30V/85A N-channel Enhanced Mode Power MOSFET SW051R03VLT for Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board, Motor Drives

时间： 2023-11-16 来源：SEMIPOWER

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SEMIPOWER N-channel enhanced mode power MOSFET SW051R03VLT is produced with the advanced technology of SAMWIN. This technology enables the power MOSFET to have better characteristics, including fast switching time, low on resistance, low gate charge, and especially excellent avalanche characteristics.

Features

High ruggedness

Low _RDS(ON):

(Typ 7.3mΩ)@V_GS=4.5V

(Typ 4.7mΩ)@V_GS=10V

Low Gate Charge (Typ 43nC)

Improved dv/dt Capability

100% Avalanche Tested

Application

Synchronous Rectification

Li Battery Protect Board

Motor Drives

Absolute maximum ratings

Thermal characteristics

Electrical characteristic (T_J=25℃ unless otherwise specified)

Source to drain diode ratings characteristics

Notes

1. Repeatitive rating : pulse width limited by junction temperature.

2. L =0.5mH, I_AS=22A, V_DD=25V, R_G=25Ω, Starting T_J=25℃

3. I_SD≤30A, di/dt=100A/μs, V_DD≤BV_DSS, Staring T_J=25℃

4. Pulse Test : Pulse Width≤300μs, duty cycle≤2%.

5. Essentially independent of operating temperature.

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30V/250A N-channel Enhanced Mode Power MOSFET SW015R03VLT for Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board and Inverter

This SEMIPOWER N-channel Enhanced mode power MOSFET SW015R03VLT is produced with the advanced technology of SAMWIN. This technology enables the power MOSFET to have better characteristics, including fast switching time, low resistance, low gate charge, and especially excellent avalanche characteristics.

2023-11-11 - 产品代理服务技术支持采购服务

芯派科技 MOSFET选型表

芯派科技提供以下IGBT，低压MOS管，高压超结MOS管，高压平面MOS管和中压MOS管的参数选型，芯片工艺：SGT，Planar，Trench；多种封装TO-247，TO-252，TO-263，TO-247P等。

产品型号	品类	耐压-最小值（V）	电流-最大值（A）	VCE(sat)（V）	封装	状态
SW75T065GFS	IGBT	BVCES: 650V	Ic:75A	1.6V	TO-247	量产

选型表 - 芯派科技立即选型

芯派科技MOS管选型表

产品型号	品类	BVDSS(V)	ID(A)	RDS	封装
SWD016R03VLT	MOSFET	30V	180A	VGS=4.5V@2.1mΩ,VGS=10V@1.6mΩ	TO-252

选型表 - 芯派科技立即选型

SW8205 N沟道增强型SOT23-6 MOSFET

描述- 本资料介绍了SW8205 N-channel Enhanced mode SOT23-6 MOSFET的特性。该器件采用SAMWIN先进技术制造，具有低栅极电荷（典型值5.2nC）、改进的dv/dt能力，适用于电池保护和电源管理等领域。

型号- SW8205

May. 2022 - 芯派科技 - 数据手册 - Rev. 0.5 代理服务技术支持采购服务

SW046R10ES N沟道增强型TO-220F MOSFET

描述- 本资料介绍了Semipower Technology Co., Ltd.生产的SW046R10ES型号N沟道增强型TO-220F MOSFET。该器件采用SAMWIN先进技术制造，具有高鲁棒性、低导通电阻、低栅极电荷和优异的雪崩特性。资料详细说明了其电气特性和热特性，并提供了应用示例。

型号- SW F 046R10ES,SW046R10ES

Mar. 2024 - 芯派科技 - 数据手册 - Rev. 0.5 代理服务技术支持采购服务

SW040R03VLT N沟道增强型TO-252 MOSFET

描述- 本资料介绍了Semipower Technology Co., Ltd.生产的SW040R03VLT N沟道增强型TO-252 MOSFET。该器件采用SAMWIN先进技术制造，具有快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和优异的雪崩特性。

型号- SW040R03VLT,SW D 040R03VLT

May.2023 - 芯派科技 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务技术支持采购服务

SW70N65KLF N沟道增强型TO-247 MOSFET

描述- 本资料介绍了Semipower Technology Co., Ltd.生产的SW70N65KLF型号的N沟道增强型TO-247 MOSFET。该器件采用先进的超结技术，具有高鲁棒性、低导通电阻（典型值为35mΩ）、低栅极电荷（典型值为163nC）和优异的雪崩特性。适用于充电器、LED和PC电源等领域。

型号- SW70N65KLF

Jun. 2023 - 芯派科技 - 数据手册 - Rev. 0.5 代理服务技术支持采购服务

SW072R10VS N沟道增强型DFN5*6 MOSFET

描述- 本资料介绍了Semipower Technology Co., Ltd.生产的SW072R10VS N通道增强型DFN5*6 MOSFET。该器件采用先进的SAMWIN技术，具有快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和优异的雪崩特性。

型号- SW HA 072R10VS,SW072R10VS

Feb. 2023 - 芯派科技 - 数据手册 - Rev. 0.5 代理服务技术支持采购服务

SW050R95E8S N沟道增强型TO-252 MOSFET

描述- 本资料介绍了Semipower Technology Co., Ltd.生产的SW050R95E8S型号N沟道增强型TO-252 MOSFET。该器件采用先进的SAMWIN技术，具有高速切换时间、低导通电阻、低栅极电荷和优异的雪崩特性。

型号- SW050R95E8S,SW D 050R95E8S

May. 2022 - 芯派科技 - 数据手册 - Rev. 0.5 代理服务技术支持采购服务

SW6N70P2 N沟道增强型TO-252 MOSFET

描述- 本资料介绍了Semipower Technology Co., Ltd.生产的SW6N70P2 N沟道增强型TO-252 MOSFET。该器件采用先进的SAMWIN技术，具有高鲁棒性、低导通电阻（典型值为1.6Ω）、低栅极电荷（典型值为20nC）和优异的雪崩特性。适用于LED、充电器和电脑电源等领域。

型号- SW6N70P2

Oct. 2023 - 芯派科技 - 数据手册 - Rev. 0.6 代理服务技术支持采购服务