,RASMID,BD7602GUL,RFUH20NS3S,BD82001FVJ-LB,SMF26V,MD56V72161C-XXTAP,RB058LAM150,SDR,BD50FA1MG-M,BD9109FVM-LB,RB088LAM-60,RB238NS150,SML-D12Y8W,BR25H128,SML-P11DT,VS17VUA1LAM,GMR50/5025,RFUH20NS4S,RGTH40TK65,STM 431J,SCT2280KE,BA82904YFVM-C,CSL1301R2T,ECO 200,BA2902YF-LB,BA4560YFV-M,RB298T100,BD46EXX1G-M,SMF24V,BU7250G,SML-D12U1W,BD71L4LG-1,BR25H160,SFR,BR25A512,RGCL80TK60,RGPR20BM36HR,BD12732FVM,BD12732FVJ,PTM 330,BU7251SG,BA2901YFV-M,BU21181FS,BU7251G,BD87A34FVM,BU7462FVM,BD12732FVT,BD52XXG-2C,LM2903F,RBR30NS30A,BU7291G,MD56V62161M-XXTAL42X,GSSSMR320,LM339F,MD56V72161C-XXTAL42X,BA2901YFV-C,BR93AXX-WM,BA2902SF,SMF22V,SML-D12Y3W,ML610400,BD2066FJ-LB,SCT2160KE,BAXXDD0T,SCM-013RT,LM2904F,BAXXDD0W,BU9829GUL-W,PTM 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2019年03月 - ROHM - 选型指南 - Ver.2.0 代理服务技术支持采购服务

ROHM（罗姆）电源管理IC选型指南（中文）

描述- ROHM的电源管理IC包括线性调节器、开关调节器、电源管理开关IC、系统电源等多个品种。

型号- BD7673AG,BU90006GWZ,BAJ0CC0FP,BA18JC5T,BD18KA5W,BD1CIC0W,BD433S5EFJ-C,BD18HA3WEFJ,BD7602GUL,BU27TA2WHFV,BD82001FVJ-LB,BAJ2CC0WT,BD50FA1MG-M,BD9109FVM-LB,BD15HA5WEFJ,BDJ0GA3VEFJ-M,BA70BC0FP,BD50FD0WHFP,ML7751,ML7750,BM61M41RFV-C,BD9C301FJ,BD15KA5WFP,BM2SC123FP2-LBZ,BD80C0AWFP2-C,BD50GA3WNUX,BD9P135MUF-C,BD25IC0VEFJ-LB,BD46EXX1G-M,BAJ6DD0,BD30IC0V,BU30TA2WNVX,BD71L4LG-1,BD30IC0W,BD95821MUV,BA50JC5T,BD70HC0WEFJ,BD9E303UEFJ-LB,BD8158FVM,BU23TD2W,BA25BC0WFP,BD70HA5VEFJ-M,BD53XXG-2M SERIES,BU32TD3WG,BM6112FV-C,BD87A34FVM,BD30GA3V,BM2P26CK-Z,BD30GA3W,BD90FD0W,BD52XXG-2C,BM2P10B3J-Z,BD6046GUL,BD82006FVJ-M,BD10KA5WFP,BA03CC0FP,BUS1DJC0GWZ,BD450S2WFP3-C,BU30TD2W,BU15JA2VG-C,BM2P0361K-Z,BM2P063EK-LBZ,BD18HC0VEFJ-LB,BD2066FJ-LB,BD450S5FP2-C,BAXXDD0W,BA17805FP,BD8313HFN,BU30TD3W,BD22621G-M,BD80GA3WNUX,BDJ2FC0WFP,BD33HA5VEFJ-M,BD2201GUL,BD6529GUL,BD750L5FP-C,BD82039FVJ,BD9D322QWZ,BD52XXG-1 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2024/2/27 - ROHM - 选型指南代理服务技术支持采购服务

ROHM推出多款GaN器件，致力降低GaN系统应用开发的难度，加速GaN的规模化商用

GaN HEMT功率级IC的特点及发展介绍。

2024-12-06 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【产品】高侧N沟道MOSFET的栅极驱动器IC BD2270HFV、BD2270HFV-LB，工作电流典型值为50μA

