100V/15A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CM15N10AU with High Cell Density and High Voltage Planar Technology

2023-11-07 APM

The APM CM15N10AU is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors with high cell density, and high voltage planar technology. This high-density process and design have been optimized for switching performance and especially tailored to minimize on-state resistance.



CM15N10AU N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features
VDS: 100V
ID: 15A
RDSON (@VGS=10V) : <110mΩ
RDSON (@VGS=4.5V) : <120mΩ
High-density cell design for extremely low RDSON
Excellent on-resistance and DC current capability


Applications

AC/DC load switch
SMPS
Notebooks and Handhelds adapter
UPS Power


Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃ unless otherwise noted)

Electrical Characteristics (Tc=25℃ unless otherwise noted)

Noted: 

(1) Pulse Test: Pulse Width≤300us, Duty cycle≤2%.
(2) Pulse width limited by maximum junction temperature
(3) Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch. With 2oz Copper, t≤10s


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本文由Vicky转载自APM,原文标题为:CM15N10AU N-Channel 100V (D-S) Power MOSFET,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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