Hi-semicon‘s 5A/500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SFX5N50.H for PFC, SMPS,UPS and LED Lighting Power
This N-Channel enhancement mode power field effect transistors SFX5N50.H are produced using HI-SEMICON's proprietary, planar stripe, VDMOS technology.
N-CHANNEL POWER MOSFET SFX5N50.H Features
VDS=500V, ID=5A
RDS(ON)=1.45Ω(TYP)@VGS=10V ID=2.5A
Applications
Power faction correction (PFC)
Switched mode power supplies (SMPS)
Uninterruptible power supply (UPS)
LED lighting power
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ=25℃ unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.Pluse width limited by maximum junction temperature
2.L=10mH, VDD=100V, VG=10V, RG=25Ω, starting TJ=25℃
3.Pulse Test: Pulse width ≤300μs, Duty cycle≤2%
4.Essentially independent of operating temperature
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本文由Vicky转载自HI-SEMICON,原文标题为:SFX5N50.H 5A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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产品型号
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品类
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Package
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Channel
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VDS[max] (V)
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VGS(V)
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ID[max](25℃) (A)
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PD[25℃] (W)
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VGS(th)[min] (V)
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VGS(th)[max] (V)
|
RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)
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Ciss(typ)(pF)
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QG[typ](nC)
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SFF7N65-Y
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高压功率MOSFETs
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TO-220F-3L
|
N
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650
|
±20
|
50
|
62
|
2.0
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4.0
|
15.4
|
1530
|
41.7
|
选型表 - HI-SEMICON 立即选型
SFX3009T 30V,90A N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了SFX3009T型N通道功率MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术设计,具有低导通电阻和高电流承载能力。适用于多种电源转换和照明应用。
型号- SFD3009T,SFU3009T,SFX3009T
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描述- SFX20N70是一款20A、700V的N-Channel增强型功率场效应晶体管,采用先进技术制造,旨在降低导通电阻,提供优异的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
型号- SFX20N70,SFF20N70,SFP20N70
SGX6008T 60V,80A N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了SGX6008T型N通道功率MOSFET的特性、应用范围和订购信息。该器件采用先进的SGT技术和设计,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于多种电源转换和应用。
型号- SGD6008T,SGP6008T,SGM6008T,SGX6008T,SGF6008T
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型号- SFD5N50TS
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型号- SFU4N65E
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型号- SFD5N50L
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型号- SFD1N65
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型号- SFD7N65TS
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型号- SFF9N90
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型号- SGM105R5TSGM105R5T,SGM105R5T
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