30V/250A N-channel Enhanced Mode Power MOSFET SW015R03VLT for Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board and Inverter

2023-11-11 SEMIPOWER

This SEMIPOWER N-channel Enhanced mode power MOSFET SW015R03VLT is produced with the advanced technology of SAMWIN. This technology enables the power MOSFET to have better characteristics, including fast switching time, low resistance, low gate charge, and especially excellent avalanche characteristics.


Features

High ruggedness

Low RDS(ON):

(Typ 1.5mΩ)@VGS=4.5V 

(Typ 1.2mΩ)@VGS=10V

Low Gate Charge (Typ 315nC) 

Improved dv/dt Capability

100% Avalanche Tested 


Application

Synchronous Rectification

Li Battery Protect Board

Inverter


Absolute maximum ratings

Thermal characteristics

Electrical characteristic (TJ=25℃ unless otherwise specified)

Notes 

1. Repeatitive rating : pulse width limited by junction temperature. 

2. L =0.5mH, IAS=80A, VDD=30V, RG=25Ω, Starting TJ=25℃ 

3. ISD≤45A, di/dt=100A/μs, VDD≤ BVDSS, Staring TJ=25℃ 

4. Pulse Test : Pulse Width≤300μs, duty cycle≤2%. 

5. Essentially independent of operating temperature.


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授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台：世强硬创平台www.sekorm.com
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N-channel Enhanced mode MOSFET Synchronous Rectification Li Battery Protect Board Inverter SW015R03VLT 芯派科技 管状电机

本文由Vicky转载自SEMIPOWER，原文标题为:N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET SW015R03VLT，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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封装
状态
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Ic:75A
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TO-247
量产

选型表  -  芯派科技 立即选型

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产品型号
品类
BVDSS(V)
ID(A)
RDS
封装
SWD016R03VLT
MOSFET
30V
180A
VGS=4.5V@2.1mΩ,VGS=10V@1.6mΩ
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