国际领先的功率半导体器件标杆品牌——芯长征科技（Marching Power）

时间： 2023-11-09 来源：世强

芯长征科技是国内领先的先进功率芯片产业生态公司，创始团队由中科院、国内外行业资深专家及高级管理人才共同组成，在功率器件领域深耕20年以上。经过多年高速发展，已经形成芯片设计、模组封装、检测设备自主可控的Virtual-IDM企业，主要面向新能源（汽车、光伏、储能、电能质量）、工控类、消费类三大领域。

品牌官网：https://marching-power.com

主要产品：VD MOSFET，SJ MOSFET，IGBT 模块，IPM，PIM，SGT MOSFET，沟槽 MOSFET，IGBT单管，SIC MOSFET单管，SIC MOSFET 模块，SIC JBS

主要应用：变频器，逆变焊机，光伏逆变器，充电桩，储能UPS，新能源汽车逆变器，变频家电，开关电源

IGBT单管：

（1）650V系列：6A，10A，15A，20A，30A，40A，50A，75A，120A，200A。

（2）1200V系列：15A，25A，40A，50A，75A，100A，140A。

IGBT模块系列：

（1）PIM模块：主要是1200V产品15A-200A全系列，封装为EasyPIM 1B，EconoPIM 2，EasyPIM 2B，EconoPIM 3，EconoPack 3。

（2）IPM：600V系列产品3A，7A，10A，15A，20A，30A。

（3）1GBT模块：

HPD封装：820A/750V，950A/750V，600A/750V等。

HP1封装：400A/750V，600A/750V等。

DC6I封装：300A/750V，400A/750V等。

EconoDUAL 3封装：450A/1200V,600A/1200V，900A/1200V。

34mm module封装：1200V系列50A-150A。

62mm module封装：1200V系列150A-800A。

SIC MOS：

（1）单管：1200V系列20毫欧-80毫欧。

（2）模块：以HPD，DCM DSC，TPAK，MB2封装为主的规格产品。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由银河系提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【选型】如何为1500V光伏逆变器选择合适的IGBT功率模块？

Vincotech针对1500V电压等级的光伏逆变器，推出了高集成度的对称式BOOST模块（10-FY09S2A065ME-L869L08）和NPC模块（10-F124NIx150SH0-LGx8F98）。既可以实现较高的开关频率，同时又能有效的降低损耗、提高效率，减小整机的体积。

2018-02-14 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

1200V/15A IGBT模块K200A70，匹配380V变频器2KW设计的兼容式PIM模块

基于2KW的380V系统变频器的主体架构，1200V电压和15A左右的电流的设计条件和小体积封装设计需求。Vincotech的PIM模块80-M112PMA015M7-K200A70，规格1200V/15A，兼容式miniskiip封装，封装体积小（42mm*40mm*16mm），匹配2KW变频器的设计。

2019-01-27 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

电动车直流快充站 | 电能储能系统 | 变频器 | 伺服马达控制 | 光伏逆变器 | 稳压 | 马达控制 | 感应式电炉(IH) | 电能联网 | 不断电系统 UPS

光鼎电子股份有限公司（Para Light Electronics Co., Ltd.）提供高品质的IGBT产品，包括单管IGBT和IGBT模块。产品特点包括高效能、低成本、高功率密度和定制化服务。公司承诺高品质、有竞争力的价格和合理的交货时间，支持紧急订单。提供详细的产品规格和联系方式。

PARA LIGHT - IGBT模块,IGBT单管,PM100T1120HS1,PM600T9120HS1,PM100T5120FS1,PC75N065HD7,PM450T2120HS1,PC50N065AH7S,PC75N065AH7S,PC40N120AH7S,PC75N120HD7,PM100T6120XS1,PC50N065BH7,PM300T9170LS2R,PC75N120GH7S,PM150T1120HS1,PC60N120GH7S,PM300T9170LS2L,变频器,感应式电炉(IH),稳压,光伏逆变器,马达控制,电能储能系统,伺服马达控制,电动车直流快充站,电能联网,不断电系统 UPS

