一文详解欧姆接触技术

时间： 2023-11-02 来源：龙夏电子官网

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集成电路中电子器件为了降低电极和半导体的接触阻抗均会采用欧姆接触。那么理想的欧姆接触是怎么形成的？实际半导体工艺中又是怎么实现欧姆接触的呢？

在肖特基接触时，金属和N型半导体接触，若金属的功函数大于半导体，半导体一侧的电子就会流进金属的一侧，并且会形成一个电子积累的负电荷中心。而在半导体的一侧由于电子的减少，就会留下空穴形成的正电荷中心，所以半导体一侧就会形成一个向左的电场，阻止半导体中的电子进一步向金属一侧流动。反应在能带上，就是金属一侧的电子想要运输到半导体一侧就需要越过一个势垒，这个势垒肯定会增加电子器件的阻抗。

若金属的功函数小于半导体会发生什么呢？这时候电子就会从金属一侧流向半导体，在半导体一侧形成一个很薄的高导电区域，不会阻止电子的流动，也就没有接触阻抗了，这就是理想的欧姆接触模型。

但是这种欧姆接触模型很难实现。

①是因为金属的功函数很少有小于半导体的，这是无法避免的。

②是因为实际上金属和半导体接触时界面处有很多缺陷，这些缺陷同样会造成接触势垒。

势垒的存在使接触电阻增大，如果电流成分以热电子发射电流为主，则很难实现欧姆接触，想到的办法则是通过提高隧穿效应实现欧姆接触，半导体工艺中为了实现欧姆接触想到的就是掺杂，在半导体靠近金属的一侧使用重掺杂，将这一部分导体化，提高这个地方的载流子浓度，势垒宽度就会变得非常薄，电子就可以直接隧穿过去，顺畅的流过金属和半导体结，实现真正的欧姆接触。

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