国产超低VF肖特基二极管40V 2A低功耗器件，RB10U40FD，封装DFN1610-2L

时间： 2023-11-07 来源：高特

技术问答

高特微电子的LOW VF肖特基二极管（低功耗器件）RB10U40FD，是一种低功耗、超高速半导体器件，用于能承受较大的正向电流和较高的反向电压，性能较稳定。其工作电压为40V，最大正向导通电流为2A，在1A电流下VF值低至0.37V，在2A电流下VF值最大为0.5V，正常工作电压下仅有80 μA的漏电电流，，采用DFN1610-2L的小型封装，封装尺寸为1.6*1.0*0.5 mm，不含卤素。

RB10U40FD可以它是一种广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路、便携式电子设备、手机、充电宝、电子烟、个人数字助理（PDA）、笔记本、台式机、服务器、便携式仪表、可穿戴式电子设备、网络通讯设备等。

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国产超低VF肖特基二极管30V 100mA 低功耗器件RB521M9-30, 封装SOD-923

高特微电子的LOW VF肖特基二极管（低功耗器件）RB521M9-30是一种低功耗、超高速半导体器件，用于能承受较大的正向电流和较高的反向电压，性能较稳定。其工作电压为30V，最大正向导通电流为100mA，在20mA电流下VF值低至0.4V，工作电压30V下，仅有50μA的漏电电流，采用SOD-923的小型封装，封装尺寸为1.0*0.6*0.42mm，不含卤素。

产品发布时间 : 2023-11-17

高特微电子SS22B超低VF肖特基二极管采用SMB小型封装，具有极高的稳定性，适用于便携式电子设备

SS22B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在20V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。

产品发布时间 : 2024-05-14

高特微电子LOW VF肖特基二极管SS512BF，专为处理大电流和高压场景而设计

SS512BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在120V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在120V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-11-04

超低VF肖特基二极管SS24B性能稳定，尺寸小巧，不含卤素，专为处理大电流和高压场景而设计

SS24B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在40V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。

产品发布时间 : 2024-05-14

国产肖特基二极管SS115，150V 1A，SMA封装，低功耗，超低VF，尽显实力！

由高特微电子公司推出的超低VF肖特基二极管SS115，具有超高速、稳定性能，可承受较大的正向电流和较高的反向电压。这款低功耗器件的最大工作电压为150V，正向导通电流可达1A。在1A电流下，它的VF值低至仅有0.9V，极低的引线电压降使得功耗更低，极大提高了电路效率。此外，LOW VF肖特基二极管SS115在150V工作电压下，仅有0.1mA的漏电电流，保证了电路的稳定性和安全性。

产品发布时间 : 2024-03-27

高特微电子LOW VF肖特基二极管SS56BF，尺寸紧凑，规格仅为4.43.71.3mm

SS56BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在60V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.7V，展示了其优秀的节能特性。即使在60V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-11-04

100V 2A SMA封装超低VF肖特基二极管SS210，为电子设备带来更优能效

SS210是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在100V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在100V高压环境下，其漏电电流也仅有0.3mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-04-09

SS320BF肖特基二极管：小尺寸蕴含的强大电子力量

SS320BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在200V工作电压下，最大正向导通电流可达3A，尤其在3A电流条件下VF值仅为0.95V，展示了其优秀的节能特性。

产品发布时间 : 2024-08-06

高特微电子SS52BF肖特基二极管具备优秀的节能特性，在5A电流条件下VF值仅为0.55V

SS52BF是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在20V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.55V，展示了其优秀的节能特性。即使在20V高压环境下，其漏电电流也仅有1mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-11-04

高特微电子超低VF肖特基二极管SS26B尺寸4.73.942.44mm，无卤环保，用于便携式电子

SS26B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在60V工作电压下，最大正向导通电流可达2A，尤其在2A电流条件下VF值仅为0.7V，展示了其优秀的节能特性。

产品发布时间 : 2024-05-14

B5819W国产超低VF肖特基二极管40V 1A 低功耗器件，SOD-123小型封装

高特微电子的LOW VF肖特基二极管（低功耗器件）B5819W是一种低功耗、超高速半导体器件，用于能承受较大的正向电流和较高的反向电压，性能较稳定。其工作电压为40V，最大正向导通电流为1A，在1A电流下VF值低至0.6V，工作电压40V下，仅有1mA的漏电电流，采用SOD-123的小型封装，封装尺寸为3.6*1.8*1.1mm，不含卤素。

产品发布时间 : 2024-01-09

高特微电子LOW VF肖特基二极管SS515B，采用SMB小型封装，尺寸紧凑，有效节省电路空间

SS515B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在150V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在150V高压环境下，其漏电电流也仅有0.3mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-10-29

SOD-123FL小型封装1N5817W，国产超低VF肖特基二极管20V 1A低功耗器件

高特微电子的LOW VF肖特基二极管（低功耗器件）1N5817W是一种低功耗、超高速半导体器件，用于能承受较大的正向电流和较高的反向电压，性能较稳定。

产品发布时间 : 2023-12-12

国产超低VF肖特基二极管30V 0.3A 低功耗器件BAT54AW

高特微电子的LOW VF肖特基二极管（低功耗器件）BAT54AW是一种低功耗、超高速半导体器件，具备承受较大的正向电流和较高的反向电压的能力，并且性能相当稳定。其工作电压为30V，最大正向导通电流为0.3A，在0.1mA电流下VF值低至0.24V，电压25V下，仅有2μA的漏电电流。

产品发布时间 : 2024-03-01

高特微电子超低VF值的SS512B肖特基二极管，5A电流条件下VF值仅为0.85V

SS512B是高特微电子研发的一款卓越的LOW VF肖特基二极管，以其低功耗和超高速性能引领行业。这款器件专为处理大电流和高压场景而设计，具有出色的稳定性，在120V工作电压下，最大正向导通电流可达5A，尤其在5A电流条件下VF值仅为0.85V，展示了其优秀的节能特性。即使在120V高压环境下，其漏电电流也仅有0.3mA，充分体现了产品的高效能表现。

产品发布时间 : 2024-10-29