220nF高性能、超薄型硅电容器EC1001P，具有极低ESL和ESR，工作温度范围内稳定性优良
Empower EC1001P ECAP是一款220nF的高性能、超薄型硅电容器，用于保障高di/dt SoC和高速通信SoC的电源完整性和信号完整性。该电容阵列具有极低的ESL（等效串联电感）和ESR（等效串联电阻），高频性能出色，适合用作电源的去耦电容和高速数字SoC的旁路电容。
EC1001P的厚度极低（150μm，不包括焊盘），可用于严格限高条件的高级组装（处理器封装、BGA侧面封装、嵌入式封装等）。
安普沃尔的硅电容器产品行业领先，工作电压和温度范围内的稳定性极高。因此，ECAP电容不会像MLCC一样降额运行。单个220nF ECAP的有效电容与400nFX5R MLCC相当。
特性
220nF电容
AC/DC偏置变化极低
占用空间1.00mm x 0.50mm（0402）
超薄型150μm
ESL（等效串联电感）和ESR（等效串联电阻）极低
工作温度范围内稳定性高
低漏电流
无铅铜表面处理，兼容自动或手动回流焊。可根据要求提供其他端接。
工作温度范围：-55℃至+125℃
应用
配电网络的去耦电容
稳压器（VR）的旁路电容
抑制电源噪声
保障高速IC的电源完整性
保障高速接口的信号完整性
抑制高频噪声
其他要求超薄型的应用场合
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本文由Vicky转载自Empower，原文标题为:EC1001P超薄型1005/0402尺寸220nF硅电容器，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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