使用压接技术生产IGBT有哪些优势？∣视频
随着科技不断进步，以高电压和高功率实力闻名的功率半导体元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极电晶体）已成为电动车、太阳能能源和工业等各种应用领域不可或缺的关键元件。
而在IGBT制程中的其中一项重大进展，就是压接技术。透过压接的方式，能够提高IGBT的效率和品质。而正凌作为压接技术领域的先驱者，拥有深厚的压接机械和治具设计知识，深度掌握了这项技术的关键。
1. 提升组装效率与良率:
透过压接技术，可以使IGBT模块的组装过程更为高效。这种技术以「压接」替换「焊接」，排除了热应力（thermal stress）可能造成的产品缺陷，从而达成更坚实可靠的连接。使用专用的压接工具，IGBT可以无缝集成（seamless integration）到PCB中，提供连接的精确性和可靠性。
2. 提高效率和灵活性:
压接技术的接触阻抗极低，可提高IGBT模块的性能，从而降低单位时间内故障的机率（Failures In Time），并增强了模块的可靠性和连接效能。此外，它与标准PCB材料兼容，展示了其灵活性，确保了其适应各种应用和配置。
3. 环保和可持续性:
压接技术是一种环保的组装方法，它允许多次重复使用PCB，并可在压接后重复使用模块，减少了废弃物，达成环境可持续性。此外，IGBT模块的无铅组装亦符合全球环保标准，是对环境负责承诺的具体实践。
简言之，压接技术透过提高效率和品质，已经改变了IGBT的生产方式。它不仅能加快组装过程，并确保环保、无铅和无焊接的连接，标示了IGBT制程的重大进步和转型。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由张靖廉转载自正凌，原文标题为:压接技术生产IGBT有哪些优势？，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【技术】IGBT及其IGBT模块是如何进行导通的？
本文slkor将介绍IGBT及其IGBT模块导通原理。其中IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极晶体管。IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控制电压驱动功率半导体器件。IGBT模块是由IGBT和FWD通过特殊的电路桥封装而成的模块化半导体产品。
只需一颗螺丝钉就能搞定的IGBT模块封装
还使用复杂传统的焊接模式进行模块封装？别再out啦！新型MiniSKiiP封装模块，只需一颗螺丝钉就可完成安装，更能降低安装成本哟~
解析怎样测量IGBT模块以识别它的好坏？
本文，长禾探讨了如何测量IGBT模块以识别它的好坏。首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
【产品】1200V/100A七管封装功率IGBT模块，采用英飞凌第四代IGBT芯片技术
flow7PACK 2是Vincotech推出的一款具有优异电磁兼容性能，采用低电感flow 2封装的功率模块。
正凌连接器选型表
正凌连接器以下参数选型，工作温度：-55℃~+125℃；湿气敏感性等级：2a；安规/环境规范(Certification/Environmental specifications)：ROHS；应用等级(Application Level)：E级
|
产品型号
|
品类
|
工作温度范围（°C）
|
湿气敏感性等级
|
安规/环境规范(Certification/Environmental specifications)
|
应用等级(Application Level)
|
|
NX5ABBB70X01AA
|
连接器
|
-55°C to 125°C
|
2a
|
ROHS
|
E级
|
选型表 - 正凌 立即选型
IGBT模块使用上的注意事项
提到IGBT模块相信大家并不陌生，那么在IGBT模块的使用上有哪些注意事项呢？本文XDM将为您进行介绍。
【经验】一文介绍IGBT单管与IGBT模块的区别
本文SLKOR介绍IGBT单管与IGBT模块的区别，IGBT模块可以看作是IGBT单管的功能改进和升级，它们的应用领域基本相同。但是，由于集成了各种驱动和保护电路，IGBT模块的安装极大地方便了用户。随着新包装技术的采用，拓展了IGBT的应用领域。
解析IGBT模块封装壁垒——高可靠性
