Hi-semicon‘s 3A/500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SFF3N50TS and SFD3N50TS

时间： 2023-11-07 来源：HI-SEMICON

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These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using HI-SEMICON's proprietary, planar stripe, VDMOS technology.

Features
◆V_DS(V)=500V, I_D=3A
◆R_DS(ON)
TYP:3.5Ω@V_GS=10V I_D=1.5A
MAX:3.8Ω

Applications
◆Power faction correction (PFC)
◆Switched mode power supplies (SMPS)
◆Uninterruptible power supply (UPS)
◆LED lighting power

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_J=25℃ unless otherwise noted)

THERMAL CHARACTERISTICS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

1.Pluse width limited by maximum junction temperature
2.L=40mH, I_AS=3A, V_DD=50V, V_G=10V, R_G=25Ω, starting T_J=25℃
3.Pulse Test: Pulse width ≤300μs, Duty cycle≤2%
4.Essentially independent of operating temperature

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