世迈科技闪耀亮相JP IT Week 2023 Autumn,展示多款工业级内存与存储解决方案
日本备受瞩目的IT展会 - Japan IT Week 2023 Autumn于2023年10月25日至10月27日在日本千叶县幕张展览中心举行。现场共规划十一个展区,针对簇新科技趋势包含IoT、嵌入式及边缘计算、数据中心存储等领域,展示多元化的企业解决方案。
SMART Modular(世迈科技)本次与MiTAC神达资讯一起联合参展。
现场展示多款工业级解决方案,包含SATA与PCIe工业级固态硬盘、DDR5与Zefr™ (Zero Failure Rate)工业级内存模块,以及SMARTsemi™旧世代内存与存储解决方案。
其中,CXL™前瞻技术以及次世代数据中心储存解决方案获得高度关注以及现场访客的踊跃询问。
符合CXL™标准內存扩充解决方案
SMART Modular(世迈科技)推出符合CXL™标准的內存扩充解决方案,透过开发CXL Type 3(CXL.mem)内存模块,满足产业针对每颗处理器核心需要更多內存的需求。CXL互连标准开放PCIe或EDSFF尺寸规格进行扩充的选项。
有效的內存扩充
更低的总体拥有成本(TCO)
兼容CXL 2.0且提供PCIe Gen5 32GT/s传输速度
采用CXL Type 3(CXL.mem)
支持CXL 2.0规范中的可靠性、可用性和可维护性(RAS)功能
支持sideband接口进行即时除错、管理和系统更新,实现模块的带外管理(out-of-band management)
支持额外的安全功能以保护数据免受旁路攻击(side channel attacks)
SMART Modular(世迈科技)DC4800次世代数据中心SSD满足超大规模与超融合的企业级边缘数据中心,使其可以实现高性能、低能耗、稳定低延迟,符合严苛的SLA服务级别协定。SMART Modular(世迈科技)正式被列为OCP Solution Provider,而DC4800数据中心SSD通过OCP认证成为OCP INSPIRED产品。
符合开放运算计划(OCP)1.0规范
提供超卓性能,采用低功耗构架
在百分之99.99999的系统请求下都能维持低延迟表现(QoS)
先进错误检测和纠正
进阶安全和加密
端对端断电数据保护
为期三天的Japan IT Week 2023 Autumn秋季展成功落幕。SMART Modular(世迈科技)未来将会持续聆听客户需求,致力于创新开发以及提供优选服务,为企业提供更卓效可靠的解决方案。
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迁移到DDR5内存模块白皮书
描述- 本文探讨了DDR5内存模块的特点和应用。DDR5内存提供低延迟、高性能、几乎无限的访问耐久性和低功耗,适用于从手持设备到复杂系统部署的各种应用。与DDR4相比,DDR5具有更高的数据速率、更大的容量、更低的功耗和增强的可靠性、可用性和服务性(RAS)功能。文章详细比较了DDR5与DDR4在性能、容量、电压、通道架构、错误检测和纠正等方面的差异,并介绍了DDR5的增强功能,如双通道架构、片上ECC、数据接收器均衡、循环冗余检查(CRC)和DQS延迟监控。此外,文章还讨论了DDR5在解决市场挑战方面的作用,如信号完整性、电源传输和布局复杂性,以及SMART Modular Technologies在DDR5内存模块发展中的作用。
DDR4内存模块
描述- SMART Modular Technologies提供一系列DDR4内存模块,包括VLP-DIMM、SODIMM、Mini-RDIMM、Mini-UDIMM和LRDIMM。这些模块的容量从32GB到4GB不等,配置为x4和x8,运行速度从DDR4-2400到DDR4-3200。SMART Modular对设计进行严格审查,以确保性能和可靠性。此外,还提供经济型DDR4内存。
型号- ST1027SO451825NE,ST4097RD440425SCV,SRI4097SO420825-SC,ST1027RD410825HE,ST2047UD410825SGU,STI5126SO451893SG,ST2047UD420825HD,STI4097UD420825SCU,STT1026MP411625MF,ST1027SO410825HE,ST4096SO420825MF,ST2047RD420825MF,ST2047UD410825SG,STB4097SO420825SC,STI2046SO410825MR,ST1027MR451893SG,ST4097MR420825MFU,STI1027RD451825SG,ST2047RD410825HEV,SRZ4097SO420825-SC,STI4097SO420825MF,ST2047RD420825SCV,STI5127SO451893SG,ST4097UD420825HDU,STI4097RD420825MF,ST1027RD410825SGV,ST1026SO451825SG,ST2047RD420425HEV,ST5126SO451625MR,ST2047MU420825SCV,STI2047SO410814MR,STI2046SO410825-SE,ST4097MU420825MFV,ST2047RD410825SGV,ST1027RD451825SGV,ST4097SO420825MF,STZ2047SO420825SC,ST1027RD410893SGV,ST1026SO410825SG,STI2047SO410825SG,STI2047SO420825SC,STT4096UD420825MF,STI1026SO410825MR,ST2047SO410825HE,ST2046SO410825MR,ST5127SO451825NE,ST4097RD420825MFV,ST4097RD420825HDV,STI5126UD451825SG,ST2046SO410825SG,STI1027SO410825SG,STT5126MP451625MR,ST2047RD410