IGBT模块的封装技术难度高，高可靠性设计和封装工艺控制是其技术难点。IGBT模块具有使用时间长的特点，汽车级模块的使用时间可达15年。因此在封装过程中，模块对产品的可靠性和质量稳定性要求非常高。高可靠性设计需要考虑材料匹配、高效散热、低寄生参数、高集成度。
【应用】威科1200V IGBT模块LG09F08助力200KW储能PCS设计，开关频率高达16kHz
本文重点介绍威科（Vincotech）三电平IGBT模块LG09F08用于200KW储能PCS设计项目，优势：电压可达1500V，电流达150A；采用多电平拓扑技术；采用IGBT4晶圆设计；有客户应用案例，产品成熟等。
IGBT模块应用时，死区时间怎么预留？
IGBT模块应用时，通过软件控制上下桥臂的门极开关切换时间控制死区时间，例如20KHz驱动频率的电源行业，INV采用半桥架构，上下管的交替死区设置时间一般是1~2μS。另外关于IGBT模块选型，可参考Vincotech的选型资料：https://www.sekorm.com/doc/65932.html
MG225HF12TLE3 IGBT模块
本资料介绍了MG225HF12TLE3型IGBT模块的技术规格和应用。该模块适用于运动控制、高频开关应用、不间断电源（UPS）和焊接机等领域，具有低饱和电压、低开关损耗和高短路能力等特点。
扬杰科技 - IGBT模块,DIODE,IGBT MODULES,二极管,MG225HF12TLE3,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,SEVO CONTROL,高频开关应用,运动控制,HIGH FREQUENCY SWITCHING APPLICATION,不间断电源,UPS,不断电系统,SEVO控制,WELDING MACHINE,焊接机,MOTION CONTROL
DGC40C120M2T IGBT模块40A 1200V PIM一体化封装
该资料详细介绍了DGC40C120M2T型IGBT模块的技术规格和应用。该模块采用先进的沟槽和场止技术设计，具有低栅极电荷、优异的开关速度和正温度系数的优点，适用于焊接、UPS、逆变器、交流伺服驱动放大器等领域。
WXDH ELECTRONICS - IGBT模块,IGBT MODULE,INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR,绝缘栅双极型晶体管,DGC40C120M2T,THREE-LEVE INVERTER,AC AND DC SERVO DRIVE AMPLIFIER,WELDING,焊接,不间断电源,UPS,三级逆变器,交直流伺服驱动放大器
MG75P12E2 IGBT模块
该资料详细介绍了MG75P12E2型IGBT模块的技术规格和应用。它涵盖了其电气特性、热特性、开关损耗曲线以及在不同条件下的最大额定值。
扬杰科技 - IGBT模块,IGBT MODULES,MG75P12E2,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,AC AND DC SERVO DRIVE AMPLIFIER,MOTOR DRIVERS,不间断电源,电动机驱动器,UPS,不断电系统,交直流伺服驱动放大器
IGBT（绝缘栅双极晶体管）什么是热模型？申请说明
本文详细介绍了热模型的概念及其在SPICE模拟中的应用。首先，解释了热阻的定义，将其与欧姆定律进行类比，并说明了如何将热电路转换为等效的电气电路。接着，阐述了热模型的构建过程，包括实际测量、结构函数的计算以及热阻和热容的表达。最后，介绍了如何从ROHM官网获取热模型，并强调了在使用热模型时的注意事项。
ROHM - IGBT,INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR,绝缘栅双极型晶体管,T3STER,RGTVX6TS65D
【选型】为2.2KW变频器推荐1200V/25A的IGBT模块10-E212PMA025M7-L187A78Z
目前变频器2.2KW的功率段主要是对应适配的电机功率。采用三相380V输入，2.2KW的变频器的电源容量大约会设计在4.0KVA，选型时推荐1200V/25A的PIM（集成整流+刹车+逆变）类型的IGBT模块。因此本文推荐使用Vincotech的IGBT模块10-E212PMA025M7-L187A78Z。
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论