40V/170A N-Channel Super Trench Power MOSFET NCEP40T17AG Ideal for High-frequency Switching and Synchronous Rectification

2023-11-04 NCE

NCE NCEP40T17AG N-Channel Super Trench Power MOSFET uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.



General Features
● VDS=40V, ID=170A
RDS(ON)=1.4mΩ (typical) @VGS=10V
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)
● Very low on-resistance RDS(on)
● 150℃ operating temperature
● Pb-free lead plating
● 100% UIS tested


Application
● DC/DC Converter
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification


Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise noted)


Electrical Characteristics (TC=25°C unless otherwise noted)

Notes:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Surface Mounted on FR4 Board, t≤10 sec.
3. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2%.
4. Guaranteed by design, not subject to production
5. EAS condition : Tj=25℃, VDD=20V, VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω

Package Marking and Ordering Information

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
封装/外壳/尺寸
车规级/工业级
Technology
Polarity
BVDSS(V)
ID(A)
VTH(V)
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
VGS(th)(V)
CISS(pF)
QG(nC)
PD(W)
NCE12P09S
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
SOP-8
工业级
Trench
P
-12
-9
-0.7
11.5
18
14
22
±12
2700
35
2.5

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