825SG,ST2046UD420825SC,ST1026MP411625MF,SRI2047RD420425-SE,ST4097UD420825MF,ST2047SO420825HD,ST4097SO420825SC,ST1027SO451825SG,STI4097UD420825SC,STI1026SO410825SG,ST1027MU451893NEV,ST4096UD420825MF,ST1027MU451893SGV,ST1027RD410825SG,ST2047SO410825SG,ST4096SO420825HD,ST2047MU410893SGV,ST5127SO451893SG,ST2047UD420825SC,SRI4097RD420425-SE,ST5126UD451825SG,ST2047MR410893SG,ST2047RD420825HD,ST1027MR410825SGV,ST1027RD451825SG,SRI2047SO420825-SC,SRI2047RD410825-SE,ST4097UD420825SCU,STI2046SO410825SG,ST1027SO410825SG,ST2047SO420825SC,ST4097SO420825HD,STZ5126SO451893SG,STI4097SO420825SC,ST4097UD420825SC,ST4097RD420825SC,ST2566SO421693SG,ST2047MR420825SCV,SRI8197RD440425-SC,ST1026SO410825MR,ST2047MR410825SGU,ST5126MU451825SGV,STI2047RD410825SG,ST1027UD410825SG,ST2046MP42W625MF,ST1027RD410825MRV,ST8197RD440425MFV,ST2047MR410893HE,ST4097RD440425HDV,ST4097RD420825SCV,SRI4097RD420825-SC,STT4097RD420825MF
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DDR5内存模块
描述- DDR5内存模块旨在满足云计算、数据中心处理等应用对高效性能的需求。与DDR4相比,DDR5内存提供双倍的性能(4800至6400 MT/s)和改进的功耗效率,通过使用12V电压调节器(PMIC)和1.1 I/O电压。DDR5内存模块具有更高的带宽、更低的功耗和更高的容量,适用于高性能计算、云计算和存储、企业网络等领域。
型号- SR2G7UD5285SBV,SR6G7UD5385HM,SRI2G7UD5285SBV,SR6G7UD5388HMV,SR6G6SO5385MB,SR4G7SO5285SB,SR2G7SO5288HA,SRI2G7UD5285SB,SR6G7UD5388HM,SR4G8RD5285SBV,SR4G7SO5288SB,SR4G8RD5288HAV,SR6G7UD5385HMV,SR6G6SO5385HM,SRI4G7SO5285SB,SR3G6SO5385HM,SR6G7SO5388HM,SR4G7UD5288SB,SR4G8RD5285SB,SRI2G7SO5285SB,SR4G7UD5285SB,SR2G7UD5288SBV,SRI6G7UD5385MB,SR4G7UD5285SBV,SR2G7UD5288SB,SR6G8RD5388HMV,ST4G7SO5285SB,SR2G7UD5285SB,SRI4G7UD5285SBV,SR4G8RD5288SBV,SR4G7UD5288MDV,SR2G7SO5285SB,SR4G8RD5285HAV,SR4G6SO5288SB,SR6G7UD5385MB,SR2G6SO5285SB,SR2G7SO5288SB,SR4G7UD5288HAV,SR4G6SO5285SB,SRI4G7UD5285SB,SR4G7SO5288HA,SRI2G7SO5288HA,SR4G8RD5288MDV,SRI6G7UD5385HM,SR4G7UD5288SBV,SR2G6SO5288SB
加固型内存DDR5、DDR4和DDR3内存模块
描述- SMART提供一系列的DDR3、DDR4和DDR5坚固型内存模块,这些模块在-40°C至+85°C的温度范围内进行了100%的系统测试。SMART支持超出工业级范围的扩展温度范围(从-50°C到+105°C)。SMART严格的测试流程旨在确保这些加固型模块能够在恶劣的长寿命计算环境中可靠运行。此外,还包括防潮涂层、底部填充、抗硫电阻和安全锁定选项等额外加固内存选择。
型号- SRI4097SO420825-SC,SRI2G7SO5285-SB,STI5126UD451825SG,STI1027SO410825SG,STT5126MP451625MR,SPI1027SV351816NE,SPT2046SV310816GB,SRI2G7UD5285SB,SRI5126SO451625-SC,STI4097UD420825SCU,SRI4G6SO5285-SB,STT1026MP411625MF,SRI4G8RD5285-SB,SRI5126SO451625-SG,SRI4G7UD5288-SD,SPI5126SV325838NJ,SRI2047RD420425-SE,SRI4G7SO5285SB,STB4097SO420825SC,SRI4G7SO5288-SP,STI2046SO410825MR,SRI2G7UD5285-SB,SPI5127SV351816NE,STI1027SO451893SF,STI1027RD451825SG,STI4097UD420825SC,STI1026SO410825SG,STT2566MP421625NE,SRI6G7UD5385MB,STI4097SO420825MF,SPI1026UV351838NE,SPI5126UV351838NE,SRI4G7UD5285SBV,STI2046UD410825-SE,SRI