蓉矽携碳化硅MOSFET、二极管EJBS™、理想硅基二极管MCR®等产品亮相慕尼黑华南电子展
11月1日,2023慕尼黑华南电子展 (electronica South China)在深圳圆满落幕。蓉矽半导体携碳化硅MOSFET、碳化硅二极管EJBS™、理想硅基二极管MCR®产品系列及新能源汽车、储能应用技术亮相展会,吸引了大批观众驻足、商谈,现场气氛热烈。
创新技术,赋能绿色未来
展会现场展示了采用TO 247-3封装的1200V/80A IGBT逆变器和采用蓉矽半导体1200V/40mΩ NovuSiC® MOSFET逆变器的对比系统。两台逆变器进行实时数据采集,通过上位机处理后动态展示,方便观众直观清晰地感受NovuSiC® MOSFET的应用优势。
此外,大功率AC/DC变换器组件也在本次展会上进行了展示。该组件采用1200V/75mΩ NovuSiC® MOSFET和双向高频图腾柱应用拓扑,具有高频化,散热器及磁性器件体积小,功率密度大,效率高的优点,可应用于光伏储能,充电桩,车载OBC等场景。
前沿阵地,主题演讲
在“第五届硬核芯生态大会暨2023汽车芯片技术创新与应用论坛”上,蓉矽半导体高巍博士发表了主题为“高可靠性是国产SiC功率半导体器件车载应用的必经之路”的精彩演讲。
高巍博士指出,目前国内碳化硅半导体技术仍然处于追赶阶段。在车载应用的高可靠性要求下,国产SiC器件面临良率保证、设计工艺保证、AEC-Q101基本保证、质量管理体系保证、供应链体系保证等多重挑战,其中良率保证需要重视设计、材料、工艺三要素。而蓉矽半导体通过采取栅氧可靠性保障措施,来实现国产SiC器件高质量国产替代。
自主研发,砥砺深耕
在由芯师爷主办的“2023年度硬核芯评选颁奖典礼”上,蓉矽半导体自主设计、研发的1200V/40mΩ碳化硅场效应管-NE1M120C40HT荣获“2023年度最佳功率器件”奖项,证明了市场对蓉矽半导体在电子设计创新方面的充分肯定。
蓉矽半导体将继续保持自主创新,专注碳化硅(SiC)功率器件设计与研发,推动中国功率半导体产业的发展。
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