650V/107A N-Channel Super Junction Power MOSFET NCE60NF019T Provided a Ultra-low RDS(ON) and Low Gate Charge

时间： 2023-11-07 来源：NCE

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The series of devices use advaNCEd trench gate super junction technology and design to provide ultra-low R_DS(ON) and low gate charge with a rapid recovery body diode. This NCE N-Channel Super Junction Power MOSFET fits the industry's AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, industrial power applications, fast charger, new energy vehicle charging pile, on-board OBC, etc.

Features
New technology for high voltage device
Ultra low on-resistance and ultra-low conduction losses
Ultra Low Gate Charge causes lower driving requirements
Diode reverse recovery speed is super fast
High reliability
ROHS compliant

Application
Power factor correction (PFC)
Switched mode power supplies (SMPS)
Uninterruptible Power Supply (UPS)
On-board charger (OBC)

Absolute Maximum Ratings (T_C=25°C)

Thermal Characteristic

Electrical Characteristics (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Notes:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
2. T_j=25°C,V_DD=50V,V_G=10V, R_G=25Ω

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2023-11-10 - 产品代理服务技术支持采购服务

710V/96A N-Channel Super Junction Power MOSFET NCE65NF023T with Ultra-Low RDS(ON), Low Gate Charge and A Rapid Recovery Body Diode

The series of N-Channel MOSFET NCE65NF023T devices use advanced trench gate super junction technology and design to provide ultra-low RDS(ON) and low gate charge and with a rapid recovery body diode. This super junction MOSFET fits the industry‘s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, industrial power applications, fast charger, new energy vehicle charging pile, on-board OBC etc.

2024-03-06 - 产品代理服务技术支持采购服务

NCE60NF019T N沟道超级结功率MOSFET IV

描述- 该资料介绍了NCE60NF019T型号的N通道超级结功率MOSFET。这种器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供超低RDS(ON)和低栅极电荷，并具有快速恢复体二极管。适用于工业电源、快充器、新能源汽车充电桩、车载OBC等AC-DC SMPS应用。

型号- NCE60NF019T

2023/8/2 - NCE - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

NCE65TF130D、NCE65TF130、NCE65FT130F N沟道超级结功率MOSFETⅢ

描述- 该资料介绍了NCE65TF130D、NCE65TF130和NCE65TF130F三种N沟道超级结功率MOSFET的特性。这些器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS对PFC、AC/DC电源转换和工业电力应用的行业需求。

型号- NCE65TF130,NCE65TF130F,NCE65TF130D

2022/11/8 - NCE - 数据手册 - v1.3 代理服务技术支持采购服务

AT18NF65S N沟道超级结功率MOSFET

描述- AT18NF65S是一款650V N-Channel Super Junction Power MOSFET，具有优化的体二极管反向恢复性能、低导通电阻和低传导损耗，以及超低栅极电荷，适用于功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LLC半桥等应用。

型号- AT18NF65S

2024/5/28 - 安邦 - 数据手册 - Revision:B 代理服务技术支持采购服务

NCE65TF099D、NCE65TF099、NCE65TF099F N沟道超级结功率MOSFET III

描述- 该资料介绍了NCE65TF099D、NCE65TF099、NCE65TF099F三种N通道超级结功率MOSFET的特性。这些器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅电荷，适用于AC-DC转换器、工业电源等应用。

型号- NCE65TF099,NCE65TF099F,NCE65TF099D

2019/04/26 - NCE - 数据手册 - V1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

HMS1N65S N沟道超级结功率MOSFET

描述- 该资料主要介绍了HMS1N65S N-Channel Super Junction Power MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该器件采用先进的超结技术，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS、PFC和工业电源应用。

