Hi-semicon‘s 10A/700V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SFX10N70-Y for PFC, SMPS,UPS and LED Lighting Power

时间： 2023-11-10 来源：HI-SEMICON

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These N-Channel enhancement mode power field effect transistors SFX10N70-Y are produced using HI-SEMICON's proprietary, planar stripe, DMOS technology.

These N-Channel enhancement mode power MOSFET SFX10N70-Y are well suited for high-efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, and electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

Features

V_DS(V)=700V, I_D=10A
R_DS(ON)

TYP:1.03Ω@V_GS=10V I_D=5.0A
MAX:1.15Ω

Applications
Power faction correction (PFC)
Switched mode power supplies (SMPS)
Uninterruptible power supply (UPS)
LED lighting power

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_J=25℃unless otherwise noted)

THERMAL CHARACTERISTICS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

1.Pulse width limited by maximum junction temperature
2.L=30mH, I_AS=3.3A, V_DD=100V, V_G=10V, R_G=25Ω, starting T_J=25℃
3.Pulse Test: Pulse width≤300μs, Duty cycle≤2%
4. Essentially independent of operating temperature

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