罗姆(ROHM)株式会社推出了两款高侧N沟道MOSFET的栅极驱动器IC——BD2270HFV和BD2270HFV-LB。它们具有用于栅极驱动的内置电荷泵电路和用于输出电荷的内置放电电路，可在不使用任何外部元件的情况下配置用于N沟道MOSFET驱动的高侧负载开关，减少外部元件数量，且采用节省空间的HVSOF5封装。工作电流典型值为50μA，待机电流典型值为5μA，可以满足各类应用的低功耗需求。

2018-09-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

必易微（KIWI）栅极驱动IC选型表

目录- 非隔离型驱动芯片

型号- KP85303,KP85201,KP85211,KP85321,KP85302,KP85632,KP85301,KP85631

2023/9/5 - 必易微 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

HPFL70G055N 900V N沟道氮化镓高电子迁移率晶体管MOSFET

描述- 本资料介绍了HPFL70G055N这款900V N-Channel GaN HEMT MOSFET的特性。该器件具有超低RDS(on)、高dv/dt能力、极低的输入电容和零Qrr等特点，适用于开关电源应用，包括服务器和电信电源、EVOBC和DC-DC转换器、UPS、逆变器、光伏等领域。

型号- HPFL70G055N

August 2024 - SEMIHOW - 数据手册代理服务技术支持采购服务

ROHM Starts Production of 150V GaN HEMTs GNE10xxTB Series: Featuring Breakthrough 8V Withstand Gate Voltage

ROHM 150V GaN HEMTs, GNE10xxTB series increase the gate withstand voltage to an industry-leading 8V – ideally to be applied in power supply circuits for industrial equipment such as base stations along with IoT communication devices.

2022-03-23 - 新产品代理服务技术支持采购服务

用于机器人和无人机的氮化镓®FET和IC

描述- 该资料主要介绍了eGaN® FETs和ICs在机器人、无人机、激光雷达、家用、医疗等领域的应用。eGaN®技术提高了效率、减小了尺寸并降低了系统成本。资料详细列出了适用于不同应用的eGaN®器件，包括其特性、配置、功能、电压、电流等参数。

型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2012C,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC9087,EPC9040,EPC2102,EPC9002C,EPC2024,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9050,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2035,EPC2010C,EPC9001C,EPC2038,EPC2037,EPC2034C,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC23101,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2033,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC9048C,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC2040,EPC9034,EPC9078,EPC21603,EPC9035,EPC9156,EPC2045,EPC21601,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90120,EPC9033,EPC9154,EPC90124

2021/12/23 - EPC - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

HPF70G170N 700V N沟道氮化镓高电子迁移率晶体管MOSFET

描述- 该资料介绍了HPF70G170N这款700V N-Channel GaN HEMT MOSFET的特性。它具有超低RDS(on)、极低的输入电容(CISS)、高dv/dt能力和零Qrr等特点，适用于服务器、电信、EVOB/DC-DC转换器、UPS/逆变器/PC以及电源开关应用等领域。

型号- HPF70G170N

August 2024 - SEMIHOW - 数据手册代理服务技术支持采购服务

罗姆在PCIM Asia上展出SiC封装模块TRCDRIVE pack™及GaN HEMT在内的丰富产品

2024年8月28-30日，全球知名半导体制造商ROHM参加在深圳国际会展中心举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会，简称PCIM Asia。罗姆在PCIM Asia上展出TRCDRIVE pack™及GaN HEMT在内的丰富产品。

2024-09-14 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【产品】600V单片高侧和低侧栅极驱动IC BS2114F，可通过自举操作驱动高速功率MOSFET和IGBT驱动器

ROHM推出的BS2114F是一款单片高侧和低侧栅极驱动IC，可通过自举操作驱动高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。逻辑输入可以使用3.3V和5.0V。当VCC和VBS低于指定的阈值电压时，欠压锁定（UVLO）电路可防止发生故障。

2019-01-29 - 新产品代理服务技术支持采购服务

罗姆携碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体亮相2024 PCIM Asia，并分享最新功率电子技术成果

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（展位号：11号馆D14）。展会上，罗姆聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。

2024-09-07 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务