方舟微提供高压耗尽型MOSFET用于PWM控制IC启动电路，可在极宽的输入电压范围内正常工作

时间： 2023-11-11 来源：方舟微

技术问答

在大多数反激式开关电源中，都是通过变压器附加绕组给PWM控制IC供电，在电路的启动阶段，附加绕组还没有电压输出，因此需要单独的电路给PWM控制IC进行启动供电。

传统的启动电路多使用功率电阻直接给PWM控制IC供电，但是在电源系统启动后，却会持续不断地消耗功率，从而大幅增加了系统功率损耗。

在不断降低电源功耗的发展理念下，开关电源PWM控制IC的启动电路也在不断优化。特别是在待机零功耗的要求下，将耗尽型MOSFET应用于开关电源的启动电路，几乎成了唯一的选择。

使用耗尽型MOSFET构成启动电路来给PWM控制C供电，能够有效降低系统功耗，特别是待机功耗耗尽型MOSFTE为常闭器件，当栅-源电压V_GS=0V时，器件的沟道处于自然开通状态。将耗尽型MOSFET应用于启动电路中，当PWM控制IC启动后，由附加绕组对IC进行供电，此时再将耗尽型MOSFET关断，之后PWM控制IC启动电路几乎没有功率损耗，因此能够显著降低系统功耗，尤其是待机功耗。

● 传统电阻式启动电路

如图1所示，传统的启动电路由功率电阻构成。这种电阻式的启动电路，由于电阻持续地消耗较大功率，大幅增加了系统功率损耗，在系统处于待机状态时尤为突出。

● 耗尽型MOSFTE用于启动电路——有源控制启动电路

有源控制启动电路示意图如下:

很多PWM控制IC都有ASU(Ative Start-Up)引脚，可用来控制耗尽型MOSFET DMZ6005E的关断。电路上电启动时，通过耗尽型MOSFETDMZ6005给PWM控制IC供电。电流经DMZ6005E给充电，C1电压持续升高，直至PWM IC开始工作。电路启动后，再由附加绕组给PWM控制IC供电，此时通过ASU端口将DMZ6005E的栅极下拉至低电平，使DMZ6005E的栅-源电压V_GS大于其关断电压V_GS(OFF)，从而将DMZ6005E关断，之后启动电路无电流通过，不产生功率损耗。

● 耗尽型MOSFTE用于启动电路一通用PWMIC启动电路

通用 PWMIC启动电路示意图如下:

通用启动电路适用于本身不具有ASU功能引脚的PWM控制IC的上电启动。如图3所示耗尽型MOSFETDMZ6005E搭配低压增强型MOSFET即可构成通用启动电路。

开关电源启动时，DMZ6005E处于导通状态，电流经DMZ6005E给C1充电，C1电压持续升高，直至PWMIC开始工作。开关电源启动后，通过附加绕组给PWM控制C供电，此时低压增强型MOSFET的-源电压V_GS大于其开启电压V_TH，增强型MOSFET导通，将DMZ6005E的极电压下拉至低电位，使得DMZ6005E的栅源电压V_GS大于其关断电压V_GS(OFF)，DMZ6005E切换至关断状态，启动电路不再消耗功率。

成都方舟微电子有限公司提供的DMZ6005E等高压耗尽型MOSFET，是应用于PWM控制IC启动电路最理想的器件。DMZ6005E击穿电压BV_DSS超过600V，可以在极宽的输入电压范围内正常工作，并且器件采用SOT-23封装，产品体积小，适于表面贴装。

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产品型号	品类	BVDSS (V)	RDSON(Ω) Typ.	ID (A)	VGS (V)	Package
DMZ1511NE	耗尽型MOSFET	150	10~25	0.1	-3.3~-1.5	SOT-23

选型表 - 方舟微立即选型

方舟微（ARK）耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南

描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案，ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新，是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发，以技术发展引导应用升级，是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。

型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E

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详解VD MOSFET寄生电容与栅电荷

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