4G7UD5288-SP,SRI2G7SO5288-SP,SRI4G7UD5285SB,SRI4097RD420425-SE,SPI2566SV325838NJ,SRI8G8RD5445-SB,STI1026SO410825-SE,STI4097RD420825MF,SRI2G7UD5288-SP,SRI2G7UD5285SBV,SRI1G6UD5165-SB,SRI2047SO420825-SC,SRI2G6UD5285-SB,SRI2047RD410825-SE,STT2566MP421625MG,SRI2G6SO5285-SB,STI4096SO420825-HD,STI4097SO420825SC,SRI1G6SO5165-SB,STI1026SO410893-SE,SRI8197RD440425-SC,STI2047SO410814MR,STI2046SO410825-SE,SRI2G7SO5285SB,STI2047RD410825SG,SPI5127ML351816NEV,SRI4G6UD5285-SB,SPI2567SO325838NJ,SRI4096SO420825-SC,STI2047SO410825SG,STI2047SO420825SC,STT4096UD420825MF,SRI4G7UD5285-SB,STI2046SO410893-SE,SPT2047SV310816GB,SPI5126SV351838NE,STI1026SO410825MR,SRI4097SO420825SA,SRI2G8RD5285-SB,SRI4G8RD5445-SB,SRI4097RD420825-SC,STT4097RD420825MF,SPI1026SV351838NE,SRI2G7UD5288-SD
R800|SATA|M.2 2280固态硬盘
描述- SMART的R800 SATA M.2 2280固态硬盘专为嵌入式计算应用设计,提供非易失性存储优势。该系列硬盘具备企业级功能和可靠性,适用于工业温度范围,采用TLC 3D NAND,具有出色的持续随机读写性能。
型号- R800,SVM2S86240GRTID1
世迈科技低功耗DDR4 SODIMM内存模块为智能工厂进化赋能,传输速度超2400MT/s
本文中SMART的合作对象是一家嵌入式电脑制造商,主要提供AIoT相关应用的解决方案。SMART根据客户主要诉求举荐DDR4 SODIMM内存模块解决方案,整体功耗比DDR3低百分之二十,1.2 VDD,提供DDR4-2400MT/s以上的传输速度,适用Zefr(Zero Failure Rate,零故障率)专业严谨测试筛选流程服务。
R800|SATA|2.5英寸固态硬盘
描述- SMART的R800系列SATA 2.5英寸固态硬盘专为嵌入式计算应用设计,具备非易失性存储的优势。该系列硬盘具有企业级功能和可靠性,提供商业和工业温度范围内的存储解决方案。R800系列采用TLC 3D NAND,提供卓越的随机读写和顺序读写性能,适用于对性能稳定性要求高的应用。
型号- R800,SVSAT61920RTID1,SVSAT6960GRTID1,SVSAT67680RTD1,SVSATQ240GRTD1,SVSAT6960GRTD1,SVSAT63840RTD1,SVSAT67680RTID1,SVSAT63840RTID1
DDR3内存模块
描述- 资料主要介绍了SMART公司生产的DDR3内存模块,包括不同类型和规格的产品,如ECC UDIMM、Non-ECC UDIMM、VLP UDIMM、Mini-UDIMM、SODIMM和SOUDIMM等。这些模块广泛应用于需要高可靠性和成本效益的领域,如医疗、交通和嵌入式系统。
型号- SP5127UV351816NEV,SP1026UV351816NEV,SP1026UV351838NE,SP1027ML351816MPU,SP2046SV310816GB,SP5127UV351838GB,SPI1027SV351816NE,SP5126SV325838NJ,SP5127SV351838NE,SPT2046SV310816GB,SP2567MU325838NJV,SP1027UD351838GB,SPI5126SV325838NJ,SP1026SV351816MP,SP5126SV351816MP,SP5126SV321616NE,SP1026SV351838MP,SP5127ML351816NEV,SP1027SV351816NE,SP2567UV325838NJ,SPI5127SV351816NE,SP1027UV351838NE,SP5127UD351838NE,SP1027UD351838NE,SP2566MP321638NE,SP5127UV351838NE,SPI5127ML351816NEV,SP2566SV325838NJ,SP5127ML351816NE,SP1026SV351838NE,SP1027UV351816NEV,SP1027ML351893NEU,SP1026SV310816GB,SPI2567SO325838NJ,SPI1026UV351838NE,SPI5126UV351838NE,SP5126SV351838NE,SP5126SV351816NE,SP2566SV321638NE,SPI5126SV351838NE,SPI2566SV325838NJ,SP5126UV351838NE,SPI1026SV351838NE,SP1286SV312638NJ,SP2567SO325838NJV
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可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数,插拔寿命达100万次以上。
最小起订量: 1 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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