【IC】 低频电源抑制能力高达120dB的超低噪声LDO芯片IBSP303x系列,输入电压范围2.4~2V

2023-11-09 Inbisen英彼森半导体公众号
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工程师朋友们,本文中英彼森半导体要隆重介绍一下这款芯片,它是国产超低噪声、超高电源抑制比LDO的经典之作,非常适合用于对噪声极度敏感的应用场景,如:红外成像、医疗电子、超低噪声仪表、射频电源等。


它就是英彼森半导体的IBSP303x系列芯片。

如果你使用过LDO芯片就知道,评估一款高性能LDO芯片有3个标准:首先是电源对噪声的抑制比;其次是LDO自身的输出噪声以及对于负载变化的瞬态相应能力,最后是在高精密传感器应用中,温度漂移是否足够小。


以对噪声极度敏感的红外成像应用为例,对比国外顶尖竞品ADI公司的LT3042以及英彼森的3030芯片,可以发现,在使用3030芯片时,红外成像效果呈现无噪点、无水波纹的优秀画质,这意味着该款芯片在综合性能上丝毫不逊于国际顶尖竞品,甚至在一些低压差的场景下,其表现更优。


从性能指标来看,英彼森半导体的IBSP3030芯片可以提供2.4V到20V的宽输入电压范围,输出可调,带载能力在200mA,它可以提供低至1.5μV的积分噪声、高至近120dB的低频电源抑制能力,而且在高带宽1MHz上仍然保持近80dB的电源抑制能力,在负载从零到200mA跳变的时候,3030芯片只需要4μS的恢复时间。综合性能表现在所有低噪声LDO芯片中绝对是顶配,堪称LDO中的战斗机。


本文干货有些多,那就让子弹飞一会吧,本期先看到这儿,下期英彼森接着谈LDO中的战斗机,实际案例经验分享。

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