型号- HMS1N65S,HMS15N65,HMS15N65A,HMSN65S

2023/8/11 - 虹美功率半导体 - 数据手册 - v1.0 代理服务技术支持采购服务

NCE65TF068T N沟道超级结功率MOSFET III

描述- 该资料介绍了NCE65TF068T型号的N通道超级结功率MOSFET。这种器件采用先进的超结技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS、PFC和工业电源应用。

型号- NCE65TF068T

2019/04/26 - NCE - 数据手册 - V1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

NCE65NF068T N沟道超级结功率MOSFET IV

描述- 该资料介绍了NCE65NF068T型号的N通道超级结功率MOSFET。这种器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS对PFC、AC/DC电源转换和工业电力应用的行业需求。

型号- NCE65NF068T

2023/3/15 - NCE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

NCE65TF180D、NCE65TF180、NCE65TF 180F N沟道超级结功率MOSFET III

描述- 该资料介绍了NCE65TF180D、NCE65TF180、NCE65TF180F系列N通道超级结功率MOSFET。这些器件采用先进的沟槽栅超级结技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS的PFC、AC/DC功率转换和工业电源应用。

型号- NCE65TF180,NCE65TF180F,NCE65TF180D

2024/7/17 - NCE - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

NCE65TF180D、NCE65TF180、NCE65TF 180F N沟道超级结功率MOSFET III

描述- 该资料介绍了NCE65TF180D、NCE65TF180和NCE65TF180F三种N通道超级结功率MOSFET的特性。这些器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS对PFC、AC/DC电源转换和工业电力应用的行业需求。

型号- NCE65TF180,NCE65TF180F,NCE65TF180D

2019/04/26 - NCE - 数据手册 - V1.2 代理服务技术支持采购服务

NCE65TF180D、NCE65TF180、NCE65TF 180F N沟道超级结功率MOSFET III

型号- NCE65TF180,NCE65TF180F,NCE65TF180D

2018/06/25 - NCE - 数据手册 - v1.0 代理服务技术支持采购服务

NCE65TF130D N沟道超级结功率MOSFET III

描述- 该资料介绍了NCE65TF130D、NCE65TF130和NCE65TF130F三种N通道超级结功率MOSFET的特性。这些器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS对PFC、AC/DC电源转换和工业电力应用的要求。

型号- NCE65TF130,NCE65TF130F,NCE65TF130D

2020/04/20 - NCE - 数据手册 - v1.2 代理服务技术支持采购服务

NCE60NF160K N沟道超级结功率MOSFET IV

描述- 该资料介绍了NCE60NF160K型号的N沟道超级结功率MOSFET。这种器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS、PFC、AC/DC电源转换和工业电力应用。

型号- NCE60NF160K

2023/3/9 - NCE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

SCX80R420C 800V N沟道超级结功率MOSFET

描述- 本资料介绍了一种800V N-Channel Super Junction Power MOSFET，采用先进的超结技术，具有极低的导通电阻，适用于需要高功率密度和卓越效率的应用。

型号- SCX80R420C,SCP80R420C,SCF80R420C,SCD80R420C

2023/6/20 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持采购服务

NCE65TF130D、NCE65TF130、NCE65TF 130F N沟道超级结功率MOSFET III

描述- 该资料介绍了NCE65TF130D、NCE65TF130和NCE65TF130F三种N通道超级结功率MOSFET的特性。这些器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS对PFC、AC/DC电源转换和工业电力应用的行业需求。

型号- NCE65TF130,NCE65TF130F,NCE65TF130D

2019/04/26 - NCE - 数据手册 - v1.2 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

APR036N65S N沟道超级结功率MOSFET

描述- 本资料介绍了APR036N65S型N通道超级结功率MOSFET的特性。该器件采用新技术，具有低导通电阻和传导损耗，适用于高电压设备。它具备良好的散热性能，广泛应用于电源因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。资料还提供了绝对最大额定值、电气特性、典型特性和TO-247AB封装信息。

型号- APR036N65S

2021/05/16 - 安邦 - 数据手册 - Revision D 代理服务技术支持采购服务