西安芯派功率器件测试应用中心是陕西省重点实验室,也是目前国内针对功率器件测试能力最完备的检测中心

2023-11-08 芯派科技公众号
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今年是“一带一路”倡议提出十周年。当我们把目光聚焦在丝路起点、千年古都西安,可以发现,这座城市集中力量发展战略性新兴产业,在近二十年正经历着由内而外的蜕变。

· 2003年,比亚迪收购秦川汽车获得汽车牌照,并将工厂设在西安高新区。同年,德国英飞凌落户西安,成为入驻西安的第一个全球十大半导体厂商。

· 2004年,西安紫光国芯作为德国英飞凌科技存储器事业部在西安成立,2005年在上交所上市。

· 2008年,芯派科技落地西安高新区,几年后成长为国内一流的功率器件供货商。

· 2017年,奕斯伟与西安高新区、北京芯动能三方共同签署了总投资超过100亿元的硅产业基地项目投资合作意向书,12英寸大硅片从此落地西安高新区。


为什么这些企业都选择西安高新区?

9月22日,记者来到“硬科技”概念策源地西安高新区,管委会展厅摆放着来自不同企业技术先进、特色鲜明的展品,墙面电子屏上各类图表清晰地展示着高新区“55611”现代产业体系、“四个高新”的建设规划。透过这扇窗口,西安高新区管委会有关负责人向本刊记者介绍了产业硕果和未来蓝图,也用三个模式总结了产业培育的“西安经验”。


模式一:

比亚迪收购秦川

新能源汽车重镇快速崛起


新能源汽车看中国,中国新能源汽车看比亚迪。在草堂科技产业园的比亚迪汽车生产基地,平均每一分钟下线一台比亚迪新能源汽车。

经过亚迪路,相关负责人向本刊记者描绘:忙时堵车,路上多是悬挂绿色牌照的比亚迪新能源汽车,车里也多是比亚迪的友商。


新能源汽车也在“钢铁驼队”助力中,驰骋于新丝路之上。


4月21日,261辆西安制造的比亚迪新能源汽车,搭乘中欧班列长安号列车,从西安国际港站出发,前往乌兹别克斯坦,这是陕西开行的首趟中欧班列新能源汽车出口专列。


西安是丝路的起点,也是比亚迪真正意义上造车之旅的始发地。

2003年1月,在电池研发领域中发展蒸蒸日上的比亚迪,以2.69亿元的价格收购了秦川汽车77%的股份。


当时,秦川汽车是国家批准的西北地区唯一轿车生产企业。在卖出1.8万辆车的2002年,秦川汽车的净利仅有70多万元,饱受资金问题的困扰。


进入汽车行业的第一天,资本市场就给比亚迪一盆冷水:股价下跌20%。但这并没有让王传福退却,他表示“比亚迪收购秦川汽车的行动,是为5-10年后的盈利做准备”,并提出“产能达到30万辆”的长期规划。


对比亚迪而言,收购秦川汽车的真正意义在于建立一个汽车电池产业化的平台,汽车动力电池项目将决定比亚迪的未来。从此开始,比亚迪获得了汽车生产资质,从电池企业转型成整车企业。


在与西安共同成长的20年里,比亚迪相继落子乘用车、商用车、电子、汽车金融、轨道交通和动力电池等全产业链业务,布局整车、电池、电机、电控等全产业链核心技术。


在跻身全球车企巨头的同时,比亚迪也带动了西安汽车产业实现狂飙突进,勇夺2022年新能源汽车产量第一城。2022年,比亚迪汽车在西安累计实现产值1362亿元,同比增长超220%,生产整车100.8万辆,同比增长超145%,成为西安首个千亿级企业。


早在2013年,西安便获批开展新能源汽车推广应用工作,此后印发了《西安市新能源汽车推广应用实施方案(2014-2015年)》,逐步加码新能源汽车产业链建设。西安还是全国最早开始实施新能源出租车运营的城市之一,并提出到2025年,力争全市新增注册个人购置汽车中新能源汽车占比50%左右。


长安大学汽车学院车辆工程系主任陈轶嵩表示,回顾比亚迪在西安的发展历程,可以说这是一段企业与城市互相成就的双赢佳话。“或许很多人认为,西安赢得新能源汽车第一城是因为押对了比亚迪这张牌,但从一个侧面也说明,地方政府培育符合时代发展趋势的新兴技术的重要性。”


模式二:

奕斯伟落户高新资本与实体的成功结合
夜色璀璨,奕斯伟集成电路产业基地建筑群点亮了洨河畔。


奕斯伟是国内极少数能量产12英寸大硅片的半导体材料企业,拥有国际一流的生产检测设备和先进的厂房与动力系统,工艺技术已达到全球第一梯队水平。


2021年7月,西安奕斯伟材料完成超30亿元的B轮融资用于扩大产能,轰动一时。

2022年6月,总投资达110亿元的西安奕斯伟硅产业基地二期项目正式开工。

2023年陕西省政府工作报告中提到:2023年,陕西省将安排省级重点项目640个,年度计划投资4804亿元,力争固定资产投资增长8%左右。


4804亿元的年度计划投资,这些钱要花到哪?

