Hi-semicon‘s 5A/500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SFX5N50.H for PFC, SMPS,UPS and LED Lighting Power

2023-11-07 HI-SEMICON

This N-Channel enhancement mode power field effect transistors SFX5N50.H are produced using HI-SEMICON's proprietary, planar stripe, VDMOS technology.




N-CHANNEL POWER MOSFET SFX5N50.H Features
VDS=500V, ID=5A
RDS(ON)=1.45Ω(TYP)@VGS=10V ID=2.5A

Applications
Power faction correction (PFC)
Switched mode power supplies (SMPS)
Uninterruptible power supply (UPS)
LED lighting power


ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ=25℃ unless otherwise noted)

THERMAL CHARACTERISTICS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

1.Pluse width limited by maximum junction temperature

2.L=10mH, VDD=100V, VG=10V, RG=25Ω, starting TJ=25℃
3.Pulse Test: Pulse width ≤300μs, Duty cycle≤2%
4.Essentially independent of operating temperature


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N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel enhancement mode power field effect transistors Power faction correction PFC Switched mode power supplies SMPS Uninterruptible power supply UPS LED lighting power SFX5N50.H SFX5N50 SFF5N50 SFD5N50 HI-SEMICON 管状电机

本文由Vicky转载自HI-SEMICON，原文标题为:SFX5N50.H 5A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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产品型号
品类
Package
Channel
VDS[max] (V)
VGS(V)
ID[max](25℃) (A)
PD[25℃] (W)
VGS(th)[min] (V)
VGS(th)[max] (V)
RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)
Ciss(typ)(pF)
QG[typ](nC)
SFF7N65-Y
高压功率MOSFETs
TO-220F-3L
N
650
±20
50
62
2.0
4.0
15.4
1530
41.7

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