100V/15A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CM15N10AU with High Cell Density and High Voltage Planar Technology

2023-11-07 APM

The APM CM15N10AU is the N-Channel enhancement mode power field effect transistors with high cell density, and high voltage planar technology. This high-density process and design have been optimized for switching performance and especially tailored to minimize on-state resistance.



CM15N10AU N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features
VDS: 100V
ID: 15A
RDSON (@VGS=10V) : <110mΩ
RDSON (@VGS=4.5V) : <120mΩ
High-density cell design for extremely low RDSON
Excellent on-resistance and DC current capability


Applications

AC/DC load switch
SMPS
Notebooks and Handhelds adapter
UPS Power


Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃ unless otherwise noted）

Electrical Characteristics (Tc=25℃ unless otherwise noted)

Noted: 

(1) Pulse Test: Pulse Width≤300us, Duty cycle≤2%.
(2) Pulse width limited by maximum junction temperature
(3) Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch. With 2oz Copper, t≤10s


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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-Channel enhancement mode power field effect transistors AC/DC load switch SMPS Notebooks adapter Handhelds adapter UPS Power CM15N10AU 应能微 管状电机

本文由Vicky转载自APM，原文标题为:CM15N10AU N-Channel 100V (D-S) Power MOSFET，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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产品型号
品类
Configuration
Package
N/P
VDSS(V)
VGS(V)
ID(A)
VGS(th) Min
VGS(th) Max
Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
Rdson @VGS10V Max(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
CMP1080GF5
SGT MOSFET
Single
DFN5X6
P
-100
±20
-15
-1
-2.5
85
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100
130

选型表  -  应能微 立即选型

GT105N10D5 N沟道增强型功率MOSFET

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