2022年的陕西省重点项目中,奕斯伟与西安“牵手”,打造了位于西安市高新区的奕斯伟集成电路产业基地项目一期,主要致力于12英寸电子级硅抛光片及外延片的研发和生产。该项目是2022年的陕西省重点项目,目前已经建成投产。2023年奕斯伟将迎来扩产,该扩产项目就是今年陕西新开工的5个百亿项目之一。


奕斯伟材料正式起步于2019年之后,是毋庸置疑的创业公司。但按照公司当前的融资情况,估值已达到独角兽体量。这一年轻的独角兽背后,站着的却是一位历经风雨、年过六旬的中国显示行业的巨擘——京东方创始人王东升。


从王东升1993年领导创立京东方,到2019年辞任京东方董事长的26年里,京东方已成为全球显示领域领先企业。2017年,投资基金芯动能就与奕斯伟、西安高新区共同签署了硅产业基地项目投资合作意向书。根据意向书,该项目总投资超过100亿元。自2017年8月首次接触,到11月份意向落定,三方仅用了3个多月就达成了硅产业基地项目的合作共识,并共同加速推进项目落地,诠释了“陕西速度”和“西安效率”。


在奕斯伟到来之前,西安高新区半导体及集成电路产业已成规模,在设计环节,集聚了紫光国芯、华为研究院、智多晶微等近60家企业;在制造环节,西安高新区拥有三星、美光等制造龙头企业,已成为我国存储芯片重要一极;在封测环节,西安高新区形成了以三星、美光、力成、威世半导体等企业为代表的封装测试企业群。


作为西安高新区通过产业链精准招商引进的企业,奕斯伟的到来,进一步填补了西安高新区在材料设备领域的短板。


“高新金控对于奕斯伟的投资无疑是非常成功的,西安拥有雄厚的科技产业基础,将资本与实体结合能够发挥更大的功效,而这也是未来产业基金值得学习和借鉴的。对于产业基金而言,目的是扶持初创型企业的发展,因此更需要专业化和股权的集中性,便于投资决策。同时地方性产业基金的投资方向更应该与当地产业结构和产业特点相契合,发展特色化的产业集群和龙头企业。”万联证券投资顾问屈放表示。



模式三:

依托雄厚科研力量

培育壮大本土企业

今年5月,习近平总书记在首届中国-中亚峰会举行前夕,专门听取陕西省委和省政府工作汇报并发表重要讲话,对陕西各项工作充分肯定,并强调要发挥西安国家中心城市龙头带动作用,建好西安综合性国家科学中心和科技创新中心,努力打造国家重要科研和文教中心、高新技术产业和制造业基地。


我国诸多半导体产业的起步,都有来自西安科研的力量。

· 20世纪60年代,我国第一块集成电路在西安微电子所诞生——即此后对我国通讯产业影响极大的“711所”。

· 20世纪80年代,为统筹国内半导体产业发展,国家制定了“建立南北两个基地和一个点”的发展战略。南北两个基地即上海、江苏、浙江和北京、天津、沈阳;一个点,即是西安。

· 2000年,西安成为继上海之后,我国第二个国家级集成电路设计产业化基地。


西安本土的半导体不断汲取向上生长的力量。在西安为上市后备企业打造的“西安龙门榜”中,半导体企业不断涌现:芯派科技、龙腾半导体、赛福乐斯、派瑞股份……


西安芯派功率器件测试应用中心是陕西省重点实验室,也是目前国内针对功率器件测试能力最完备的检测中心。


芯派科技董事长罗义告诉本刊记者,芯派科技的实验室,除了保障企业自身产品研发,也开放给整个功率器件行业,“我们想做全球第一,也是唯一的涵括了半导体集成电路半导体功率器件新能源汽车子系统(电池、电机、电驱、电源等)以及整车性能测试的实验室。一辆车上有上千块芯片,什么样的芯片可以上车?不同品牌的芯片在相同的系统里有什么样不同的表现?失效了以后如何通过严谨的失效分析,让故障归零?芯派实验室对于这些问题的解决,对加快国产芯片上车进程,以及中国汽车的整车品质提升有着重要的意义。这样一个先进的实验室,可以将半导体行业,汽车零部件行业及整车制造行业有机地吸引到一个平台上,形成新能源汽车从芯片到子系统及整车的行业聚合。”

