30V/40A N-Channel Super Trench Power MOSFET NCEP3040Q, Providing the Most Efficient High Frequency Switching Performance

2023-11-08 NCE

The NCEP3040Q uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high-frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.



General Features
● VDS=30V,ID=40A
RDS(ON)=6.8mΩ (typical) @VGS=10V
RDS(ON)=9.5mΩ (typical) @VGS=4.5V
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)
● Very low on-resistance RDS(on)
● 150°C operating temperature
● Pb-free lead plating
● 100% UIS tested

● 100% ∆Vds tested


Application
● DC/DC Converter
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification


Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise noted)

Thermal Characteristic

Electrical Characteristics (TC=25℃ unless otherwise noted)

Notes:
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Surface Mounted on FR4 Board, t≤10sec.
3. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2%.
4. Guaranteed by design, not subject to production
5. EAS condition : Tj=25℃, VDD=20V, VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω


Package Marking and Ordering Information

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
封装/外壳/尺寸
车规级/工业级
Technology
Polarity
BVDSS(V)
ID(A)
VTH(V)
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
VGS(th)(V)
CISS(pF)
QG(nC)
PD(W)
NCE12P09S
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
SOP-8
工业级
Trench
P
-12
-9
-0.7
11.5
18
14
22
±12
2700
35
2.5

选型表  -  NCE 立即选型

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