选型指南代理服务技术支持采购服务

【元件】专为变频器设计的1200V 15A系列PIM模块SP15R12F6，产品性能达到国产化替代要求

森未科技正式推出1200V15A 系列PIM模块SP15R12F6。此产品专门为变频器市场进行优化设计，参数与进口产品相当，可直接替换国外同类型产品，降低客户产品开发成本，缩短开发周期。

2024-10-14 - 产品代理服务技术支持采购服务

【应用】直流充电桩不可缺少的H5 IGBT新型Vienna整流模块

Vincotech业内最先采用IGBT H5 与SiC Diode进行组合封装的新型Vienna整流拓扑模块，具有良好散热特性及高温工作能力，适合小型化充电桩应用！

2016-12-25 - 新应用代理服务技术支持采购服务

萃锦600V~650V SJ MOSFET应用于充电桩设计

锦已推出多款600V~650V SJ MOSFET产品，在高压应用中优势较为突出，抗冲击能力强，可全面助力客户实现更优质的电源产品设计。得益于特殊的芯片内部结构，使得超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻，能降低损耗，减少发热。

2025-01-22 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

芯际探索授权世强硬创代理功率半导体，满足多领域逆变器/UPS/变频器应用需求

芯际探索产品包括IGBT单管及模块、IPM、SJ/VD/SGT/Trench MOSFET、FRD、SiC MOS/SBD/JBS/功率模块和HVIC系列等。

2024-03-26 - 签约新闻代理服务技术支持采购服务

【应用】威科PIM模块10-FZ12PMA015M7-P840A28助力1.5kW变频器，实现高效小型化设计

变频器分低压、中压、高压都是用来控制一些通用型电机，在传动控制领域的应用非常广泛，而每个变频器的设计都离不开功率器件，本文重点介绍威科PIM模块10-FZ12PMA015M7-P840A28助力1.5kW变频器设计，实现高效小型化设计。

2022-09-09 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

萃锦高效SiC器件开关速度快、效率优，契合逆变焊机高温与高效的应用特性

萃锦开发的 SiC MOSFET 通过优化元胞结构，增强耐雪崩能力。导通损耗小，开关损耗低，开关速度快，满足逆变焊机的响应速度快，高稳定性特点。萃锦 SiC Diode 反向恢复特性优，正向导通压降值低，损耗小。萃锦器件在结温175℃时，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，器件效率优，契合逆变焊机高温与高效的应用特性。

2025-01-16 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

森未科技推出H类封装、1200V 50A变频器用PIM模块SP50R12H6

森未科技正式推出变频器用PIM模块产品SP50R12H6，规格为1200V 50A。SP50R12H6采用森未科技H类封装，目前已经通过客户端11kw变频器工况测试验证，且通过客户可靠性测试。

2024-10-13 - 产品代理服务技术支持采购服务

【元件】森未科技发布1200V 100A变频器用PIM模块SP100R12B6，短路可承受时间达23μs

森未科技正式推出变频器用PIM模块产品SP100R12B6，规格为1200V 100A。SP100R12B6采用森未科技B类封装，具体封装外形及内部电路拓扑如图1所示，设计指标对标国外某I公司第四代产品。

2024-10-11 - 产品代理服务技术支持采购服务

萃锦高效SiC器件具有导通损耗小，开关损耗小，阈值漂移小等特点，应用于光伏逆变器

萃锦开发的 SiC MOSFET 通过优化元胞结构，增强耐雪崩能力。导通损耗小，开关损耗小，阈值漂移小，符合大功率光伏系统高一致性并管要求。萃锦 SiC Diode 反向恢复特性优，正向导通压降值低，损耗小；萃锦器件高温、高湿、高压条件下，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，远超光伏产品10年使用寿命。

2025-01-16 - 应用方案代理服务技术支持采购服务