目前,西安在半导体产业已经拥有企业、科研院所及相关机构200余家,形成了集成电路设计、制造、封装测试以及半导体设备、硅材料研制与生产的完整产业链。


西安高新区自主培育的炬光科技、铂力特、诺瓦星云、华秦科技、莱特光电等一批国家级高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业在西安产业的发展中扮演着举足轻重的作用,彰显西安高新区民营企业的发展实力。


炬光科技脱胎于西安光机所,成立于2007年9月,是光机所创建孵化的科技企业之一。其于2008年打破国内大功率半导体激光器被长期垄断的局面,开始量产多款产品,并做到了行业领先。


在光子产业领域,西安光机所攻关的大功率半导体激光芯片制造技术已在多个国家级重大预研项目中实现应用,解决了国内激光芯片的封装、制冷的行业共性问题;西光所联合飞秒光电,在光通讯领域核心基础元器件领域同样取得重大成果,其自聚焦透镜技术已获国家科技进步二等奖;唐晶量子VCSEL(垂直腔面发射激光器)外延片生长技术已达到国际先进水平,实现国产替代。


借助科研院所、重点实验室、知名高校、明星企业的力量,西安高新区全区共集聚工程技术研究中心、重点实验室和企业技术中心等创新平台181个,其中国家级平台17个、国际化平台37家;建立了清华交叉信息核心技术研究院、陕西半导体先导技术中心、增材制造国家创新中心、陕西光电子集成电路先导技术研究院等新型研发机构195家。


9月22日,本刊记者来到位于高新区上林苑七路的西安铂力特增材技术股份有限公司。记者了解到,铂力特的设立依托于西北工业大学凝固技术国家重点实验室,作为我国最早研发3D打印技术(增材制造技术)的单位之一,目前,铂力特构建了一个围绕3D技术打印全链条的技术创新体系,并持续为航空、航天、能源动力、轨道交通、电子、汽车、医疗齿科及模具等行业客户赋能,应用足迹遍布全球。


作为高新区土生土长的企业,芯派电子、炬光科技、铂力特等企业的发展和相关产业链的不断延伸、完善,既是西安高新区锚定“坚持实业立区、先进制造业强区”目标发展的缩影,也让更多企业看到以科技研发作为驱动力,打通成果转化与产业发展对接“关口”的必要性。


今年陕西省政府工作报告中,西安获批建设综合性科学中心和科技创新中心。西安成为继北京、上海以及粤港澳大湾区后第四个获批建设“双中心”的城市。西安将以丝路科学城(西安科学园)为核心区,打造具有全球影响力的硬科技创新策源地、具有前沿引领性的新兴产业衍生地和“一带一路”顶尖人才首选地。

9月23日,在2023欧亚经济综合园区发展论坛上,中国国际经济技术合作促进会理事长杨春光表示,西安正在抢抓“双中心”建设机遇,用好用足“双中心”城市金字招牌,以“秦创原”创新驱动平台建设为抓手,着力营造鼓励创新、适于创新、促进成果转化的研发创新生态系统,充分激发重大科技基础设施、一流高校和科研机构的活力与动力,加快形成国际一流科研创新生态。


光电子信息、智能制造、生物医药、汽车、新材料新能源等为主导的“55611”现代产业体系正带动西安高新区制造业迈上新台阶,一个经济强、产业强、企业强的“实力高新”正跃然而出。


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瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南

描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司,2017 年成立于上海临港,致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,围绕 SiC 应用,为客户提供一站式芯片解决方案。

型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1

选型指南  -  瞻芯电子  - March 2024 PDF 中文 下载

【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力

深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。

新产品    发布时间 : 2023-06-22

琻捷(SENASIC)汽车电子传感芯片选型指南(中文)

描述- 琻捷专注于高性能汽车级芯片的研发、设计与销售,致力于为客户提供优秀的汽车电子传感芯片和完整的系统解决方案,是国内领先的汽车芯片供应商。公司研发位于上海浦东张江高科技园区,注册地在南京江北新区,同时在深圳,武汉等多地设有分公司和办事处,公司的核心团队在汽车芯片领域具有丰富的研发设计和经营管理经验。

型号- SNAXG07,SNAXG08,SNT451,SNA852X,SNA600X,SNA010X,SNA872X,SNA862X,SNU501,SNAXG00,SNA854X,SNT18B20,SNT0011,SNT112,SNU301,SNA814X,SNAXG86,SNA804X,SNP805X,SNA809X,SNAXG125,SNP746,SNJ32L003,SNA020X,SNJ32F003,SNP739D,SNJ08L152,SNJ32W103,SNAXG14,SNA863X,SNA655X,SNA853X,SNA3XX,SNE23XX,SNAXG32,SNAXG126,SNA833X,SNA855X,SNA805X,SNU511,SNE24XX,SNA859X,SNP830,SNP215,SNP736

选型指南  -  琻捷  - 2023/8/3 PDF 中文 下载

基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

选型指南  -  基本半导体  - 2024/5/16 PDF 中文 下载

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